触控模块、显示面板制造技术

本公开涉及显示技术领域，提出一种触控模块、显示面板，触控模块包括：触控电极结构、触控集成电路，触控电极结构包括多个触控节点；触控集成电路连接触控电极结构，用于根据触控节点上电容值与基准电容值获取触控区域；其中，触控集成电路还用于根据环境温度和触控时长局部调节触控区域中触控节点对应的基准电容值。该触控模块能够解决长时间触控失效的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
触控模块、显示面板


[0001]本公开涉及显示
，尤其涉及一种触控模块、显示面板。

技术介绍

[0002]在低温环境下，手指触摸电极结构时，电极结构会在手指较高温度作用下升温，电极结构温度上升造成的触控区电容升高会抵消手指触控造成的触控区电容降低，从而导致触控失效。
[0003]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
[0004]公开内容
[0005]根据本公开的一个方面，提供一种触控模块，其中，所述触控模块包括：触控电极结构、触控集成电路，触控电极结构包括多个触控节点；触控集成电路连接所述触控电极结构，用于根据所述触控节点上电容值与基准电容值获取触控区域；其中，所述触控集成电路还用于根据环境温度和触控时长局部调节所述触控区域中触控节点对应的所述基准电容值。
[0006]本公开一种示例性实施例中，所述触控集成电路在局部调节所述触控区域中触控节点对应的所述基准电容值之前，所述触控集成电路还用于根据所述环境温度整体调节所有所述触控节点对应的所述基准电容值。
[0007]本公开一种示例性实施例中，根据所述环境温度整体调节所有所述触控节点对应的所述基准电容值，包括：
[0008]在非触控状态下获取所述触控电极结构上所有所述触控节点的电容值；
[0009]根据所有所述触控节点的电容值获取所述触控节点电容值的平均值；
[0010]将所有所述触控节点对应的基准电容值调节为所述平均值。
[0011]本公开一种示例性实施例中，根据所述触控节点上电容值与基准电容值获取触控区域，包括：
[0012]获取电容值和基准电容值差值大于第一阈值的触控节点为准报点位置；
[0013]将所述准报点位置周围的预设区域设定为所述触控区域。
[0014]本公开一种示例性实施例中，根据环境温度和触控时长局部调节所述触控区域中触控节点对应的所述基准电容值，包括：
[0015]调取一预设的第一映射数据，所述第一映射数据包括所述触控区域中各个触控节点在不同环境温度、不同触控时长下对应的基准电容值；
[0016]基于所述第一映射数据，根据所述环境温度和触控时长，获取所述触控区域中各个触控节点对应的基准电容值。
[0017]本公开一种示例性实施例中，所述第一映射数据通过预设方法获取，所述预设方法包括：
[0018]在预设环境温度、预设触控时长状态下获取所述触控区域的平均温度；
[0019]在该平均温度状态下，获取所述触控区域中任一触控节点在非触控状态下的电容值为所述触控区域中所有触控节点在该预设环境温度、预设触控时长下对应的基准电容值。
[0020]本公开一种示例性实施例中，所述第一映射数据通过预设方法获取，所述预设方法包括：
[0021]在预设环境温度、预设触控时长状态下获取所述触控区域中各个触控节点的温度为实际温度；
[0022]在非触控状态在，获取各个触控节点在与其对应的所述实际温度下的电容值为所述触控节点在该预设环境温度、预设触控时长下对应的基准电容值。
[0023]本公开一种示例性实施例中，所述触控集成电路还用于：
[0024]在所述触控区域中获取实际报点位置。
[0025]本公开一种示例性实施例中，在所述触控区域中获取实际报点位置，包括：
[0026]获取所述触控区域中各个触控节点的电容值；
[0027]获取一预设的第三映射数据，所述第三映射数据包括在不同环境温度、不同触控时长下所述触控区域中不同触控节点对应的补偿系数；
[0028]基于所述第三映射数据，根据所述环境温度和触控时长，获取所述触控区域中各个触控节点的补偿系数，并根据所述触控节点的补偿系数和电容值获取所述触控节点的补偿电容值，所述补偿电容值等于所述触控节点电容值与补偿系数的乘积；
[0029]获取所述触控区域中各个触控节点补偿电容值的平均值；
[0030]在所述触控区域中获取电容值与所述平均值最接近的触控节点为实际报点位置。
[0031]本公开一种示例性实施例中，所述第三映射数据通过预设方法获取，所述预设方法包括：
[0032]在触控起始时刻，获取所述触控区域中各个触控节点的电容值为初始电容值C1；
[0033]在预设环境温度、预设触控时长状态下获取所述触控区域中各个触控节点的电容值为实际电容值C2，同时获取所述触控区域中各个触控节点的温度为实际温度；
[0034]在非触控状态下，获取各个触控节点在所述实际温度下的电容值为中间电容值C3；
