吡喃衍生物制造技术

公开了一种能易于应用真空汽相沉积且呈长波长光的发光化合物。另外，还公开了不具有由于汽相沉积期间发光化合物的碳化导致的劣质发光性能的发光元件；以及包括该发光元件的发光设备。吡喃衍生物由右述通式１表示：其中Ｒ↑［１］是氢元素或烷氧基。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
1.专利
本专利技术涉及吡喃衍生物，尤其是呈现长波长的光的吡喃衍生物。进一步，本专利技术涉及一种包含吡喃衍生物的发光元件。2.相关的现有技术利用电致发光元件(发光元件)发出光的发光设备已由于其可作为照明或显示图像的设备而引起关注。近年来，在发光设备的研发领域，能显示高品质全色图像的发光设备的研发速度加快，从而保证了各种信息处理设备的显示设备比如电视机或汽车导航系统的市场。为了从发光设备获得全色图像，需要独立提供能分别呈现至少三种主要的颜色—红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的区域，从而在适当的时候发光。已经开发出能提供上述呈现三种主要颜色区域的各种方法。提供上述区域的一种方法是制成层体，每一层含有在不同位置显示不同颜色的发光化合物，从而提供了含有各个独立层的发光元件。对于使用上述方法的情况，需要根据各个发射颜色选择发光化合物。因此，开发了呈各种波长范围内发射光的发光材料。例如，对于呈红光发射的材料，例如在日本公布的申请号2001-19946的未审查专利中公开的双-4H-吡喃衍生物已经研制出来。但是，在日本公布的申请号2001-19946的未审查专利中公开的一些双-4H-吡喃衍生物由于其在汽相沉积期间易于被碳化，从而难以通过真空汽相沉积制成薄膜。对于使用这种易被碳化的发光材料的情况，焦油状物质易于粘附在蒸发源上。因此，更换蒸发源的频率增加。结果出现了一个问题需要越多的沉积发光材料，则材料的使用效率越低。另外，还出现了另一个问题由于碳化的发光材料使得不能获得良好的发光性能等。因此，需要开发一种发光材料，其不仅能呈现具有良好发光性能的发射光，还能易于应用真空汽相沉积。专利技术概述本专利技术的一个目的是提供一种能易于应用真空汽相沉积且呈长波长光的发光化合物。本专利技术的进一步的目的是提供一种发光元件，其不具有由于汽相沉积期间发光材料的碳化导致的劣质发光性能；以及包括该发光元件的发光设备。下面将讲解本专利技术本专利技术的发光化合物和发光元件。在本文中所用的术语“发光化合物”是指在骨架上具有发光性能取代基并且能放射光能的化合物。本专利技术一方面是由下述通式1表示的吡喃衍生物。 其中R1是氢元素或烷氧基。本专利技术的上述吡喃衍生物呈现560-780nm的长波长光。该吡喃衍生物是易于在比常规吡喃衍生物更低的温度升华的物质。特别是，根据TG-DTA测量的重量和温度间关系，该吡喃衍生物是那些在正常压力和450℃或更低温度下的重量与失重开始时的重量相比达到50％或更低的物质。另外，该吡喃衍生物是在温差100℃或更少温度之内那些重量与失重开始时的重量相比达到50％或更低的物质。本专利技术的另一方面是利用本专利技术的由上述通式1、结构式2或结构式3中任何一个表示的吡喃衍生物的发光元件。 本专利技术的吡喃衍生物可独自或与具有高载体传递性能的物质联合用作发光元件。对于发光元件，具有在一对电极间插入多层的结构的发光元件的实例可被认为是代表性的。在本文中所用的术语“多层”是指包含本专利技术吡喃衍生物的层，并且这些层是由含有具有高载体(空穴和电子)注入性能物质或具有高载体(空穴和电子)传递性能物质的层制成。另外，在本专利技术的发光元件中，本专利技术的吡喃衍生物可独立地包含在层中，或包含在具有高载体传递性能物质的混合层中。但是，发光元件的结构不局限于上述结构。例如，可制成具有下述结构的发光元件，其中在一对电极间仅插入含有本专利技术吡喃衍生物和具有高载体传递性能物质的混合层。使用呈现560-780nm的长波长光的本专利技术吡喃衍生物可作为呈红光发射的发光元件应用于发光设备中。如上所述，本专利技术的吡喃衍生物在汽相沉积期间很难碳化并且易于通过真空汽相沉积形成薄膜。