一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法技术

本发明专利技术涉及芯片制造技术领域，且公开了一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法，包括调温机构、回收机构，所述调温机构包括连接块，所述连接块内部活动连接有限位滑杆，所述连接块远离限位滑杆的一侧活动连接有缓冲弹簧，所述连接块左侧固定连接有调节拨片，所述调节拨片远离连接块的一端活动连接有电阻片，所述电阻片外部固定连接有紧固架，通过温度经判断杆传导至传动腔内，从而拉动连接块在限位滑杆上滑动，在连接块滑动的过程中其会同时带动调节拨片在电阻片上滑动，使得施加在电热丝上的电压大小发生改变，如此便达到了在第一次外延生长时自动平衡原理温度防止出现导热不均匀致使质量问题的效果。均匀致使质量问题的效果。均匀致使质量问题的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法


[0001]本专利技术涉及芯片制造
，具体为一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法。

技术介绍

[0002]激光器是一种能够发射激光的装置，其发出的光质量纯净、光谱稳定可以在很多方面被应用，以DFB激光器为例，其具备有高速、窄线宽及动态单纵模工作特性，且其可在更宽的工作温度与工作电流范围内抑制普通FP激光器的模式跳变，故而DFB激光器在光通信领域得到了广泛的应用。
[0003]光通信用的DFB激光器芯片一般采用InP为生长衬底，且在制造时需要经过两次外延生长，两次外延生长分别制备光栅与形成接触层，激光器芯片的质量与使用效果受这两次外延生长的影响严重，而目前的激光器芯片良率并不高，外延片最外圈的材料质量较差，这是由于在外延生长过程中，用于生长激光器的磷化铟外延衬底在高温下背面易受砷气流的扩散影响，导致衬底导热不均匀造成的，并且在光栅制备的过程中光栅的腐蚀液也会对衬底造成一定程度的蚀刻，从而影响衬底的平整度，对二次外延生长造成影响。
[0004]于是，有鉴于此，针对现有的结构及缺失予以研究改良，提供一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法，以期达到更具有更加实用价值性的目的。

