本公开实施例公开了一种OLED器件结构，包括：第一电极；自组装层，位于所述第一电极之上；第一传输层，位于所述自组装层之上；发光层，位于所述第一传输层之上；第二传输层，位于所述发光层之上；第二电极，位于所述第二传输层之上。还公开了一种OLED显示面板和一种显示装置，包括前述的OLED显示面板。通过在OLED器件结构中设置自取向的自组装层以及选择特定的材料，可以达到了如下技术效果：改进电洞的注入效率，降低驱动电压；增大电子和电洞移动率，进而使发光效率会增加；增加外部光耦合效率增加出光率，提升了外量子效率。提升了外量子效率。提升了外量子效率。
【技术实现步骤摘要】
一种OLED器件结构、显示面板及显示装置
[0001]本公开涉及显示领域，尤其涉及一种一种OLED器件结构、显示面板及显示装置。
技术介绍
[0002]随着人们生活水平的不断提升,显示面板和照明系统的健康智能显示技术的大面积化、超薄化以及柔性化的市场要求将逐步成为人们生活的迫切需求。全球LCD(Liquid-crystal display液晶)面板需求停滞，面临产能过剩的危机。新型显示技术成为各大公司研发重心所在，其中有机电致发光二极管或有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)凭借其自身驱动电压低、效率高、响应速度快、宽视角、轻薄且可大面积化以及可实现柔性显示等优势，而受到了科学界的广泛关注并得到了快速的发展。
[0003]现有OLED显示主要有底发光和顶发光两种，其中底发光OLED显示器是OLED产生的光穿过阳极ITO后从驱动背板TFT(薄膜晶体管)基板侧发出，而顶发光OLED的光源是穿透OLED器件的阴极发出。一般OLED器件的结构如图1所示，通常由玻璃基底，透光性好的氧化铟锡(Indium tinoxide,ITO)阳极(Anode)，空穴传输层或电洞传输层(holetransportation layer-HTL)，有机发光层或发光层(emitting layer-EML)，电子传输层(electron transportation layer-ETL)和金属铝、银或金作阴电极或阴极(cathode)组成；为了使OLED器件性能进行进一步优化，在空穴传输层前再添加一层空穴注入层或电洞注入层(hole injectionlayer-HIL)和在电子传输层前再添加一层电子注入层(electroninjection layer-EIL)，单层直接单次堆积即可，叠层即多次进行堆积。
[0004]OLED器件的能级结构如图2所示，电子从金属阴极注入，空穴从ITO 阳极注入，分别通过电子传输层和空穴传输层，然后在有机发光层中相遇，再形成激发态发光。
[0005]现有OLED器件除了阴阳极外，各层别均为有机材料，而有机材料均存在电荷注入电流困难的情况，尤其电洞注入层和阳极之间存在电荷注入困难的问题，驱动电压过高，材料内耗严重导致寿命缩短。因此一个效率好且高寿命的有机发光二极体元件不仅需要在材料方面进行改进，其中器件结构设计也需要最优化。
技术实现思路
[0006]为克服相关技术中的至少部分缺陷和不足，本公开的实施例提供一种一种OLED器件结构、显示面板及显示装置。
[0007]本公开提供了一种OLED器件结构，包括：
[0008]第一电极；
[0009]自组装层，位于所述第一电极之上；
[0010]第一传输层，位于所述自组装层之上；
[0011]发光层(emitting layer-EML)，位于所述第一传输层之上；
[0012]第二传输层，位于所述发光层之上；
[0013]第二电极，位于所述第二传输层之上。
[0014]在本专利技术的一个实施例中，所述第一传输层与所述自组装层之间还具有第一注入层；所述第二传输层与所述第二电极之间还具有第二注入层；所述自组装层的采用的材料在制程中易水平取向。
[0015]在本专利技术的一个实施例中，所述自组装层的材料为含氮或硫的杂环共轭长链线性分子；所述自组装层的制程为蒸镀或者溶液涂覆工艺。
[0016]在本专利技术的一个实施例中，所述含氮或硫的杂环共轭长链线性分子材料包括：BDAVBi(4,4双(4-(二苯胺)苯乙烯基)联苯)；PEBA(4-(2,2-二苯乙基)-N,N-双(4-甲苯基)苯胺)；CBP(4,4双(N-咔唑)联苯)； PEDOT:PSS(聚乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸)；Bpy-OXD(1,3-双[2-(2,2
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双吡啶-6)-1,3,4-氧重氮-5]苯)。
[0017]在本专利技术的一个实施例中，所述第一电极为阳极(Anode)；所述第一注入层为电洞注入层(hole injection layer-HIL)；所述第一传输层为电洞传输层(hole transportation layer-HIL)；所述第二传输层为电子传输层(electron transportation layer-ETL)；所述第二注入层为电子注入层(electron injection layer-EIL)；所述第二电极为阴极(cathode)。
[0018]在本专利技术的一个实施例中，所述阳极适用的材料包括：氧化铟锡、氧化铟锌和氧化锌中的一种或多种；所述电洞注入层适用的材料包括： CuPc((29H,31H-phthalocyaninato(2-)-N29,N30,N31,N32)copper)(29, 31氢酞菁基-29,30,31,32,氮)铜和TNATA (4,4',4
