图案形成装置及其使用方法制造方法及图纸

一种衰减相移图案形成装置包括：第一部件，用于反射辐射；以及第二部件，用于以相对于从所述第一部件反射的辐射不同相位反射辐射，所述第二部件覆盖所述第一部件的所述表面的至少一部分，使得包括所述第一部件的至少一个未覆盖部分的图案被形成用于在使用中的光刻设备中生成图案化辐射束，其中所述第二部件包括具有实部(n)小于0.95并且虚部(k)小于0.04的折射率的材料。的折射率的材料。的折射率的材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图案形成装置及其使用方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年2月7日提交的EP申请19156029.1和于2019年5月16日提交的EP申请19174809.4的优先权，其通过引用全部并入本文。


[0003]本专利技术涉及一种图案形成装置和图案形成装置的使用方法。更具体地，它涉及一种衰减相移图案形成装置。

技术介绍

[0004]光刻设备是被构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。例如，光刻设备可以在图案形成装置(例如掩模或掩模版或基准)处将图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了将图案投影在衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定了可以被形成在衬底上的特征的最小尺寸。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4至20nm(例如6.7nm或13.5nm)范围内的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以被用于在衬底上形成更小的特征。
[0006]在光刻设备中，增大物镜的数值孔径(NA)导致改进的临界尺寸均匀性和更高的有效吞吐量。随着光刻设备的NA增大，焦深减小。诸如源
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掩模优化(SMO)等技术可以被用于折衷归一化图像对数斜率(NILS)与焦深。然而，当NILS离焦需要很高时，这变得越来越具有挑战性。因此，当光学对比度在规格范围内时，提供足够的焦距是具有挑战性的。因此，可能期望增强NILS离焦。

