一种提高抗挤压变形能力的纳米晶磁环外壳制造技术

技术编号:30041586 阅读:26 留言:0更新日期:2021-09-15 10:40
本实用新型专利技术涉及纳米晶磁环技术领域,且公开了一种提高抗挤压变形能力的纳米晶磁环外壳,包括整体式下壳体,所述整体式下壳体上侧的侧壁开设有安装槽,所述安装槽内设置有环形平片盖板,所述环形平片盖板与安装槽的槽壁紧密贴合,所述环形平片盖板上侧的侧壁与整体式下壳体上侧的侧壁齐平,所述环形平片盖板与整体式下壳体的材质相同。本实用新型专利技术能够有效的提高磁环外壳的抗变形性能,避免了磁环外壳变形挤压磁芯的问题。形挤压磁芯的问题。形挤压磁芯的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种提高抗挤压变形能力的纳米晶磁环外壳


[0001]本技术涉及纳米晶磁环
,尤其涉及一种提高抗挤压变形能力的纳米晶磁环外壳。

技术介绍

[0002]纳米晶磁环通过将共模电流转化为热量散发消耗的方式滤除线路中的共模电流,随着电子电路的蓬勃发展,电子电路中的EMC,共模电流等问题也越来越得到人们的重视。
[0003]现有的磁环外壳采用上下壳体扣合的结构,但由于纳米晶磁环在使用时其安装环境的空间通常十分狭小,所以为了保证纳米晶磁环的正常安装,需要尽量削减纳米晶磁环外壳壳体的厚度,而这个厚度是上壳体的整体厚度,从而导致上下壳体的厚度均较小,但是由于磁环外壳外需要绕铜线,现有的纳米晶磁环的外壳的厚度较小导致抗变形性能较差,所以铜线的压力会使外壳产生一定程度的变形,当变形后的磁环外壳挤压到磁芯时,会降低磁芯的性能。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是为了解决现有技术中磁环外壳抗变形性能较差导致磁环受到挤压的问题,而提出的一种提高抗挤压变形能力的纳米晶磁环外壳。
[0005]为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:
[0006]一种提高抗挤压变形能力的纳米晶磁环外壳,包括整体式下壳体,所述整体式下壳体上侧的侧壁开设有安装槽,所述安装槽内设置有环形平片盖板,所述环形平片盖板与安装槽的槽壁紧密贴合,所述环形平片盖板上侧的侧壁与整体式下壳体上侧的侧壁齐平,所述环形平片盖板与整体式下壳体的材质相同。
[0007]优选的,所述整体式下壳体的内壁固定连接有四个卡条,四个所述卡条均匀分布于整体式壳体的内壁,所述卡条的下端为锥形。
[0008]优选的,所述安装槽下侧的槽壁对称固定连接有定位卡块,所述环形平片盖板下侧的侧壁对称开设有两个与定位卡块相对应的定位卡槽,两个所述定位卡块分别插入两个定位卡槽内。
[0009]优选的,所述环形平片盖板上侧的侧壁固定连接有两个L型扣板,两个所述L型扣板的朝向相反。
[0010]优选的,所述环形平片盖板下侧的侧壁固定连接环形橡胶垫圈。
[0011]优选的,所述整体式下壳体的壁厚与环形平片盖板的厚度相同。
[0012]与现有技术相比,本技术提供了一种提高抗挤压变形能力的纳米晶磁环外壳,具备以下有益效果:
[0013]该提高抗挤压变形能力的纳米晶磁环外壳,通过设置的整体式下壳体、安装槽和环形平片盖板,使用时,相对于传统的外壳的上盖盖着下盖的结构(如图1所示),原本由上盖薄壁与下盖薄壁重叠形成的厚壁壁改成了整体式厚壁,增大外壳强度,同时将上盖改为
环形平片式结构,受力时环形平片盖板会防止下盖开口内向磁芯挤压,计算机有限元仿真分析结果显示,同等受力情况下,传统结构外壳的变形量为0.0402毫米;同等受力情况下,新型构造外壳的变形量为0.0363毫米,相较于传统构造外壳,变形量减少9.7015%,所以能够有效的提高磁环外壳的抗变形性能,避免了磁环外壳变形挤压磁芯的问题。
[0014]该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现,本技术能够有效的提高磁环外壳的抗变形性能,避免了磁环外壳变形挤压磁芯的问题。
附图说明
[0015]图1为为传统纳米晶磁环外壳构造示意图;
[0016]图2为本技术提出的一种提高抗挤压变形能力的纳米晶磁环外壳的结构示意图;
[0017]图3为图1中A部分的结构示意图。
[0018]图中:1整体式下壳体、2安装槽、3环形平片盖板、4卡条、5定位卡块、6定位卡槽、7L型扣板、8环形橡胶垫圈。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。
[0020]在本技术的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。
[0021]参照图1