技术实现思路

[0005](一)解决的技术问题
[0006]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法，具备在第一次外延生长时自动平衡原理温度防止出现导热不均匀致使质量问题、在制备光栅时自动及时回收腐蚀液提高芯片质量优点，解决了传统的激光器芯片在制备光栅时衬底导热不均匀、光栅的腐蚀液会对衬底造成一定程度的蚀刻的问题。
[0007](二)技术方案
[0008]为实现上述在第一次外延生长时自动平衡原理温度防止出现导热不均匀致使质量问题、在制备光栅时自动及时回收腐蚀液提高芯片质量目的，本专利技术提供如下技术方案：一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法，包括以下步骤：
[0009]S1.在使用时将原料放至在衬底架上，在第一次外延生长时，通过升高外部温度使得原料的温度升高；
[0010]S2.升高的温度经判断杆传导至导热球内，随后再经由导热球散发至传动腔内，此时传动腔内的温度上升压强增大，而导动塞与传动腔的内壁紧密贴合，故而此时的导动塞会受到一个向下的推力，这个推力经导动塞作用在复位弹簧上，并最终拉伸复位弹簧使其发生形变后推动加压杆运动，加压杆在运动的过程中会同时拉动推拉杆；
[0011]S3.推拉杆运动从而对连接块施加一个作用力，从而使得连接块有一个在限位滑杆上滑动的趋势，此时启动放温机构与调温机构的外部电源，这时推拉杆所施加的力会拉
动连接块使其拉伸缓冲弹簧发生形变后在限位滑杆上滑动，在连接块滑动的过程中其会同时带动调节拨片在电阻片上滑动；
[0012]S4.由于调节拨片、电阻片、电热丝、电性块为串联，在调节拨片滑动后电阻片在电路内的阻值发生改变，从而使得施加在电热丝上的电压大小发生改变，进而改变电热丝的发热量，这时电热丝散发的热量会经过安装座传导至衬底架，并最终传导至原料；
[0013]S5.在判断机构的作用下，电热丝所散发的热量始终保持一个动态平衡，即原料温度降低时电热丝所散发的热量升高，反之原料温度升高时电热丝所散发的热量降低，从而确保原料所受到的热量均匀；
[0014]S6.在对第一次外延生长后的原料进行制备光栅时，光栅所使用的腐蚀液会滴落在衬底架上，此时腐蚀液的温度会降低衬底架的温度，进而使得传动腔内的温度降低压强减少，从而此时的复位弹簧便会开始复位；
[0015]S7.复位后的复位弹簧拉动加压杆向着靠近传动腔的方向运动，从而带动挤压块同步运动，这时挤压块施加在负压囊上的压力同步减小，从而负压囊开始回弹，其内部空间逐渐增大形成负压，这个负压经由换气槽传导至回收槽内，再经由回收槽作用在衬底架上，最终作用在腐蚀液上，从而减少腐蚀液停留在原料上的时间，避免腐蚀液对原料进行蚀刻。
[0016]一种激光器芯片的化合物外延生长的制造装置，包括调温机构、回收机构，所述调温机构包括连接块，所述连接块内部活动连接有限位滑杆，所述连接块远离限位滑杆的一侧活动连接有缓冲弹簧，所述连接块左侧固定连接有调节拨片，所述调节拨片远离连接块的一端活动连接有电阻片，所述电阻片外部固定连接有紧固架。
[0017]进一步的，所述回收机构包括挤压块，所述挤压块底部活动连接有负压囊，所述负压囊靠近连接块的一侧活动连接有换气槽，所述换气槽远离负压囊的一端活动连接有回收槽。
[0018]进一步的，所述回收机构顶部活动连接有判断机构，所述判断机构顶部活动连接有放温机构，所述放温机构顶部活动连接有衬底架，所述衬底架底部靠近判断机构的一侧固定连接有支撑座，所述判断机构远离支撑座的一侧与调温机构活动连接。
[0019]进一步的，所述放温机构包括电热丝，所述电热丝左右两侧均活动连接有电性块，所述电性块外部活动连接有安装座。
[0020]进一步的，所述判断机构包括判断杆，所述判断杆底部活动连接有导热球，所述导热球外部活动连接有传动腔，所述传动腔底部活动连接有导动塞，所述导动塞底部活动连接有加压杆，所述加压杆左右两侧均活动连接有复位弹簧，所述加压杆外部活动连接有推拉杆，所述推拉杆远离加压杆的一端与连接块活动连接。
[0021]进一步的，所述电热丝通过电性块、内部线路与外部电源、调节拨片、电阻片形成闭合回路。
[0022](三)有益效果
[0023]与现有技术相比，本专利技术提供了一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法，具备以下有益效果：
[0024]1、该一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法，通过温度经判断杆传导至传动腔内，从而推动加压杆拉动推拉杆，推拉杆运动从而拉动连接块在限位滑杆上滑动，在连接块滑动的过程中其会同时带动调节拨片在电阻片上滑动，使得施加在电热丝上的电压大
小发生改变，如此便达到了在第一次外延生长时自动平衡原理温度防止出现导热不均匀致使质量问题的效果。
[0025]2、该一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法，通过腐蚀液会使传动腔内的温度降低压强减少，从而负压囊回弹形成负压，这个负压经由换气槽传导至回收槽内，再经由回收槽作用在衬底架上，最终作用在腐蚀液上，从而减少腐蚀液停留在原料上的时间，避免腐蚀液对原料进行蚀刻，如此便达到了在制备光栅时自动及时回收腐蚀液提高芯片质量的效果。
附图说明
[0026]图1为本专利技术衬底架结构主视示意图；
[0027]图2为本专利技术支撑座结构主视示意图；
[0028]图3为本专利技术电热丝结构主视示意图；
[0029]图4为本专利技术导热球结构主视示意图；
[0030]图5为本专利技术缓冲弹簧结构主视示意图。
[0031]图中：1、衬底架；2、支撑座；3、放温机构；31、电热丝；32、电性块；33、安装座；4、判断机构；41、判断杆；42、导热球；43、传动腔；44、导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法，包括以下步骤，其特征在于：S1.在使用时将原料放至在衬底架(1)上，在第一次外延生长时，通过升高外部温度使得原料的温度升高；S2.升高的温度经判断杆(41)传导至导热球(42)内，随后再经由导热球(42)散发至传动腔(43)内，此时传动腔(43)内的温度上升压强增大，而导动塞(44)与传动腔(43)的内壁紧密贴合，故而此时的导动塞(44)会受到一个向下的推力，这个推力经导动塞(44)作用在复位弹簧(46)上，并最终拉伸复位弹簧(46)使其发生形变后推动加压杆(45)运动，加压杆(45)在运动的过程中会同时拉动推拉杆(47)；S3.推拉杆(47)运动从而对连接块(61)施加一个作用力，从而使得连接块(61)有一个在限位滑杆(63)上滑动的趋势，此时启动放温机构(3)与调温机构(6)的外部电源，这时推拉杆(47)所施加的力会拉动连接块(61)使其拉伸缓冲弹簧(62)发生形变后在限位滑杆(63)上滑动，在连接块(61)滑动的过程中其会同时带动调节拨片(64)在电阻片(65)上滑动；S4.由于调节拨片(64)、电阻片(65)、电热丝(31)、电性块(32)为串联，在调节拨片(64)滑动后电阻片(65)在电路内的阻值发生改变，从而使得施加在电热丝(31)上的电压大小发生改变，进而改变电热丝(31)的发热量，这时电热丝(31)散发的热量会经过安装座(33)传导至衬底架(1)，并最终传导至原料；S5.在判断机构(4)的作用下，电热丝(31)所散发的热量始终保持一个动态平衡，即原料温度降低时电热丝(31)所散发的热量升高，反之原料温度升高时电热丝(31)所散发的热量降低，从而确保原料所受到的热量均匀；S6.在对第一次外延生长后的原料进行制备光栅时，光栅所使用的腐蚀液会滴落在衬底架(1)上，此时腐蚀液的温度会降低衬底架(1)的温度，进而使得传动腔(43)内的温度降低压强减少，从而此时的复位弹簧(46)便会开始复位；S7.复位后的复位弹簧(46)拉动加压杆(45)向着靠近传动腔(43)的方向运动，从而带动挤压块(51)同步运动，这时挤压块(51)施加在负压囊(52)上的压力同步减小，从而负压囊(52)开始回弹，其内部空间逐渐增大形成负压，这个负压经由换气槽(53)传导至回收槽(54)内，再经由回收槽(54)作用在衬底架(1)上，最终作用在腐蚀液上，从而减少腐蚀液停留在原料上...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑君雄，郑世进，崔雨舟，王青，
申请(专利权)人：深圳市中科光芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：