技术实现思路

[0007]根据本专利技术的第一方面，提供了一种衰减相移图案形成装置，包括：第一部件，用于反射辐射；以及第二部件，用于以相对于从第一部件反射的辐射不同的相位反射辐射，第二部件覆盖第一部件的表面的至少一部分，使得包括第一部件的至少一个未覆盖部分的图案被形成用于在使用中的光刻设备中生成图案化辐射束，其中第二部件包括具有实部(n)小于0.95并且虚部(k)小于0.04的折射率的材料。
[0008]由于降低的图案形成装置3D效果，这可以提供衬底上更准确图案的优点。衰减图案形成装置可以提供相对较高的NILS和相对较低的图案偏移的优点。这可能具有提供相对较强的增强的NILS离焦的优点。这最终可以提高光刻设备的产量。
[0009]第二部件可以包括Ru、Rh、Tc和Re中的至少一种。
[0010]第二部件可以包括合金，该合金包括Ru、Rh、Tc和Re中的至少一种。
[0011]第二部件的厚度可以在30至45nm的范围内。第二部件的厚度可以大于或等于30nm，并且第二部件的厚度可以小于或等于45nm。
[0012]第二部件的厚度可以在33至41nm的范围内。第二部件的厚度可以大于或等于
33nm，并且第二部件的厚度可以小于或等于41nm。
[0013]第二部件的厚度可以为35或41nm。
[0014]第二部件可以覆盖第一部件的从第一部件的至少一个未覆盖部分延伸至少10nm的距离的部分。第二部件的宽度可以是至少10nm。
[0015]第二部件可以与第一部件直接接触。第二部件可以不与第一部件直接接触。
[0016]衰减相移图案形成装置还可以包括用于吸收辐射的第三部件，第三部件可以包括折射率的虚部(k)比第二部件的材料大的材料，第三部件可以覆盖第一部件的至少一部分。
[0017]这可以提供抑制空间图像中的背景强度的优点。这可能具有为隔离图案提供相对较强的增强的NILS离焦的优点。
[0018]第三部件的材料可以具有虚部(k)在0.031至0.08范围内的折射率。
[0019]第三部件可以覆盖第一部件的大于或等于与第一部件的至少一个未覆盖部分相距20至240nm范围内的距离的部分。
[0020]第三部件可以不覆盖第二部件。第三部件和第二部件可以处于同一层。
[0021]第三部件可以与第一部件直接接触。第三部件可以不与第一部件直接接触。
[0022]第三部件可以覆盖第二部件的至少一部分。第三部件和第二部件可以处于不同层。第三部件可以位于第二部件上。
[0023]第三部件可以与第二部件直接接触。第三部件可以不与第二部件直接接触。
[0024]第三部件可以包括Ta、Ag、Pt、Pd、Au、Ir、Os、Re、In、Co、Cd、Pb、Fe、Hg、TI、Cu、Zn、I、Te、Ga、Cr、W、Hf、TaBN中的至少一种，或者包括Ta、Ag、Pt、Pd、Au、Ir、Os、Re、In、Co、Cd、Pb、Fe、Hg、TI、Cu、Zn、I、Te、Ga、Cr、W和Hf中的一种或多种的合金。
[0025]除了第一部件的至少一个未覆盖部分之外，第二部件还可以覆盖整个第一部件。
[0026]第二部件可以具有被配置为减少衍射到第零衍射级中的辐射的布置，并且其中该布置具有亚分辨率节距。这可能具有提供增强NILS和增加剂量的优点，同时抑制隔离图案的背景。
[0027]衍射到第零衍射级中的辐射可以少于衍射到较高衍射级中的辐射。
[0028]该布置可以在衰减相移图案形成装置上具有第二部件的区段的重复图案，第二部件的该区段由空间分开，使得存在第一部件的其他未覆盖部分。
[0029]第二部件的区段可以在衰减相移图案形成装置上垂直于重复图案的方向延伸，第二部件的该区段可以被通道分开。通道可以是空间。
[0030]第二部件可以包括具有实部(n)小于0.91并且虚部(k)小于0.03的折射率的材料。这可能具有提供增强NILS和相对较低的图案偏移的优点，同时也抑制隔离图案的背景。
[0031]第二部件可以包括Ru、Pt、Ta或Co中的至少一种。
[0032]第二部件可以包括Ru和Co的合金。
[0033]第二部件可以包括2/3 Ru和1/3 Co的合金。
[0034]第二部件的厚度可以在34至55nm的范围内。
[0035]第二部件的厚度可以为41nm。
[0036]第一部件可以是多层。
[0037]图案可以包括第一部件的多个未覆盖部分。
[0038]根据本专利技术的第二方面，提供了一种使用衰减相移图案形成装置的方法，包括：反
射来自衰减相移图案形成装置的第一部件的辐射；以及反射来自衰减相移图案形成装置的第二部件的辐射，使得从第二部件反射的辐射相对于从第一部件反射的辐射具有不同相位，第二部件覆盖第一部件的表面的至少一部分，使得包括第一部件的至少一个未覆盖部分的图案被形成用于生成图案化辐射束，其中第二部件包括具有实部(n)小于0.95并且虚部(k)小于0.04的折射率的材料。
[0039]该方法还可以包括：使用第三部件吸收辐射，第三部件具有虚部(k)大于第二部件的折射率，第三部件覆盖第一部件的至少一部分。
[0040]要了解的是，说明描述或以下描述中提及的一个或多个方面或特征可以与一个或多个其他方面或特征组合。
附图说明
[0041]本专利技术的实施例现在将参本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种衰减相移图案形成装置，包括：第一部件，用于反射辐射，以及第二部件，用于以相对于从所述第一部件反射的辐射不同的相位反射辐射，所述第二部件覆盖所述第一部件的所述表面的至少一部分，使得包括所述第一部件的至少一个未覆盖部分的图案被形成用于在使用中的光刻设备中生成图案化辐射束，其中所述第二部件包括具有实部(n)小于0.95并且虚部(k)小于0.04的折射率的材料。2.根据权利要求1所述的衰减相移图案形成装置，其中所述第二部件包括Ru、Rh、Tc和Re中的至少一种。3.根据权利要求2所述的衰减相移图案形成装置，其中所述第二部件包括合金，所述合金包括Ru、Rh、Tc和Re中的至少一种。4.根据前述权利要求中任一项所述的衰减相移图案形成装置，其中所述第二部件的厚度在30至45nm的范围内。5.根据权利要求4所述的衰减相移图案形成装置，其中所述第二部件的厚度为35或41nm。6.根据前述权利要求中任一项所述的衰减相移图案形成装置，其中所述第二部件覆盖所述第一部件的、从所述第一部件的所述至少一个未覆盖部分延伸至少10nm的距离的部分。7.根据前述权利要求中任一项所述的衰减相移图案形成装置，还包括用于吸收辐射的第三部件，所述第三部件包括折射率的虚部(k)比所述第二部件的所述材料大的材料，所述第三部件覆盖所述第一部件或所述第二部件的至少一部分。8.根据权利要求7所述的衰减相移图案形成装置，其中所述第三部件的所述材料的折射率具有在0.031至0.08的所述范围内的虚部(k)。9.根据权利要求7或8中任一项所述的衰减相移图案形成装置，其中所述第三部件覆盖所述第一部件的、大于或等于与所述第一部件的所述至少一个未覆盖部分相距20至240nm的范围内的距离的部分。10.根据权利要求7至9中任一项所述的衰减相移图案形成装置，其中所述第三部件不覆盖所述第二部件。11.根据权利要求7至9中任一项所述的衰减相移图案形成装置，其中所述第三部件覆盖所述第二部件的至少一部分。12.根据权利要求7至11中任一项所述的衰减相移图案形成装置，其中所述第三部件包括Ta、Ag、Pt、Pd、Au、Ir、Os、Re、In、Co、Cd、Pb、Fe、Hg、TI、Cu、Zn、I、Te、Ga、Cr、W、Hf、TaBN中的至少一种，或者包括Ta、Ag、Pt、Pd、Au、Ir、Os、Re、In、Co、Cd、Pb、Fe、Hg、TI、Cu、Zn、I、Te、Ga、Cr、W和H...

【专利技术属性】
技术研发人员：玛丽亚克莱尔，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：