3,一种提高抗挤压变形能力的纳米晶磁环外壳,包括整体式下壳体1,所述整体式下壳体1上侧的侧壁开设有安装槽2,所述安装槽2内设置有环形平片盖板3,所述环形平片盖板3与安装槽2的槽壁紧密贴合,所述环形平片盖板3上侧的侧壁与整体式下壳体1上侧的侧壁齐平,所述环形平片盖板3与整体式下壳体1的材质相同,使用时,相对于传统的外壳的上盖盖着下盖的结构(如图1所示),原本由上盖薄壁与下盖薄壁重叠形成的厚壁壁改成了整体式厚壁,增大外壳强度,同时将上盖改为环形平片式结构,受力时环形平片盖板3会防止下盖开口内向磁芯挤压,计算机有限元仿真分析结果显示,同等受力情况下,传统结构外壳的变形量为0.0402毫米;同等受力情况下,新型构造外壳的变形量为0.0363毫米,相较于传统构造外壳,变形量减少9.7015%,所以能够有效的提高磁环外壳的抗变形性能,避免了磁环外壳变形挤压磁芯的问题。
[0022]所述整体式下壳体1的内壁固定连接有四个卡条4,四个所述卡条4均匀分布于整体式壳体1的内壁,所述卡条4的下端为锥形。
[0023]所述安装槽2下侧的槽壁对称固定连接有定位卡块5,所述环形平片盖板3下侧的侧壁对称开设有两个与定位卡块5相对应的定位卡槽6,两个所述定位卡块5分别插入两个定位卡槽6内,能够提高环形平片盖板3安装的稳定性。
[0024]所述环形平片盖板3上侧的侧壁固定连接有两个L型扣板7,两个所述L型扣板7的
朝向相反,便于将环形平片盖板3取下。
[0025]所述环形平片盖板3下侧的侧壁固定连接环形橡胶垫圈8,提高磁芯的稳定性。
[0026]所述整体式下壳体1的壁厚与环形平片盖板3的厚度相同。
[0027]本技术中,使用时,相对于传统的外壳的上盖盖着下盖的结构(如图1所示),原本由上盖薄壁与下盖薄壁重叠形成的厚壁壁改成了整体式厚壁,增大外壳强度,同时将上盖改为环形平片式结构,受力时环形平片盖板3会防止下盖开口内向磁芯挤压,计算机有限元仿真分析结果显示,同等受力情况下,传统结构外壳的变形量为0.0402毫米;同等受力情况下,新型构造外壳的变形量为0.0363毫米,相较于传统构造外壳,变形量减少9.7015%,所以能够有效的提高磁环外壳的抗变形性能,避免了磁环外壳变形挤压磁芯的问题。
[0028]以上所述,仅为本技术较佳的具体实施方式,但本技术的保护范围并不局限于此,任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内,根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高抗挤压变形能力的纳米晶磁环外壳,包括整体式下壳体(1),其特征在于,所述整体式下壳体(1)上侧的侧壁开设有安装槽(2),所述安装槽(2)内设置有环形平片盖板(3),所述环形平片盖板(3)与安装槽(2)的槽壁紧密贴合,所述环形平片盖板(3)上侧的侧壁与整体式下壳体(1)上侧的侧壁齐平,所述环形平片盖板(3)与整体式下壳体(1)的材质相同。2.根据权利要求1所述的一种提高抗挤压变形能力的纳米晶磁环外壳,其特征在于,所述整体式下壳体(1)的内壁固定连接有四个卡条(4),四个所述卡条(4)均匀分布于整体式下壳体(1)的内壁,所述卡条(4)的下端为锥形。3.根据权利要求1所述的一种提高抗挤压变形能力的纳米晶磁环外壳,其特征在于,所述安...

【专利技术属性】
技术研发人员:李一晗
申请(专利权)人:曼特广州磁性器件有限公司
类型:新型
国别省市:

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