一种保护芯片钝化前清洗制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种保护芯片钝化前清洗制造工艺，包括以下步骤：1)沟槽腐蚀前处理：将沟槽光刻完的产品放入120

【技术实现步骤摘要】
一种保护芯片钝化前清洗制造工艺


[0001]本专利技术涉及芯片清洗工艺
，具体为一种保护芯片钝化前清洗制造工艺。

技术介绍

[0002]台面沟槽形成后，一般的生产厂家使用稀氢氟酸漂洗30S，再使用氨水：双氧水：水＝1：2：10，盐酸：双氧水：水＝1：2：10两种清洗液在75
±
5℃的情况下清洗15分钟，然后甩干冲水甩干。目前的清洗工艺无法有效的提高芯片的良率，因此，有必要进行改进。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种保护芯片钝化前清洗制造工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种保护芯片钝化前清洗制造工艺,包括以下步骤：
[0005]1)、沟槽腐蚀前处理；
[0006]2)、去除沟槽内氧化层；
[0007]3)、沟槽腐蚀：用氢氟酸硝酸冰乙酸水混合酸腐蚀沟槽，沟槽深度根据产品要求作业；
[0008]4)、去挂边：用超声清洗去除沟槽边缘氧化层；
[0009]5)、硝化酸清洗；
[0010]6)、硫酸双氧水清洗；
[0011]7)电泳玻璃：电泳玻璃粉，烧结；
[0012]8)引线孔光刻；
[0013]9)蒸发金属；
[0014]10)金属光刻；
[0015]11)测试。
[0016]优选的，所述步骤1)中具体处理方法为：将沟槽光刻完的产品放入120℃
‑
140℃烘箱20分钟
‑<br/>30分钟。
[0017]优选的，所述步骤2)具体处理方法为：沟槽内的氧化层放入40℃
‑
50℃BOE内腐蚀10分钟
‑
16分钟，之后进行冲水。
[0018]优选的，所述步骤6)具体方法为：先配置硫酸：双氧水＝6：1，之后将混合溶液加热到120
°‑
140℃；之后将产品清洗5分钟
‑
8分钟；最后将产品冲水，甩干。
[0019]优选的，所述步骤4)中超声功率为800
‑
1000W。
[0020]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术操作方法简单，增加硝化酸清洗，沟槽腐蚀后，PN结裸漏出来，稀硝酸将硅轻微氧化形成阻挡层，阻挡层能有效阻挡外界沾污，在作业电泳前更好的保护裸漏的PN结，提升整体产出率。
具体实施方式
[0021]下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0022]实施例一：
[0023]本专利技术提供如下技术方案：一种保护芯片钝化前清洗制造工艺,包括以下步骤：
[0024]1)、沟槽腐蚀前处理；
[0025]2)、去除沟槽内氧化层；
[0026]3)、沟槽腐蚀：用氢氟酸硝酸冰乙酸水混合酸腐蚀沟槽，沟槽深度根据产品要求作业；
[0027]4)、去挂边：用超声清洗去除沟槽边缘氧化层；
[0028]5)、硝化酸清洗；
[0029]6)、硫酸双氧水清洗；
[0030]7)电泳玻璃：电泳玻璃粉，烧结；
[0031]8)引线孔光刻；
[0032]9)蒸发金属；
[0033]10)金属光刻；
[0034]11)测试。
[0035]本实施例中，步骤1)中具体处理方法为：将沟槽光刻完的产品放入120℃烘箱20分钟。
[0036]本实施例中，步骤2)具体处理方法为：沟槽内的氧化层放入40℃BOE内腐蚀10分钟，之后进行冲水。
[0037]本实施例中，步骤6)具体方法为：先配置硫酸：双氧水＝6：1，之后将混合溶液加热到120
°
