一种低介电常数导热膜片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低介电常数导热膜片及其制备方法，导热膜片中包括六方氮化硼粉、消泡剂、分散剂、粘合剂、增塑剂，还提供了其特定的制备方法，通过本发明专利技术提供的配方及制备方法，通过简化的配方及制备方法，制备出了机械性能优良、低介电常数、高导热系数的导热膜片，降低了制备难度和制备成本，具有非常高的工业应用价值。应用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种低介电常数导热膜片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及特定性能材料制备
，具体涉及一种低介电常数导热膜片及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着5G时代的来临，大功率高频信号发射设备/5G设备及移动终端开始迅速走进人们的生产和生活。导热膜在电子产品领域，一直是限制产品性能的一个重要因素，基于线路板和器件的导热(散热)需求，往往需要低介电常数高导热材料，尤其是上文提及的大功率高频信号发射设备/5G设备及移动终端，由于其功率大、频率高、运行速度等特定，导致线路板及器件发热严重，因此，对导热材料的导热性能及介电常数都提出了新的要求。
[0003]现有的制备低介电常数导热膜片的方法中，为了保证膜片的机械性能，如机械强度等，往往需要加入增强纤维等材料，这些材料在一定程度上回降低产品的导热性能或增加其介电常数。另外，为了实现导热膜片内部的有效热传导，往往需要通过增加材料组分或反映步骤来实现制备膜片内部的三维结构，从而提升散热效率，然而由于这些增添的材料组分或反映产物，仅能从三维结构上对膜片性能进行增益，从其材料性质自身并无任何帮助，因此这一方式在增加了大量成本及生产时间的基础上，并没有实际应用于工业生产的价值。

技术实现思路

[0004]基于上述目前制备低介电常数导热膜片的方法存在的问题，本专利技术提供一种成分简单、制备步骤简单的低介电常数导热膜片及其制备方法，方案如下：
[0005]首先本专利技术提供一种低介电常数导热膜片，包括六方氮化硼粉、消泡剂、分散剂、粘合剂、增塑剂。/>[0006]优选地，所述低介电常数导热膜片中还可以包括去离子水和无水乙醇。
[0007]优选地，所述六方氮化硼粉粒径为2
‑
50μm。
[0008]优选地，所述消泡剂包括Staradd DF520、Staradd DF535中的一种或二种。
[0009]优选地，所述分散剂包括SN
‑
5040、中亚5040、Dispersant
‑
5040中的一种或二种。
[0010]优选地，所述粘合剂分散液中的粘合剂包括醋酸乙烯树脂、丙烯酸树脂的一种或二种。
[0011]优选地，所述增塑剂包括DBP、DOP、DBO、DCP、DIDP中的一种或二种以上。
[0012]优选地，所述低介电常数导热膜片中，消泡剂用量为六方氮化硼粉质量的0.05
‑
0.4％wt。
[0013]优选地，所述低介电常数导热膜片中，分散剂用量为六方氮化硼粉质量的0.5
‑
3％wt。
[0014]优选地，所述低介电常数导热膜片中，粘合剂质量为方氮化硼粉质量的30
‑
60％wt。
[0015]优选地，所述低介电常数导热膜片中，增塑剂用量为六方氮化硼粉质量的1
‑
5％wt。
[0016]另外，本专利技术还提供上述低介电常数导热膜片的制备方法，包括以下步骤：
[0017]S1、制备混合溶剂；
[0018]S2、将六方氮化硼粉分散到混合溶剂中，得到混合体系2；
[0019]S3、向混合体系2中依次加入消泡剂和分散剂，分散均匀得到浆料3；
[0020]S4、制备粘合剂分散液；
[0021]S5、将粘合剂分散液加入到浆料3中，分散均匀得到浆料5；
[0022]S6、向浆料5中加入增塑剂，分散均匀，得到低介电常数导热膜片浆料；
[0023]S7、将低介电常数导热膜片浆料制备成膜。
[0024]优选地，S1所述混合溶剂中包括去离子水和无水乙醇。
[0025]优选地，S1所述混合溶剂中去离子水与无水乙醇的体积比为(5
‑
20):1。
[0026]优选地，S2所述六方氮化硼粉的质量为混合溶剂质量的40
‑
70％wt。
