本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括：包括硅的鳍状物，所述鳍状物具有下鳍状物部分和上鳍状物部分。栅极电极在所述鳍状物的所述上鳍状物部分之上，所述栅极电极具有与第二侧相对的第一侧。第一外延源极或漏极结构在所述栅极电极的所述第一侧嵌入于所述鳍状物中。第二外延源极或漏极结构在所述栅极电极的所述第二侧嵌入于所述鳍状物中，所述第一和第二外延源极或漏极结构包括硅和锗并具有火柴棍轮廓。包括硅和锗并具有火柴棍轮廓。包括硅和锗并具有火柴棍轮廓。
【技术实现步骤摘要】
用于高级集成电路结构制造的外延源极或漏极结构
[0001]本申请为分案申请，其原申请是于2018年10月31日向中国专利局提交的专利申请，申请号为201811297813.6，专利技术名称为“用于高级集成电路结构制造的外延源极或漏极结构”。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求于2017年11月30日提交的题为“ADVANCED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE FABRICATION”的美国临时申请No.62/593，149的权益，由此通过引用方式将该美国临时申请的全部内容并入本文。
[0004]本公开的实施例处于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言，10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。
技术介绍
[0005]过去几十年来，集成电路中特征的缩放已经成为不断成长的半导体行业背后的驱动力。缩放到越来越小的特征能够使半导体芯片的有限占地面积上的功能单元的密度增大。例如，缩小晶体管尺寸允许在芯片上并入增大数量的存储器或逻辑器件，从而带来具有更大容量的产品的制造。然而，对越来越大容量的驱动并非没有问题。优化每个器件性能的必要性变得越来越重要。
[0006]常规和当前已知制造工艺中的变化性可能会限制将它们进一步扩展到10纳米节点或亚10纳米节点范围的可能性。因此，将来技术节点所需的功能部件的制造可能需要在当前制造工艺中引入新方法或整合新技术，或者用其取代当前制造工艺。
附图说明
[0007]图1A示出了在形成在层间电介质(ILD)层上的硬掩模材料层的沉积之后，但在其图案化之前的起始结构的截面图。
[0008]图1B示出了在通过间距减半对硬掩模层进行图案化之后的图1A的结构的截面图。
[0009]图2A是根据本公开的实施例的用于制造半导体鳍状物的间距四分方式的示意图。
[0010]图2B示出了根据本公开的实施例的使用间距四分方式制造的半导体鳍状物的截面图。
[0011]图3A是根据本公开的实施例的用于制造半导体鳍状物的融合鳍状物间距四分方式的示意图。
[0012]图3B示出了根据本公开的实施例的使用融合鳍状物间距四分方式制造的半导体鳍状物的截面图。
[0013]图4A
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图4C示出了根据本公开的实施例的表示在制造多个半导体鳍状物的方法中的各种操作的截面图。
[0014]图5A示出了根据本公开的实施例的通过三层沟槽隔离结构分隔的半导体鳍状物
对的截面图。
[0015]图5B示出了根据本公开的另一实施例的通过另一个三层沟槽隔离结构分隔的另一半导体鳍状物对的截面图。
[0016]图6A
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图6D示出了根据本公开的实施例的在制造三层沟槽隔离结构时的各种操作的截面图。
[0017]图7A
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图7E示出了根据本公开的实施例的制造集成电路结构的方法中的各种操作的倾斜三维截面图。
[0018]图8A
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图8F示出了根据本公开的实施例的针对制造集成电路结构的方法中的各种操作的沿图7E的a
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a
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轴截取的略微投影截面图。
[0019]图9A示出了根据本公开的实施例的针对包括永久栅极堆叠体和外延源极或漏极区的集成电路结构的沿图7E的a
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a
’
轴截取的略微投影截面图。
[0020]图9B示出了根据本公开的实施例的针对包括外延源极或漏极区和多层沟槽隔离结构的集成电路结构的沿图7E的b
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b
’
轴截取的截面图。
[0021]图10示出了根据本公开的实施例的在源极或漏极位置截取的集成电路结构的截面图。
[0022]图11示出了根据本公开的实施例的在源极或漏极位置截取的另一集成电路结构的截面图。
[0023]图12A
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图12D示出了根据本公开的实施例的在源极或漏极位置截取并且表示制造集成电路结构的方法中的各种操作的截面图。
[0024]图13A和图13B示出了根据本公开的实施例的表示对用于形成局部隔离结构的具有多栅极间隔的鳍状物的图案化的方法中的各种操作的平面图。
[0025]图14A
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图14D示出了根据本公开的另一实施例的表示对用于形成局部隔离结构的具有单栅极间隔的鳍状物的图案化的方法中的各种操作的平面图。
[0026]图15示出了根据本公开的实施例的具有带有用于局部隔离的多栅极间隔的鳍状物的集成电路结构的截面图。
[0027]图16A示出了根据本公开的另一实施例的带有用于局部隔离的单栅极间隔的鳍状物的集成电路结构的截面图。
