非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质，通过对选定的存储单元进行擦除操作；对所述选定的存储单元进行擦除验证，并在执行擦除验证的读操作时对选中的存储单元的栅极施加第一电压，对未选中的存储单元的栅极施加第一负电压；从而有利于使未选中的存储单元完全关断，因而不会产生额外的漏极电流，进而降低把未擦除成功的存储单元读成擦除成功的存储单元的概率。读成擦除成功的存储单元的概率。读成擦除成功的存储单元的概率。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及半导体存储
，尤其涉及一种非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]在对非易失性存储器进行擦除时，部分储存单元会有过擦除的现象。在进行擦除时，当选中的储存单元的特性不完全一致，会导致有些单元需要上百次擦除脉冲方可擦除成功，而有些单元可能擦除一次就擦除成功，在这种情况下，易被擦除的单元也同样受到了上百次的擦除，成为过擦除单元，其阈值电压可能小于0v。
[0003]现有技术中，对非易失性存储器进行擦除时一般包括擦除验证步骤，以验证储存单元是否擦除成功，在擦除验证步骤中通常是向未选中的存储单元的栅极施加0v电压，而由于未选中的存储单元可能是过擦除单元，其阈值电压可能小于0v，从而会产生较大的漏极电流，而随着芯片容量的变大，一根位线上的存储单元也随之增加，若多个存储单元的漏极电流叠加会导致读出的数据错误，从而把未擦除成功的存储单元读成了擦除成功的存储单元。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足之处，本申请实施例的目的在于提供一种非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质，可减小对非易失性存储器进行擦除时未选中的存储单元的漏极电流，从而降低把未擦除成功的存储单元读成擦除成功的存储单元的概率。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种非易失性存储器擦除方法，包括步骤：A1.对选定的存储单元进行擦除操作；A2.对所述选定的存储单元进行擦除验证，并在执行擦除验证的读操作时对选中的存储单元的栅极施加第一电压，对未选中的存储单元的栅极施加第一负电压。
[0006]本申请实施例提供的非易失性存储器擦除方法，在对选定的存储单元进行擦除验证时，在擦除验证的读操作中，对未选中的存储单元的栅极施加负电压，有利于使未选中的存储单元完全关断，从而不会产生额外的漏极电流，不影响处于同一根位线上的其他存储单元的电流判断，有利于更加准确的读出选中的存储单元的实际阈值电压；因此可减小对非易失性存储器进行擦除时未选中的存储单元的漏极电流，从而降低把未擦除成功的存储单元读成擦除成功的存储单元的概率。
[0007]优选地，步骤A2中，在执行擦除验证的软编程操作时对需要做软编程的存储单元的栅极施加第二电压，对未选中的存储单元的栅极施加第二负电压。
[0008]优选地，所述第一负电压和所述第二负电压不小于
‑
3V。
[0009]第二方面，本申请实施例提供一种非易失性存储器擦除装置，包括：擦除模块，用于对选定的存储单元进行擦除操作；验证模块，用于对所述选定的存储单元进行擦除验证，并在执行擦除验证的读操
作时对选中的存储单元的栅极施加第一电压，对未选中的存储单元的栅极施加第一负电压。
[0010]优选地，所述验证模块在对所述选定的存储单元进行擦除验证的时候：在执行擦除验证的软编程操作时对需要做软编程的存储单元的栅极施加第二电压，对未选中的存储单元的栅极施加第二负电压。
[0011]优选地，所述第一负电压和所述第二负电压不小于
‑
3V。
[0012]第三方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行如所述的非易失性存储器擦除方法的步骤。
[0013]第四方面，本申请实施例提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时运行如所述的非易失性存储器擦除方法的步骤。
[0014]有益效果：本申请实施例提供的非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质，通过对选定的存储单元进行擦除操作；对所述选定的存储单元进行擦除验证，并在执行擦除验证的读操作时对选中的存储单元的栅极施加第一电压，对未选中的存储单元的栅极施加第一负电压；从而有利于使未选中的存储单元完全关断，因而不会产生额外的漏极电流，不影响处于同一根位线上的其他存储单元的电流判断，有利于更加准确的读出选中的存储单元的实际阈值电压；因此可减小对非易失性存储器进行擦除时未选中的存储单元的漏极电流，从而降低把未擦除成功的存储单元读成擦除成功的存储单元的概率。
附图说明
[0015]图1为本申请实施例提供的非易失性存储器擦除方法的流程图。
[0016]图2为本申请实施例提供的非易失性存储器擦除装置的结构示意图。
[0017]图3为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0018]下面详细描述本专利技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0019]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0020]下文的公开提供的实施方式或例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在
于限制本专利技术。此外，本专利技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本专利技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术佩戴人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
[0021]请参阅图1，本申请实施例提供的一种非易失性存储器擦除方法，包括步骤：A1.对选定的存储单元进行擦除操作；A2.对所述选定的存储单元进行擦除验证，并在执行擦除验证的读操作时对选中的存储单元的栅极施加第一电压，对未选中的存储单元的栅极施加第一负电压。
[0022]该非易失性存储器擦除方法，在对选定的存储单元进行擦除验证时，在擦除验证的读操作中，对未选中的存储单元的栅极施加负电压，有利于使未选中的存储单元完全关断，从而不会产生额外的漏极电流，不影响处于同一根位线上的其他存储单元的电流判断，有利于更加准确的读出选中的存储单元的实际阈值电压；因此可减小对非易失性存储器进行擦除时未选中的存储单元的漏极电流，从而降低把未擦除成功的存储单元读成擦除成功的存储单元的概本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器擦除方法，其特征在于，包括步骤：A1.对选定的存储单元进行擦除操作；A2.对所述选定的存储单元进行擦除验证，并在执行擦除验证的读操作时对选中的存储单元的栅极施加第一电压，对未选中的存储单元的栅极施加第一负电压。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器擦除方法，其特征在于，步骤A2中，在执行擦除验证的软编程操作时对需要做软编程的存储单元的栅极施加第二电压，对未选中的存储单元的栅极施加第二负电压。3.根据权利要求2所述的非易失性存储器擦除方法，其特征在于，所述第一负电压和所述第二负电压不小于
‑
3V。4.一种非易失性存储器擦除装置，其特征在于，包括：擦除模块，用于对选定的存储单元进行擦除操作；验证模块，用于对所述选定的存储单元进行擦除验证，并在执行擦除验证的读操作时对选中的存储单元的栅极施加第一电压，对未选中的存储单元的栅极施加...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘梦，温靖康，鲍奇兵，高益，吴彤彤，
申请(专利权)人：芯天下技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：