基板处理装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术的一实施例，基板处理装置包括：腔体，在内部形成有处理空间；基座，设置于上述处理空间，且在该基座上部放置基板；供气口，形成于上述腔体的天花板中央部，向上述处理空间供应源气体；排气口，形成于上述腔体的侧壁，位于上述基座的外侧下部，对上述处理空间从上述基座的中央向上述基座的边缘位置进行排气；及天线，位于上述基座的上部，设置于上述腔体的外侧，由上述源气体生成等离子体。上述基座的上部面具备：安装面，用于放置上述基板；及控制面，位于上述安装面的周缘，与上述处理空间对置设置，在实施工艺时可暴露于上述等离子体，位于比上述安装面低的位置。位于比上述安装面低的位置。位于比上述安装面低的位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置


[0001]本专利技术涉及基板处理装置，更详细来说，涉及能够改善对基板的工艺均匀度的基板处理装置。

技术介绍

[0002]薄SiO2栅介质带来几种问题。例如，来自掺杂有硼的栅电极的硼通过薄SiO2栅介质可贯通到下部的硅基板。此外，通常，在薄介质中栅漏即隧穿增加，该栅漏增加由介质消耗的电量。
[0003]能够解决这一问题的方法之一是将氮含入SiO2层中，以形成SiOxNy栅介质。若将氮含入SiO2层中，则通过屏蔽贯通到下部硅基板的硼，提高栅介质的介电常数，由此能够使用更厚的电介质层。
[0004]将SiO2层变换成SiOxNy层的工艺中，一直采用在氨(NH3)存在的情况下加热硅氧化层的方式。但是，在加热炉(furnace)内存在NH3的情况下加热硅氧化物层的现有的方法中，一般在加热炉开放或密闭时，因空气流动，在加热炉的不同部分，导致对SiO2层不均匀地添加氮。此外，SiO2层的氧气或水蒸气污染物可以切断向SiO2层添加氮气。
[0005]此外，在将SiO2层变换为SiOxNy层的方法中，一直采等离子体氮化处理(DPN，去耦的等离子体氮化处理)。