[0035]获取所述触控区域中触控节点在所述预设环境温度、预设触控时长下的补偿系数为((C2
‑
C3)+C1)/C2。
[0036]本公开一种示例性实施例中，根据所述触控节点上电容值与基准电容值获取触控区域，包括：
[0037]获取电容值和基准电容值的差值大于第一阈值的触控节点为准报点位置；
[0038]将所述准报点位置周围的预设区域设定为所述触控区域；
[0039]所述触控集成电路用于实时获取所述触控区域，本触控周期中的所述实际报点位置用于下一相邻触控周期中的所述准报点位置。
[0040]本公开一种示例性实施例中，所述触控集成电路还用于获取所述环境温度，所述触控集成电路获取所述环境温度，包括：
[0041]获取所述触控电极结构上所有所述触控节点的电容值；
[0042]根据所有所述触控节点的电容值判断所述环境温度。
[0043]本公开一种示例性实施例中，根据所有所述触控节点的电容值判断所述环境温度，包括：
[0044]根据所有所述触控节点的电容值获取所述触控节点电容值的平均值；
[0045]计算各个所述触控节点上电容值与所述平均值的差值，并获取所述差值小于第二阈值的所述触控节点为非触控节点；
[0046]获取所述非触控节点的平均电容值，并根据所述非触控节点的平均电容值获取所述环境温度。
[0047]本公开一种示例性实施例中，所述触控集成电路还用于获取触控时长，获取触控时长包括：
[0048]获取相邻触控周期中触控区域的位置，当相邻触控周期中触控区域的位置重合率大于80％，则判断该相邻触控周期的触控动作为连续触控；
[0049]根据连续触控中，触控区域维持的时长获取触控时长。
[0050]根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，其中，显示面板包括上述的触控模块。
[0051]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0052]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种触控模块，其中，所述触控模块包括：触控电极结构，包括多个触控节点；触控集成电路，连接所述触控电极结构，用于根据所述触控节点上电容值与基准电容值获取触控区域；其中，所述触控集成电路还用于根据环境温度和触控时长局部调节所述触控区域中触控节点对应的所述基准电容值。2.根据权利要求1所述的触控模块，其中，所述触控集成电路在局部调节所述触控区域中触控节点对应的所述基准电容值之前，所述触控集成电路还用于根据所述环境温度整体调节所有所述触控节点对应的所述基准电容值。3.根据权利要求2所述的触控模块，其中，根据所述环境温度整体调节所有所述触控节点对应的所述基准电容值，包括：在非触控状态下获取所述触控电极结构上所有所述触控节点的电容值；根据所有所述触控节点的电容值获取所述触控节点上电容值的平均值；将所有所述触控节点对应的基准电容值调节为所述平均值。4.根据权利要求1所述的触控模块，其中，根据所述触控节点上电容值与基准电容值获取触控区域，包括：获取电容值和基准电容值差值大于第一阈值的触控节点为准报点位置；将所述准报点位置周围的预设区域设定为所述触控区域。5.根据权利要求1所述的触控模块，其中，根据环境温度和触控时长局部调节所述触控区域中触控节点对应的所述基准电容值，包括：调取一预设的第一映射数据，所述第一映射数据包括所述触控区域中各个触控节点在不同环境温度、不同触控时长下对应的基准电容值；基于所述第一映射数据，根据所述环境温度和触控时长，获取所述触控区域中各个触控节点对应的基准电容值。6.根据权利要求5所述的触控模块，其中，所述第一映射数据通过预设方法获取，所述预设方法包括：在预设环境温度、预设触控时长状态下获取所述触控区域的平均温度；在该平均温度状态下，获取所述触控区域中任一触控节点在非触控状态下的电容值为所述触控区域中所有触控节点在该预设环境温度、预设触控时长下对应的基准电容值。7.根据权利要求5所述的触控模块，其中，所述第一映射数据通过预设方法获取，所述预设方法包括：在预设环境温度、预设触控时长状态下获取所述触控区域中各个触控节点的温度为实际温度；在非触控状态在，获取各个触控节点在与其对应的所述实际温度下的电容值为所述触控节点在该预设环境温度、预设触控时长下对应的基准电容值。8.根据权利要求1所述的触控模块，其中，所述触控集成电路还用于：在所述触控区域中获取实际报点位置。9.根据权利要求8所述的触控模块，其中，在所述触控区域中获取实际报点位置，包括：获取所述触控区域中各个触控节点的电容值；
获取一预设的第三映射数据，所述第三映射数据包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘奇，喻勇，龚雪瑞，刘文红，孙舸，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：