；之后将产品清洗5分钟；最后将产品冲水，甩干。
[0038]本实施例中，步骤4)中超声功率为800W。
[0039]实施例二：
[0040]一种保护芯片钝化前清洗制造工艺,包括以下步骤：
[0041]1)、沟槽腐蚀前处理；
[0042]2)、去除沟槽内氧化层；
[0043]3)、沟槽腐蚀：用氢氟酸硝酸冰乙酸水混合酸腐蚀沟槽，沟槽深度根据产品要求作业；
[0044]4)、去挂边：用超声清洗去除沟槽边缘氧化层；
[0045]5)、硝化酸清洗；
[0046]6)、硫酸双氧水清洗；
[0047]7)电泳玻璃：电泳玻璃粉，烧结；
[0048]8)引线孔光刻；
[0049]9)蒸发金属；
[0050]10)金属光刻；
[0051]11)测试。
[0052]本实施例中，步骤1)中具体处理方法为：将沟槽光刻完的产品放入140℃烘箱30分钟。
[0053]本实施例中，步骤2)具体处理方法为：沟槽内的氧化层放入50℃BOE内腐蚀16分钟，之后进行冲水。
[0054]本实施例中，步骤6)具体方法为：先配置硫酸：双氧水＝6：1，之后将混合溶液加热到140℃；之后将产品清洗8分钟；最后将产品冲水，甩干。
[0055]本实施例中，步骤4)中超声功率为1000W。
[0056]实施例三：
[0057]一种保护芯片钝化前清洗制造工艺,包括以下步骤：
[0058]1)、沟槽腐蚀前处理；
[0059]2)、去除沟槽内氧化层；
[0060]3)、沟槽腐蚀：用氢氟酸硝酸冰乙酸水混合酸腐蚀沟槽，沟槽深度根据产品要求作业；
[0061]4)、去挂边：用超声清洗去除沟槽边缘氧化层；
[0062]5)、硝化酸清洗；
[0063]6)、硫酸双氧水清洗；
[0064]7)电泳玻璃：电泳玻璃粉，烧结；
[0065]8)引线孔光刻；
[0066]9)蒸发金属；
[0067]10)金属光刻；
[0068]11)测试。
[0069]本实施例中，步骤1)中具体处理方法为：将沟槽光刻完的产品放入125℃烘箱22分钟。
[0070]本实施例中，步骤2)具体处理方法为：沟槽内的氧化层放入42℃BOE内腐蚀11分钟，之后进行冲水。
[0071]本实施例中，步骤6)具体方法为：先配置硫酸：双氧水＝6：1，之后将混合溶液加热到125℃；之后将产品清洗6分钟；最后将产品冲水，甩干。
[0072]本实施例中，步骤4)中超声功率为850W。
[0073]实施例四：
[0074]一种保护芯片钝化前清洗制造工艺,包括以下步骤：
[0075]1)、沟槽腐蚀前处理；
[0076]2)、去除沟槽内氧化层；
[0077]3)、沟槽腐蚀：用氢氟酸硝酸冰乙酸水混合酸腐蚀沟槽，沟槽深度根据产品要求作业；
[0078]4)、去挂边：用超声清本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种保护芯片钝化前清洗制造工艺,其特征在于：包括以下步骤：1)、沟槽腐蚀前处理；2)、去除沟槽内氧化层；3)、沟槽腐蚀：用氢氟酸硝酸冰乙酸水混合酸腐蚀沟槽，沟槽深度根据产品要求作业；4)、去挂边：用超声清洗去除沟槽边缘氧化层；5)、硝化酸清洗；6)、硫酸双氧水清洗；7)电泳玻璃：电泳玻璃粉，烧结；8)引线孔光刻；9)蒸发金属；10)金属光刻；11)测试。2.根据权利要求1所述的一种保护芯片钝化前清洗制造工艺,其特征在于：所述步骤1)中具体处理方法为：将沟槽光刻完的产品放入120℃
‑
140℃烘箱20分钟
‑
30分钟。3.根据权利要求1所述的一种保护芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔文荣，
申请(专利权)人：江苏晟驰微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：