SMD石英晶体谐振器抗冲击结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，属于电子元器件技术领域，包括：管壳、缓冲晶片和谐振晶片；管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线，第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点，第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点，缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点；第一金属引线通过下层第一导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第一导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通；第二金属引线通过下层第二导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第二导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通。本实用新型专利技术通过缓冲晶片和导电胶粘接，实现晶体的抗冲击性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
SMD石英晶体谐振器抗冲击结构


[0001]本技术属于电子元器件
，更具体地说，是涉及一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构。

技术介绍

[0002]传统的SMD(Surface Mounted Devices的缩写，意为：表面贴装器件)表贴石英晶体谐振器中的谐振晶片采用两点支撑，抗冲击能力基本在2000g左右。
[0003]为提高石英晶体谐振器的抗冲击能力，可以把支撑胶点的数量增至四点。如果四个胶点直接连接表贴管壳和石英晶片上，会因不同材料的膨胀系数差异，抗冲击性能差，造成石英晶片破裂。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，旨在解决石英晶体谐振器抗冲击性能差的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：提供一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，包括：管壳、缓冲晶片和谐振晶片；所述管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线，所述第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点，所述第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点，所述缓冲晶片的金属化电极区分别与所述下层第一导电胶点和所述下层第二导电胶点连接；所述缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点；所述谐振晶片通过所述上层第一导电胶点、所述上层第二导电胶点、所述上层第三导电胶点和所述上层第四导电胶点与所述缓冲晶片连接；所述第一金属引线通过所述下层第一导电胶点、所述缓冲晶片的金属化电极区、所述上层第一导电胶点与所述谐振晶片的金属化电极区连通；所述第二金属引线通过所述下层第二导电胶点、所述缓冲晶片的金属化电极区、所述上层第二导电胶点与所述谐振晶片的金属化电极区连通。
[0006]作为本申请另一实施例，所述缓冲晶片的金属化电极区包括第一金属化电极区和第二金属化电极区，所述第一金属化电极区位于所述第一金属引线上方，且连续铺设于所述缓冲晶片的正面侧面和背面，所述下层第一导电胶点与所述第一金属化电极区的背面连接；第二金属化电极区位于所述第二金属引线上方，且连续铺设于所述缓冲晶片的正面侧面和背面，所述下层第二导电胶点与所述第二金属化电极区的背面连接；所述第一金属化电极区和所述第二金属化电极区分设于所述缓冲晶片相对的两侧；所述上层第一导电胶点设于所述第一金属化电极区的上面，所述上层第二导电胶点设于所述第二金属化电极区的上面；所述上层第一导电胶点、所述上层第二导电胶点、所述上层第三导电胶点和所述上层第四导电胶点分设于所述缓冲晶片的四角。
[0007]作为本申请另一实施例，所述第一金属化电极区的正面和背面所成的区域相同；所述第二金属化电极区的正面和背面所成的区域相同。
[0008]作为本申请另一实施例，所述第一金属化电极区和所述第二金属化电极区对称分设在所述缓冲晶片的两侧。
[0009]作为本申请另一实施例，所述第一金属化电极区和所述第二金属化电极区在正面和背面的区域均为长方形，且长度为所在缓冲晶片一侧的长度的一半。
[0010]作为本申请另一实施例，所述谐振晶片的金属化电极区包括第三金属化电极区、第四金属化电极区、第五金属化电极区和第六金属化电极区；所述第三金属化电极区位于所述谐振晶片的正面中心位置，所述第四金属化电极区位于所述谐振晶片对应所述上层第一导电胶点的角部，且所述第四金属化电极区连续铺设在所述缓冲晶片的正面、侧面和背面，所述第三金属化电极区与所述第四金属化电极区的背面相连；所述第五金属化电极区位于所述谐振晶片对应所述上层第二导电胶点的角部，且所述第五金属化电极区连续铺设在所述缓冲晶片的正面、侧面和背面；所述第六金属化电极区位于所述缓冲晶片的背面中心位置，且与所述第五金属化电极区的背面相连；所述上层第一导电胶点与所述第四金属化电极区的背面连接，所述上层第二导电胶点与所述第五金属化电极区的背面连接。
