本发明专利技术涉及一种化合物及其应用,所述化合物具有式(1)所示的结构,所述X为CH或N,所述L选自单键、取代或未取代的C6~C60亚芳基、取代或未取代的C3~C60亚杂芳基中的一种,所述Ar选自取代或未取代的C6~C60芳基、取代或未取代的C3~C60杂芳基中的一种。本发明专利技术提供的化合物应用于OLED器件时,能够有效的提高器件效率,降低驱动电压,是一种性能良好的电子传输材料。。。
【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其应用
[0001]本专利技术涉及有机电致发光
,特别涉及一种化合物及其应用。
技术介绍
[0002]有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件是一类具有类三明治结构的器件,包括正负电极膜层及夹在电极膜层之间的有机功能材料层。对OLED器件的电极施加电压,正电荷从正极注入,负电荷从负极注入,在电场作用下正负电荷在有机层中迁移相遇复合发光。由于OLED器件具有亮度高、响应快、视角宽、工艺简单、可柔性化等优点,在新型显示
和新型照明
备受关注。目前,该技术已被广泛应用于新型照明灯具、智能手机及平板电脑等产品的显示面板,进一步还将向电视等大尺寸显示产品应用领域扩展,是一种发展快、技术要求高的新型显示技术。
[0003]随着OLED在照明和显示两大领域的不断推进,人们对于其核心材料的研究也更加关注。这是因为一个效率好、寿命长的OLED器件通常是器件结构以及各种有机材料的优化搭配的结果,这就为化学家们设计开发各种结构的功能化材料提供了极大的机遇和挑战。常见的功能化有机材料有:空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料,电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。
[0004]为了制备驱动电压更低、发光效率更好、器件使用寿命更长的OLED发光器件,实现OLED器件的性能不断提升,不仅需要对OLED器件结构和制作工艺进行创新,更需要对OLED器件中的光电功能材料不断研究和创新,以制备出具有更高性能的功能材料。基于此,OLED材料界一直致力于开发新的有机电致发光材料以实现器件低启动电压、高发光效率和更优的使用寿命。
[0005]为了进一步满足对OLED器件的光电性能不断提升的需求,以及移动化电子器件对于节能的需求,需要不断地开发新型的、高效的OLED材料,其中开发新的具有高电子注入能力和高迁移率的电子传输材料具有很重要的意义。
技术实现思路
[0006]本专利技术的目的之一在于提供一种化合物,所述化合物应用于OLED器件时能够提高发光效率,降低驱动电压。
[0007]为达此目的,本专利技术采用以下技术方案:
[0008]一种化合物,具有式(1)所示的结构;
[0009][0010]式(1)中,所述X为CH或N;
[0011]所述L选自单键、取代或未取代的C6~C60亚芳基、取代或未取代的C3~C60亚杂芳基中的一种;优选的,L选自单键、取代或未取代的C6~C30亚芳基、取代或未取代的C3~C30亚杂芳基中的一种;
[0012]所述Ar选自取代或未取代的C6~C60芳基、取代或未取代的C3~C60杂芳基中的一种;优选的,Ar选自取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C3~C30杂芳基中的一种;
[0013]所述R、R1和R2各自独立地选自H、氘、取代或未取代的C1~C12链状烷基、取代或未取代的C3~C12环烷基、取代或未取代的C1~C12链状烷氧基、取代或未取代的C3~C12环烷氧基、取代或未取代C1~C12硅烷基、卤素、羰基、氰基、羟基、硝基、氨基、酰基、取代或未取代的C6~C60芳基、取代或未取代的C3~C60杂芳基中的一种;n为0-2的整数;
[0014]当上述基团存在取代基团时,所述取代基团选自卤素、氰基、羰基、C1~C12的链状烷基、C3~C12的环烷基、C2~C10烯基、C1~C10的烷氧基或硫代烷氧基、C6~C30芳基氨基、C3~C30杂芳基氨基、C6~C30的单环芳基或稠环芳基、C3~C30的单环杂芳基或稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。
[0015]进一步优选的,本专利技术式(1)所示的化合物具有下式(2)所示的结构:
[0016][0017]式(2)中,所述X、L、Ar、R1和R2的定义均与在式(1)中的定义相同;
[0018]所述R3和R4各自独立地选自H、氘、取代或未取代的C1~C12链状烷基、取代或未取代的C3~C12环烷基、取代或未取代的C1~C12链状烷氧基、取代或未取代的C3~C12环烷氧基、取代或未取代C1~C12硅烷基、卤素、羰基、氰基、羟基、硝基、氨基、酰基、取代或未取代的C6~C60芳基、取代或未取代的C3~C60杂芳基中的一种。
[0019]进一步优选的,本专利技术式(2)所示的化合物具有下式(2-1)或(2-2)所示的结构:
[0020][0021]式(2-1)和(2-2)中,所述X、L、R1、R2、R3和R4的定义均与在式(2)中的定义相同;
[0022]式(2-1)中,所述Y1、Y2、Y3、Y4和Y5各自独立地选自CR5或N,且Y