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Tris[2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine)(4,4
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三羟基甲基氨基[2-萘氧基乙酸(苯基)氨基]三苯胺)中的一种或多种；所述电洞传输层适用的材料包括：NPB((N,N'-Bis
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(1-naphthalenyl)-N,N'-bis-phenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine) (N,N
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双(1-苯乙烯基)-N，N
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双-苯基-(1,1
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联苯)-4,4
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二胺))、 TPTE(N,N'-bis(Phenyl)-N,N'-bis(4'-(N,N-bis(Phenylamino) biphenyl-4-yl)benzidine)(N,N
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双苯基-双(N,N-双(苯氨基)联苯-4
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苯)联苯胺)、spiro-TAD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-9,9-spirobifluorene-2,7
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双(3-甲苯基)-N,N
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双苯基-9,9-螺二芴-2,7-双氨)、 BFA-1T(2(2(4,4-Dimethyl-N,N'-diphenyl)-phenylthiophen) (2(2(N,N
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双苯基-4,4
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3-基苯基)苯))、PTDATA (N1-Phenyl-N4,N4-bis(4-(phenyl(m-tolyl)amino)phenyl)-N1本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种OLED器件结构，其特征在于，包括：第一电极；自组装层，位于所述第一电极之上；第一传输层，位于所述自组装层之上；发光层，位于所述第一传输层之上；第二传输层，位于所述发光层之上；第二电极，位于所述第二传输层之上。2.根据权利要求1所述的OLED器件结构，其特征在于，所述第一传输层与所述自组装层之间还具有第一注入层；所述第二传输层与所述第二电极之间还具有第二注入层；所述自组装层的采用的材料在制程中易水平取向。3.根据权利要求2所述的一种OLED器件结构，其特征在于，所述自组装层的材料为含氮或硫的杂环共轭长链线性分子；所述自组装层的制程为蒸镀或者溶液涂覆工艺。4.根据权利要求3所述的一种OLED器件结构，其特征在于，所述含氮或硫的杂环共轭长链线性分子材料包括：BDAVBi(4,4双(4-(二苯胺)苯乙烯基)联苯)；PEBA(4-(2,2-二苯乙基)-N,N-双(4-甲苯基)苯胺)；CBP(4,4双(N-咔唑)联苯)；PEDOT:PSS(聚乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸)；Bpy-OXD(1,3-双[2-(2,2
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双吡啶-6)-1,3,4-氧重氮-5]苯)。5.根据权利要求4所述的OLED器件结构，其特征在于，所述第一电极为阳极；所述第一注入层为电洞注入层；所述第一传输层为电洞传输层；所述第二传输层为电子传输层；所述第二注入层为电子注入层；所述第二电极为阴极。6.根据权利要求5所述的一种OLED器件结构，其特征在于，所述阳极适用的材料包括：氧化铟锡、氧化铟锌和氧化锌中的一种或多种；所述电洞注入层适用的材料包括：CuPc(29,31氢酞菁基-29,30,31,32,氮)铜和TNATA(4,4
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【专利技术属性】
技术研发人员：蔡奇哲，姜雪，
申请(专利权)人：咸阳彩虹光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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