一种单芯片DAF胶带粘晶方法技术

本发明专利技术公开了一种单芯片DAF胶带粘晶方法，属于半导体封装技术领域，通过将待粘晶的单芯片贴附在经过预处理DAF胶带上，实现单芯片与DAF胶带的贴合，然后通过传统的粘晶工艺实现芯片与载体的紧密粘接。通过本发明专利技术的实施，有效解决了单芯片无法预先贴附DAF胶带进行粘晶的问题，从而解决了单芯片粘晶工艺中容易出现的溢胶、翻胶、胶层不均、空洞等问题。本发明专利技术方法是一种使用DAF胶带进行单芯片粘晶的新思路、新方法。应用本发明专利技术方法对于单芯片的粘晶，可以将底部空洞率控制在5％以内，胶层均匀性控制在10％，溢胶范围不超过20μm，杜绝翻胶的发生。胶的发生。胶的发生。

【技术实现步骤摘要】
一种单芯片DAF胶带粘晶方法


[0001]本专利技术属于半导体封装
，涉及一种单芯片DAF胶带粘晶方法。

技术介绍

[0002]目前半导体器件典型的封装过程包括晶圆减薄、划片、粘晶、引线键合、包封。传统的芯片粘晶过程主要有两种方式，一种是在芯片载体上预先点涂液态粘片胶，之后将芯片放置在上面，最后固化粘片胶以固定芯片；另一种是使用带有粘片胶层的划片胶带(DAF胶带)，在晶圆减薄后将其贴附在晶圆背面使DAF胶带上的可分离半固态粘接层与芯片贴合，划片后单颗芯片带有粘接层可使芯片直接贴合在芯片载体上，最后通过固化粘接层以固定芯片。
[0003]其中方式一对于点胶胶量的控制、贴片精度要求很高，会存在溢胶、翻胶、胶层不均等问题；方式二相较于方式一改变了施胶方式，将原先的在芯片载体上点涂液态胶替换为在芯片背面预置半固态胶膜的方法，此种方式对于超薄芯片、芯片叠层封装的粘接情形尤其适用。但是方式二对加工对象有限制要求，预置胶膜只能以晶圆为加工对象，限制了以单芯片为对象的DAF胶膜粘晶工艺的应用。