[0027]优选地，S2所述六方氮化硼粉粒径为2
‑
50μm。
[0028]优选地，S2所述分散，采用分散机或均质机进行。
[0029]优选地，S3所述消泡剂包括Staradd DF520、Staradd DF535中的一种或二种。
[0030]优选地，S3所述分散剂包括SN
‑
5040、中亚5040、Dispersant
‑
5040中的一种或二种。
[0031]优选地，S3所述消泡剂用量为六方氮化硼粉质量的0.05
‑
0.4％wt。
[0032]优选地，S3所述分散剂用量为六方氮化硼粉质量的0.5
‑
3％wt。
[0033]优选地，S3中，在消泡剂的浓度C
x
确定后，通过以下公式确定分散剂C
f
的浓度：
[0034][0035]其中，C
x
和C
f
的为质量百分浓度，意义为g/100g，m为常数，取值为65
‑
86，n为常数，取值为1
‑
9。
[0036]优选地，S3所述分散均匀，包括：将所得混合物加入到砂磨机中砂磨。
[0037]优选地，S3所述分散均匀，具体包括：将所得混合物加入到砂磨机中，在主机转速500
‑
1500rpm，物料温度20
‑
40摄氏度条件下，砂磨1
‑
5h。
[0038]优选地，S4所述粘合剂分散液中包括粘合剂和去离子水。
[0039]优选地，S4所述粘合剂分散液中的粘合剂包括醋酸乙烯树脂、丙烯酸树脂中的一种或二种。
[0040]优选地，S4所述粘合剂分散液中，粘合剂与去离子水的体积比为1:(1
‑
4)。
[0041]优选地，S5所述粘合剂分散液中的粘合剂质量为浆料3中方氮化硼粉质量的30
‑
60％wt。
[0042]优选地，S5所述分散，包括：将所得混合物加入到砂磨机中，在主机转速700
‑
1500rpm，物料温度20
‑
40摄氏度条件下砂磨2
‑
6h。
[0043]优选地，S6所述增塑剂包括DBP、DOP、DBO、DCP、DIDP中的一种或二种以上。
[0044]优选地，S6所述增塑剂用量为浆料5中所含六方氮化硼粉质量的1
‑
5％wt。
[0045]优选地，S6所述分散均匀，包括：将所得混合物加入到砂磨机中，在主机转速700
‑
1500rpm，物料温度20
‑
40摄氏度条件下砂磨1h。
[0046]优选地，S7所述制备成膜的方法包括刮刀式涂布、喷涂、旋涂、压延、抽滤、吸附中的一种或二种以上。
[0047]优选地，S7所述制备成膜，膜厚度为10
‑
1000μm。
[0048]优选地，上述所有砂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低介电常数导热膜片，其特征在于：包括六方氮化硼粉、消泡剂、分散剂、粘合剂、增塑剂。2.根据权利要求1所述的低介电常数导热膜片，其特征在于：所述低介电常数导热膜片中还可以包括去离子水和无水乙醇。3.根据权利要求1所述的低介电常数导热膜片，其特征在于：所述低介电常数导热膜片中，消泡剂用量为六方氮化硼粉质量的0.05
‑
0.4％wt；分散剂用量为六方氮化硼粉质量的0.5
‑
3％wt；粘合剂质量为方氮化硼粉质量的30
‑
60％wt；增塑剂用量为六方氮化硼粉质量的1
‑
5％wt。4.一种权利要求1
‑
3任一项所述的低介电常数导热膜片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、制备混合溶剂；S2、将六方氮化硼粉分散到混合溶剂中，得到混合体系2；S3、向混合体系2中依次加入消泡剂和分散剂，分散均匀得到浆料3；S4、制备粘合剂分散液；S5、将粘合剂分散液加入到浆料3中，分散均匀得到浆料5；S6、向浆料5中加入增塑剂，分散均匀，得到低介电常数导热膜片浆料；S7、将低介电常数导热膜片浆料制备成膜。5.根据权利要求4所述的低介电常数导热膜片的制备方法，其特征在于：S1所述混合溶剂中包括去离子水和无水乙醇；S1所述混合溶剂中去离子水与无水乙醇的体积比为(5
‑
20):1。6.根据权利要求4所述的低介电常数导热膜片的制备方法，其特征在于：S2所述六方氮化硼粉的质量为混合溶剂质量的40
‑
70％wt；S3...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭志军，陈仁政，黄国伟，张腾，吴超明，
申请(专利权)人：深圳市汉华热管理科技有限公司，
类型：发明
国别省市：