技术实现思路

[0006]所要解决的课题
[0007]本专利技术的目的在于提供一种能够改善对基板表面整体的工艺均匀度的基板处理装置。
[0008]本专利技术的另一目的在于提供一种能够提高对基板边缘表面的处理率的基板处理装置。
[0009]本专利技术的其他目的将在下面的详细说明和附图中变得更加明确。r/>[0010]课题解决方案
[0011]根据本专利技术的一实施例，基板处理装置包括：腔体，在内部形成有处理空间；基座，设置于上述处理空间，且在该基座上部放置基板；供气口，形成于上述腔体的天花板中央部，向上述处理空间供应源气体；排气口，形成于上述腔体的侧壁，位于上述基座的外侧下部，对上述处理空间从上述基座的中央向上述基座的边缘位置进行排气；及天线，位于上述基座的上部，设置于上述腔体的外侧，由上述源气体生成等离子体，上述基座的上部面具备：安装面，用于放置上述基板；及控制面，位于上述安装面的周缘，与上述处理空间对置设置，在实施工艺时可暴露于上述等离子体中，位于比上述安装面低的位置。
[0012]上述安装面可以是与上述基板对应的形状，上述控制面是环形状。
[0013]上述控制面的宽度可以是20～30mm。
[0014]上述安装面和上述控制面的高度差可以是4.35～6.35mm。
[0015]上述天线下端和上述安装面之间的距离可以是93～113m。
[0016]上述天线可以在上述腔体的外侧周缘沿着上下方向设置成螺旋形态。
[0017]上述腔体包括：下部腔体，上述基座设置在内部，上部开放，在侧壁形成用于上述基板出入的通路；及上部腔体，连接到上述下部腔体的开放的上部，上述天线设置在该上部腔体的外侧周缘，上述上部腔体的内部直径与上述基座的外部直径对应，上述上部腔体的截面积可比上述下部腔体的截面积小。
[0018]上述腔体在侧壁形成有对上述处理空间进行排气的排气口，上述基板处理装置还可包括一个以上排气板，该排气板设置在上述处理空间，在上述基座的周缘位于比上述基座的上部面低的位置，与上述基座的上部面平行配置，该排气板具有多个排气孔。
[0019]上述基座可具备：加热器，可通过由外部供应的电源进行加热；上部盖体，盖住上述加热器的上部，且具备上述安装面及上述控制面；及侧部盖体，与上述上部盖体连接，盖住上述加热器的侧部。
[0020]专利技术效果
[0021]根据本专利技术的一实施例，能够改善对基板的表面整体的工艺均匀度。尤其是，能够提高对基板的边缘表面的处理率，由此能够在基板的边缘部分增加氮浓度。
附图说明
[0022]图1是示意性地示出基于本专利技术的一实施例的基板处理装置的图。
[0023]图2是示出图1所示的基座的图。
[0024]图3及图4是示出基于本专利技术的一实施例的工艺均匀度的图。
具体实施方式
[0025]下面，参考图1～图4，进一步详细说明本专利技术的优选实施例。本专利技术的实施例可以变形为各种形态，本专利技术的范围不应解释为限定于下面说明的实施例。本实施例是为了向本专利技术所属
的普通技术人员更详细地说明本专利技术而提供的。因此，为了强调更清楚的说明，附图中出现的各要素的形状可能夸张显示。
[0026]图1是示意性地示出基于本专利技术的一实施例的基板处理装置的图。如图1所示，基板处理装置包括腔体和基座。腔体在内部形成有处理空间，在处理空间内对基板实施等离子体工艺。
[0027]腔体具备下部腔体22和上部腔体10，下部腔体22具备通路24和排气口52，该通路24形成在一侧壁，排气口52形成于另一侧壁，下部腔体22具有上部开放的形状。基板S可通过通路24进入处理空间或从处理空间引出，处理空间内的气体可通过排气口52排出。
[0028]上部腔体10连接到下部腔体22的开放的上部，且具有穹顶(dome)形状。上部腔体10具有形成于天花板中央部的供气口12，源气体等可通过供气口12供应到处理空间内。上部腔体10及下部腔体22的截面具有与基板的形状(例如，圆形)对应的形状，上部腔体10的截面积可能比下部腔体22的截面积大。上部腔体10和下部腔体22的中心被设置成与后述基座的中心大体一致，上部腔体10的内部直径可能大体与基座的外部直径一致。
[0029]天线14在上部腔体10的外侧周缘沿着上下方向设置成螺旋形态(ICP类型)，能够由从外部供应的源气体生成等离子体。在位于后述基座上部的上部腔体10设置天线14，等
离子体在上部腔体10的内部生成并移动到下部腔体22之后，能够与基板S反应。
[0030]图2是示出图1所示的基座的图。基座设置于下部腔体22的内部，在基座的上部面放置基板S的状态下实施工艺。基座具备加热器32和加热器盖体42、46，加热器盖体42、46设置成包围加热器的上部及侧部。
[0031]具体来说，加热器32可通过由外部供应的电源被加热而将基板等加热到可实施工艺的温度，加热器32为圆形盘形状，以被连接到中央的支撑轴54支撑的状态配置于下部腔体22内部。与本实施例不同，加热器32可代替为用冷媒等进行冷却的冷却板。加热器盖体42、46具备上部盖体42和侧部盖体46，上部盖体42是盖住加热器32的上部的圆盘形状，侧部盖体46盖住加热器32的侧部，上部盖体42和侧部盖体46相互连接。
[0032]上部盖体42的上部面具备安装面42a和控制面42b。基板S在放置于安装面42a上的状态下暴露于等离子体中来实施工艺，安装面42a具有比基板S大的直径。例如，基板S的直径为300mm时，安装面42a的直径L可以是305～310mm。安装面42a大体配置成水平状态。控制面42b的位置比安装面42a低，在安装面42a的外侧及控制面42b的上部形成环状流动空间(在图2中用点线表示)，控制面42b是配置在安装面42a的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：腔体，在内部形成有处理空间；基座，设置于上述处理空间，且在该基座上部放置基板；供气口，形成于上述腔体的天花板中央部，向上述处理空间供应源气体；排气口，形成于上述腔体的侧壁，位于上述基座的外侧下部，对上述处理空间从上述基座的中央向上述基座的边缘位置进行排气；及天线，位于上述基座的上部，设置于上述腔体的外侧，由上述源气体生成等离子体，上述基座的上部面具备：安装面，用于放置上述基板；及控制面，位于上述安装面的周缘，与上述处理空间对置设置，在实施工艺时可暴露于上述等离子体中，位于比上述安装面低的位置。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述安装面为与上述基板对应的形状，上述控制面为环状。3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述控制面的宽度为20～30mm。4.如权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，上述安装面和上述控制面的高度差为4.35～6.35mm。5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，上述天线下端和上述安...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄龙，成世钟，张雄柱，申良湜，郑愚德，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：发明
国别省市：