因此，本专利技术的吡喃衍生物可有效的用作材料，并且可提供使用该低生产成本的吡喃衍生物的发光元件和发光设备。由于发光化合物很难碳化，发光元件和包含该发光元件的发光设备不具有由于碳化导致的劣质发光性能。根据本专利技术，发光化合物易于应用真空汽相沉积，并且可呈现所得的长波长光。根据本专利技术，可避免由于发光化合物的碳化而导致的材料的使用低效率，并且可获得低生产成本的发光元件和包含该发光元件的发光设备。根据本专利技术，可获得一种发光元件，其不具有由于发光化合物的碳化导致的劣质发光性能。可获得通过包含该发光元件而可显示优良图像的发光设备。通过阅读下述的详细描述及附图，本专利技术的这些目的、特征和优点会更加清楚明显。附图简介附图说明图1A到1C是显示根据本专利技术某一方面的发光元件的层结构示意图；图2是显示根据本专利技术某一方面的发光元件的层结构示意图；图3显示了根据本专利技术某一方面的吡喃衍生物的吸收和发射光谱；图4显示了根据TG/-DTA测量根据本专利技术某一方面的吡喃衍生物的结果；图5显示了根据本专利技术某一方面的吡喃衍生物的吸收和发射光谱；图6显示了根据TG/-DTA测量根据本专利技术某一方面的吡喃衍生物的结果；图7显示了根据TG/-DTA测量常规吡喃衍生物的结果；图8A和8B分别显示了使用根据本专利技术某一方面的吡喃衍生物的发光元件的电流-电压特性和亮度-电压特性；图9显示了使用根据本专利技术某一方面的吡喃衍生物的发光元件的吸收和发射光谱；图10A-10C是根据本专利技术某一方面的发光设备的横截面示意图；图11A和11B是根据本专利技术某一方面的发光设备的横截面示意图；图12是根据本专利技术某一方面的发光设备的象素部分的顶视图；图13是根据本专利技术某一方面的发光设备的象素部分的顶视图14A和14B是发光设备的象素部分的电路图；图15是根据本专利技术某一方面的发光设备的横截面示意图；图16显示了根据本专利技术某一方面的发光设备的结构布局；和图17显示了安装有根据本专利技术某一方面的发光设备的电器。专利技术详述实施方案1结构式2或3表示的吡喃衍生物是通式1表示的吡喃衍生物的具体实施例。 结构式2表示的吡喃衍生物是其中R1被烷氧基取代的通式1表示的吡喃衍生物。结构式3表示的吡喃衍生物是其中R1被氢元素取代的通式1表示的吡喃衍生物。上述结构式2、3表示的本专利技术吡喃衍生物呈现560-780nm的长波长光。该吡喃衍生物是易于在比常规吡喃衍生物更低的温度升华的物质。特别是，根据TG/-DTA测量的重量和温度间关系，该吡喃衍生物是与失重开始时的重量相比，在正常压力和450℃或更低温度下那些重量达到50％或更低的物质。另外，该吡喃衍生物是与失重开始时的重量相比，在温差100℃或更少温度之内那些重量达到50％或更低的物质。实施方案2这里讲解了使用本专利技术吡喃衍生物的发光元件的一个实施方案。该发光元件的结构不局限于下面所述。如图1A到1C所示，本专利技术的发光元件包括第一电极101，在第一电极101上依次形成的多元层(第一层102、第二层103、第三层104、第四层105、和第五层106)和在第五层106上形成的第二电极107。另外，在该实施方案中发光元件在基底100上制成。此外，在该实施方案中第一电极101用作阳极，并且第二电极107用作阴极。对于作为基底100的材料，除玻璃或石英之外可使用具有柔软性的塑料等。可使用其它材料用作基底100，只要其在生产发光元件过程中用作发光元件的支持介质。优选地，第一电极由具有大功函数(至少4.0eV)的金属，合金，具有电导性的化合物和上述材料的混合物制成。特别地，可使用ITO(铟锡氧化物)、含硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
由下述通式表示的吡喃衍生物：＊＊＊（１）其中Ｒ↑［１］是选自氢元素和烷氧基之一。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山县祥子，安部宽子，大泽信晴，野村亮二，濑尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]