1-Y5中至少一个为N,R5选自氢、取代或未取代的C1~C12链状烷基、取代或未取代的C3~C12环烷基、取代或未取代的C1~C12链状烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、取代或未取代的C1~C12硅烷基、氨基、取代或未取代的C6~C30芳基氨基、取代或未取代的C3~C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C3~C30杂芳基中的一种,两个相邻的R5之间可以稠合成环;
[0023]式(2-2)中,所述Z1、Z2、Z3、Z4和Z5各自独立地选自CR6或N,且Z
1-Z5中至少一个为N,R6选自氢、取代或未取代的C1~C12链状烷基、取代或未取代的C3~C12环烷基、取代或未取代的C1~C12链状烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、取代或未取代的C1~C12硅烷基、氨基、取代或未取代的C6~C30芳基氨基、取代或未取代的C3~C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C3~C30杂芳基中的一种,两个相邻的R6之间可以稠合成环;
[0024]当上述基团存在取代基团时,所述取代基团选自卤素、氰基、羰基、C1~C12的链状烷基、C3~C12的环烷基、C2~C10烯基、C1~C10的烷氧基或硫代烷氧基、C6~C30芳基氨基、C3~C30杂芳基氨基、C3~C30的单环杂芳基或稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。
[0025]再进一步优选的,所述式(1)、(2)、(2-1)和(2-2)中:
[0026]L选自单键或者取代或未取代的下述基团中的一种:亚苯基、亚萘基、亚吡啶基、亚联苯基;
[0027]再进一步优选的,上述的R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自氢或者下述取代基团:甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、环戊基、新戊基、正己基、环己基、新己基、正庚基、环庚基、正辛基、环辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、苯基、萘基、蒽基、苯并蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、窟基、茈基、荧蒽基、并四苯基、并五苯基、苯并芘基、联苯基、偶苯基、三联苯基、三聚苯基、四联苯基、芴基、螺二芴基、二氢菲基、二氢芘基、四氢芘基、顺式或反式茚并芴基、三聚茚基、异三聚茚基、螺三聚茚基、螺异三聚茚基、呋喃基、苯并呋喃基、本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种通式化合物,如下式(1)所示:式(1)中,所述X为CH或N;所述L选自单键、取代或未取代的C6~C60亚芳基、取代或未取代的C3~C60亚杂芳基中的一种;所述Ar选自取代或未取代的C6~C60芳基、取代或未取代的C3~C60杂芳基中的一种;优选Ar选自取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C3~C30杂芳基中的一种;所述R、R1和R2各自独立地选自H、氘、取代或未取代的C1~C12链状烷基、取代或未取代的C3~C12环烷基、取代或未取代的C1~C12链状烷氧基、取代或未取代的C3~C12环烷氧基、取代或未取代C1~C12硅烷基、卤素、羰基、氰基、羟基、硝基、氨基、酰基、取代或未取代的C6~C60芳基、取代或未取代的C3~C60杂芳基中的一种;n为0-2的整数;当上述基团存在取代基团时,所述取代基团选自卤素、氰基、羰基、C1~C12的链状烷基、C3~C12的环烷基、C2~C10烯基、C1~C10的烷氧基或硫代烷氧基、C6~C30芳基氨基、C3~C30杂芳基氨基、C6~C30的单环芳基或稠环芳基、C3~C30的单环杂芳基或稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。2.根据权利要求1所述的化合物,所述化合物具有式(2)所示的结构:式(2)中,所述X、L、Ar、R1和R2的定义均与在式(1)中的定义相同;所述R3和R4各自独立地选自H、氘、取代或未取代的C1~C12链状烷基、取代或未取代的C3~C12环烷基、取代或未取代的C1~C12链状烷氧基、取代或未取代的C3~C12环烷氧基、取代或未取代C1~C12硅烷基、卤素、羰基、氰基、羟基、硝基、氨基、酰基、取代或未取代的C6~C60芳基、取代或未取代的C3~C60杂芳基中的一种。3.根据权利要求2所述的化合物,所述化合物具有式(2-1)或(2-2)所示的结构:
式(2-1)和(2-2)中,所述X、L、R1、R2、R3和R4的定义均与在式(2)中的定义相同;式(2-1)中,所述Y1、Y2、Y3、Y4和Y5各自独立地选自CR5或N,且Y
1-Y5中至少一个为N,R5选自氢、取代或未取代的C1~C12链状烷基、取代或未取代的C3~C12环烷基、取代或未取代的C1~C12链状烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、取代或未取代的C1~C12硅烷基、氨基、取代或未取代的C6~C30芳基氨基、取代或未取代的C3~C30杂芳基氨基、取代...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙恩涛,方仁杰,刘叔尧,吴俊宇,
申请(专利权)人:北京鼎材科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。