[0011]作为本申请另一实施例，所述第三金属化电极区和所述第六金属化电极区对称设置于所述谐振晶片的正面和背面；所述第四金属化电极区和所述第五金属化电极区对称分设在所述谐振晶片的相邻的两角。
[0012]作为本申请另一实施例，所述管壳的底部外表面设有焊盘。
[0013]作为本申请另一实施例，所述缓冲晶片和所述谐振晶片的定向角度和尺寸大小一致。
[0014]本技术提供的SMD石英晶体谐振器抗冲击结构的有益效果在于：与现有技术相比，本技术SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，在表贴管壳基础上，使用胶点支撑缓冲晶片，在缓冲晶片上使用四胶点粘接谐振晶片；通过缓冲晶片和导电胶粘接，实现晶体的抗冲击性能；从而实现石英晶体谐振器抗冲击能力达到10000g以上，而管壳的尺寸外形、功耗、装配工艺、实用性、可靠性等特性仍然能够与现有结构保持一致。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本技术实施例提供的SMD石英晶体谐振器抗冲击结构的分解结构示意图(俯视)；
[0017]图2为本技术实施例提供的SMD石英晶体谐振器抗冲击结构的分解结构示意图(仰视)；
[0018]图3为本技术实施例提供的SMD石英晶体谐振器抗冲击结构的立体结构示意图；
[0019]图4为图3所示的SMD石英晶体谐振器抗冲击结构的侧视结构示意图；
[0020]图5为本技术实施例所采用的SMD石英晶体谐振器抗冲击结构的立体结构示意图。
[0021]图中：1、管壳；2、第一金属引线；3、上层第三导电胶点；4、上层第四导电胶点；5、缓冲晶片；6、谐振晶片；7、第三金属化电极区；8、第四金属化电极区；9、第五金属化电极区；10、第一金属化电极区；11、上层第一导电胶点；12、上层第二导电胶点；13、第二金属化电极区；14、下层第一导电胶点；15、下层第二导电胶点；16、第二金属引线；17、第六金属化电极区。
具体实施方式
[0022]为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0023]请一并参阅图1至图5，现对本技术提供的SMD石英晶体谐振器抗冲击结构进行说明。所述SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，包括：管壳1、缓冲晶片5和谐振晶片6；管壳1的底座上平行设有第一金属引线2和第二金属引线16，第一金属引线2的中间设有下层第一导电胶点14，第二金属引线16的中间设有下层第二导电胶点15，缓冲晶片5的金属化电极区分别与下层第一导电胶点14和下层第二导电胶点15连接；缓冲晶片5的上表面设有上层第一导电胶点11、上层第二导电胶点12、上层第三导电胶点本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，其特征在于，包括：管壳、缓冲晶片和谐振晶片；所述管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线，所述第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点，所述第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点，所述缓冲晶片的金属化电极区分别与所述下层第一导电胶点和所述下层第二导电胶点连接；所述缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点；所述谐振晶片通过所述上层第一导电胶点、所述上层第二导电胶点、所述上层第三导电胶点和所述上层第四导电胶点与所述缓冲晶片连接；所述第一金属引线通过所述下层第一导电胶点、所述缓冲晶片的金属化电极区、所述上层第一导电胶点与所述谐振晶片的金属化电极区连通；所述第二金属引线通过所述下层第二导电胶点、所述缓冲晶片的金属化电极区、所述上层第二导电胶点与所述谐振晶片的金属化电极区连通。2.如权利要求1所述的SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，其特征在于，所述缓冲晶片的金属化电极区包括第一金属化电极区和第二金属化电极区，所述第一金属化电极区位于所述第一金属引线上方，且连续铺设于所述缓冲晶片的正面侧面和背面，所述下层第一导电胶点与所述第一金属化电极区的背面连接；第二金属化电极区位于所述第二金属引线上方，且连续铺设于所述缓冲晶片的正面侧面和背面，所述下层第二导电胶点与所述第二金属化电极区的背面连接；所述第一金属化电极区和所述第二金属化电极区分设于所述缓冲晶片相对的两侧；所述上层第一导电胶点设于所述第一金属化电极区的上面，所述上层第二导电胶点设于所述第二金属化电极区的上面；所述上层第一导电胶点、所述上层第二导电胶点、所述上层第三导电胶点和所述上层第四导电胶点分设于所述缓冲晶片的四角。3.如权利要求2所述的SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，其特征在于，所述第一金属化电极区的正面和背面所成的...

【专利技术属性】
技术研发人员：逄杰，孟昭建，王占奎，刘兰坤，徐淑一，牛占鲁，宋学峰，杨晓雷，戴文涛，田树蕾，高畅，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：新型
国别省市：