技术实现思路

[0004]为了克服上述现有技术中，溢胶、翻胶、胶层不均和适用范围小的缺点，本专利技术的目的在于提供一种单芯片DAF胶带粘晶方法。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案予以实现：
[0006]一种单芯片DAF胶带粘晶方法，包括如下步骤：
[0007]步骤1)将DAF胶带贴附在绷片环上；
[0008]步骤2)将单颗芯片贴附在DAF胶带上，之后对载有单颗芯片的绷片环进行加热加压；
[0009]步骤3)步骤2)的加热加压结束后，将芯片取下进行粘晶。
[0010]进一步优选地，将绷片环上贴附好的DAF胶带切割成若干个小方块。
[0011]优选地，小方块的尺寸为0.05mm
×
0.05mm。
[0012]优选地，加热加压后，对DAF胶带层进行裁划；
[0013]裁划的尺寸大于芯片尺寸0～100μm。
[0014]优选地，步骤2)中，所述裁划是在晶圆划片机上进行的。
[0015]优选地，步骤2)中，加热加压的条件参数为：温度60～90℃；压力0.1Mpa；时间3～10秒。
[0016]优选地，步骤3)中，取下芯片具体是利用UV光照射DAF胶带的背面；
[0017]UV光照射的强度＞120mW/cm2。
[0018]优选地，步骤2)中，单颗芯片利用吸取放置装置进行贴附；
[0019]具体操作过程为：利用吸取放置装置吸取单颗芯片正面，背面朝下贴附在DAF胶带
上。
[0020]与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
[0021]本专利技术公开了一种单芯片DAF胶带粘晶方法，通过将待粘晶的单芯片贴附在经过预处理DAF胶带上，实现单芯片与DAF胶带的贴合，然后通过传统的粘晶工艺实现芯片与载体的紧密粘接。通过本专利技术的实施，有效解决了单芯片无法预先贴附DAF胶带进行粘晶的问题，从而解决了单芯片粘晶工艺中容易出现的溢胶、翻胶、胶层不均、空洞等问题。本专利技术方法是一种使用DAF胶带进行单芯片粘晶的新思路、新方法。应用本专利技术方法对于单芯片的粘晶，可以将底部空洞率控制在5％以内，胶层均匀性控制在10％，溢胶范围不超过20μm，杜绝翻胶的发生。
[0022]进一步地，将绷片环上贴附好的DAF胶带切割成若干个小方块，用于分割大块的粘接层便于粘接层与胶带基材分离。
[0023]进一步地，加热加压后，对DAF胶带层进行裁划，使得芯片背面的胶粘层与其它位置胶粘层分离便于芯片取下。
附图说明
[0024]图1为本专利技术的单芯片粘贴DAF胶带示意图；
[0025]图2为本专利技术实施例1作业过程的示意图；
[0026]图3为本专利技术实施例2作业过程的示意图。
[0027]其中：1
‑
DAF胶带；2
‑
DAF胶带胶粘层；3
‑
芯片。
具体实施方式
[0028]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0029]需要说明的是，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0030]下面结合附图对本专利技术做进一步详细描述：
[0031]实施例1
[0032]一种单芯片DAF胶带粘晶方法，包括如下步骤：如图2所示，
[0033]步骤1)：将UV光敏性的DAF胶带1贴附在绷片环上，将绷片环上贴附好的DAF胶带在晶圆划片机上将DAF胶带胶粘层2切割成0.05mm
×
0.05mm尺寸的小方块。
[0034]步骤2)：利用吸取放置装置吸取单颗芯片3正面，背面朝下贴附在切割完成的DAF胶带上，在温度60℃、压力0.1Mpa下加热加压10秒，此时DAF胶带的粘接层与芯片粘附力增强。
[0035]步骤3)：从胶带背面贴附芯片处照射UV光，UV光照射的强度＞120mW/cm2，使DAF胶
带粘接层与胶带基材之间粘附力下降，之后按照常规取芯方式将芯片取下进行后续的粘晶动作，此时DAF胶带的粘接层被转移到芯片背面。
[0036]实施例2
[0037]一种单芯片DAF胶带粘晶方法，如图3所示，包括如下步骤：
[0038]步骤1)：将UV光敏性的DAF胶带1贴附在绷片环上，利用吸取放置装置吸取单颗芯片正面，背面朝下贴附在DAF胶带上，在温度90℃、压力0.1Mpa下加热加压3秒，此时DAF胶带胶粘层2与芯片3的粘附力增强。
[0039]步骤2)：在晶圆划片机上按照比芯片尺寸大10μm的尺寸将DAF胶层裁划开。
[0040]步骤3)：从胶带背面贴附芯片处照射UV光，UV光照射的强度＞120mW/cm2，使DAF胶带粘接层与胶带基材之间粘附力下降，之后按照常规取芯方式将芯片取下进行后续的粘晶动作，此时DAF胶带的粘接层被转移到芯片背面。
[0041]实施例3
[0042]一种单芯片DAF胶带粘晶方法，如图1所示，包括如下步骤：
[0043]步骤1)：将UV光敏性的DAF胶带1贴附在绷片环上，将绷片环上贴附好的DAF胶带在晶圆划片机上将DAF胶带胶粘层2切割成0.05mm
×
0.05mm尺寸的小方块。
[0044]步骤2)：利用吸取放置装置吸取单颗芯片3正面，背面朝下贴附在切割完成的DAF胶带上，在温度7本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单芯片DAF胶带粘晶方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)将DAF胶带贴附在绷片环上；步骤2)将单颗芯片贴附在DAF胶带上，之后对载有单颗芯片的绷片环进行加热加压；步骤3)步骤2)的加热加压结束后，将芯片取下进行粘晶。2.根据权利要求1所述的单芯片DAF胶带粘晶方法，其特征在于，步骤1)中，将绷片环上贴附好的DAF胶带切割成若干个小方块。3.根据权利要求2所述的单芯片DAF胶带粘晶方法，其特征在于，步骤1)中，小方块的尺寸为0.05mm
×
0.05mm。4.根据权利要求1所述的单芯片DAF胶带粘晶方法，其特征在于，步骤3)中，加热加压后，对DAF胶带层进行裁划；裁划的尺寸大于芯片尺寸...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅志鹏，岳永豪，张宁，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：