[0028]图16B示出了根据本公开的实施例的显示可以形成鳍状物隔离结构以取代栅极电极的位置的截面图。
[0029]图17A
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图17C示出了根据本公开的实施例的针对使用鳍状物修剪隔离方式制造的鳍状物切口的各种深度可能性。
[0030]图18示出了根据本公开的实施例的显示鳍状物内的鳍状物切口的局部位置的深度与较宽位置的深度相对比的可能选项的平面图和沿a
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a
’
轴截取的对应截面图。
[0031]图19A和图19B示出了根据本公开的实施例的选择具有宽切口的鳍状物的端部处的鳍状物端部应力源位置的方法中的各种操作的截面图。
[0032]图20A和图20B示出了根据本公开的实施例的选择具有局部切口的鳍状物的端部处的鳍状物端部应力源位置的方法中的各种操作的截面图。
[0033]图21A
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图21M示出了根据本公开的实施例的制造具有差异化鳍状物端部电介质插塞的集成电路结构的方法中的各种操作的截面图。
[0034]图22A
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图22D示出了根据本公开的实施例的PMOS鳍状物端部应力源电介质插塞的示例性结构的截面图。
[0035]图23A示出了根据本公开的另一实施例的具有鳍状物端部应力诱发特征的另一半导体结构的截面图。
[0036]图23B示出了根据本公开的另一实施例的具有鳍状物端部应力诱发特征的另一半导体结构的截面图。
[0037]图24A示出了根据本公开的实施例的具有单轴拉伸应力的鳍状物的倾斜视图。
[0038]图24B示出了根据本公开的实施例的具有单轴压缩应力的鳍状物的倾斜视图。
[0039]图25A和图25B示出了根据本公开的实施例的表示对用于在选择栅极线切口位置形成局部隔离结构的具有单栅极间隔的鳍状物的图案化的方法中的各种操作的平面图。
[0040]图26A
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图26C示出了根据本公开的实施例的针对图25B的结构的各个区域的用于多切口和鳍状物修剪隔离(FTI)局部鳍状物切口位置和仅多切口位置的电介质插塞的各种可能性的截面图。
[0041]图27A示出了根据本公开的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，包括：包括硅的第一鳍状物；包括硅的第二鳍状物；所述第一鳍状物与所述第二鳍状物之间的绝缘结构；所述第一鳍状物上的第一外延源极或漏极结构，所述第一外延源极或漏极结构和所述第一鳍状物在第一界面处相接；所述第二鳍状物上的第二外延源极或漏极结构，所述第二外延源极或漏极结构和所述第二鳍状物在第二界面处相接；电介质材料层，其从所述第一界面上方、但在所述第一外延源极或漏极结构的顶部下方，沿着所述第一鳍状物的侧壁的一部分，在所述绝缘结构上，沿着所述第二鳍状物的侧壁的一部分，连续延伸到所述第二界面上方、但在所述第二外延源极或漏极结构的顶部下方。2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述电介质材料层直接在所述第一鳍状物的所述侧壁的所述部分上，并且其中，所述电介质材料层直接在所述第二鳍状物的所述侧壁的所述部分上。3.根据权利要求1
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2中任一项所述的集成电路结构，其中，所述第一外延源极或漏极结构横向延伸超过电介质材料层的沿着所述第一鳍状物的所述侧壁的所述部分的所述部分，并且其中，所述第二外延源极或漏极结构横向延伸超过电介质材料层的沿着所述第二鳍状物的所述侧壁的所述部分的所述部分。4.根据权利要求1
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2中任一项所述的集成电路结构，其中，所述电介质材料层包括硅和氮。5.根据权利要求1
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2中任一项所述的集成电路结构，其中，所述绝缘结构包括硅和氧。6.一种集成电路结构，包括：包括硅的第一鳍状物；包括硅的第二鳍状物；所述第一鳍状物与所述第二鳍状物之间的绝缘结构；第一源极或漏极结构，所述第一源极或漏极结构的至少一部分直接在所述第一鳍状物上方并与所述第一鳍状物接触，所述第一源极或漏极结构包括硅和锗；所述第二鳍状物上的第二源极或漏极结构，所述第二源极或漏极结构的至少一部分直接在所述第二鳍状物上方并与所述第二鳍状物接触，所述第二源极或漏极结构包括硅和锗；电介质材料层，其从与所述第一源极或漏极结构的一部分横向相邻但在所述第一源极或漏极结构的顶部下方的第一位置，沿着所述第一鳍状物的侧壁的一部分，在所述绝缘结构上，沿着所述第二鳍状物的侧壁的一部分，连续延伸到与所述第二源极或漏极结构的一部分横向相邻但在所述第二源极或漏极结构的顶部下方的第二位置。7.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中，所述电介质材料层直接在所述第一鳍状物的所述侧壁的所述部分上，并且其中，所述电介质材料层直接在所述第二鳍状物的所述侧壁的所述部分上。8.根据权利要求6
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7中任一项所述的集成电路结构，其中，所述第一源极或漏极结构横向延伸超过电介质材料层的沿着所述第一鳍状物的所述侧壁的所述部分的所述部分，并且
其中，所述第二源极或漏极结构横向延伸超过电介质材料层的沿着所述第二鳍状物的所述侧壁的所述部分的所述部分。9.根据权利要求6
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7中任一项所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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