【技术实现步骤摘要】
镁合金微弧氧化膜层的去除方法
[0001]本专利技术属于材料表面改性
,具体涉及一种镁合金微弧氧化膜层的去除方法。
技术介绍
[0002]镁是最轻(密度1.4g/cm3)和最易加工的结构金属之一,具有许多优异性能,如比强度和比刚度高、减震性能好、铸造性能良、切削性优良、屏蔽干扰性良好等特点,在汽车、3C、国防军工、航空航天等领域具有广阔的应用前景,被誉为“21世纪的绿色工程材料”。但镁作为结构材料的应用潜力未得到开发,主要是因为镁在金属结构材料中具有最低的标准电极电位(
‑
2.68V,相对于标准氢电极),其氧化膜疏松多孔,不能形成有效的稳定保护膜,在大多数腐蚀性环境下容易出现电偶腐蚀、环境腐蚀等腐蚀问题,不能持续使用,限制了镁合金的广泛应用。因此,如何提高镁合金的耐蚀性已成为镁合金广泛应用必须解决的瓶颈问题。
[0003]微弧氧化,也称等离子体电解氧化,是将铝、镁、钛等阀金属及其合金置于电解液中,利用电化学方法,在热化学、等离子体化学及电化学作用下,为了提高镁合金的耐蚀性能,可在镁合金表面进行微弧氧化处理,使材料表面产生火花放电斑点原位生成陶瓷氧化膜层。该方法获得的膜层具有结构紧密、结合力高、耐蚀性强、硬度高等特点,可以大幅改善镁合金的耐蚀性能。
[0004]随着镁合金微弧氧化加工在越来越多的领域得到广泛应用,镁合金氧化层退除工艺的研究应随之研究和发展,镁合金微弧氧化膜层退除工艺的探索及完善可以使微弧氧化膜层得到完成清除并直接进行二次处理,从而降低生产成本,提高生产效率。 />
技术实现思路
[0005]针对现有技术中的不足,本专利技术的目的是提供一种镁合金微弧氧化膜层的去除方法。
[0006]为达到上述目的,本专利技术的解决方案是:
[0007]一种镁合金微弧氧化膜层的去除方法,其包括如下步骤:
[0008](1)、退膜处理:将需要退膜的镁合金微弧氧化样品放入含有微弧氧化膜层的退膜溶液的处理槽中,温度为30
‑
40℃,反应时间为2
‑
5min,之后置于去离子水中进行水洗1
‑
2min,去除试样表面的腐蚀产物,得到已退膜试样;
[0009](2)、光亮处理:将已退膜试样置入含光亮剂的处理槽中,温度为25
‑
30℃,反应时间为10
‑
30s,置于去离子水中进行水洗1
‑
2min,并烘干,得到光亮的去除微弧氧化膜的镁合金试样。
[0010]作为本专利技术的一种优选实施例,步骤(1)中,所述微弧氧化膜层的退膜溶液包括以下组分:50
‑
100ml/L的植酸、5
‑
12g/L的钨酸盐、15
‑
20g/L的氟化物和2
‑
4g/L的缓蚀剂,并溶于去离子水中。
[0011]作为本专利技术的一种优选实施例,钨酸盐选自钨酸钠和钨酸钙中的一种以上。
[0012]作为本专利技术的一种优选实施例,氟化物选自氟化钾和氟化钠中的一种以上。
[0013]作为本专利技术的一种优选实施例,缓蚀剂为十二烷基苯磺酸钠。
[0014]作为本专利技术的一种优选实施例,步骤(2)中,光亮剂由硝酸和体积比为3
‑
7%的酒精配制得到硝酸酒精溶液。
[0015]作为本专利技术的一种优选实施例,步骤(2)中,烘干的温度为40
‑
50℃,烘干的时间为5
‑
10min。
[0016]由于采用上述方案,本专利技术的有益效果是:
[0017]第一、本专利技术采用微弧氧化膜层去除工艺,镁合金基体表面平整光滑,基体表面无残余膜层及其它腐蚀产物产生,可直接进行二次微弧氧化。
[0018]第二、本专利技术的微弧氧化膜层的退膜溶液不含环保限制元素、成分简单、成本低廉。
[0019]第三、本专利技术的微弧氧化膜层的退膜方法简单,仅需在退膜溶液中处理2
‑
5min,光亮剂中处理10
‑
30s,即可得到光亮的去除微弧氧化膜的镁合金试样,与常规的通过打磨方法去除膜层的方法相比,去除效率高、操作方便。
具体实施方式
[0020]本专利技术提供了一种镁合金微弧氧化膜层的去除方法。
[0021]以下结合实施例对本专利技术作进一步的说明。
[0022]本专利技术实施例所采用的化学试剂均为市售、国产品牌、分析纯级别。
[0023]实施例1:
[0024]本实施例的镁合金微弧氧化膜层的去除方法包括如下步骤:
[0025](1)、退膜处理:将厚度为15μm的镁合金微弧氧化膜层放入含有微弧氧化膜层的退膜溶液的处理槽中,温度为30℃,反应时间为3min,之后置于去离子水中进行水洗1min,去除试样表面的腐蚀产物,得到已退膜试样;其中,微弧氧化膜层的退膜溶液包括以下组分:50ml/L的植酸、8g/L的钨酸钠、15g/L的氟化钾和2g/L的缓蚀剂,并溶于去离子水中。
[0026](2)、光亮处理:将已退膜试样置入含光亮剂的处理槽中,温度为25℃,反应时间为10s,置于去离子水中进行水洗1min,并在40℃下烘干8min,得到光亮的去除微弧氧化膜的镁合金试样。其中,光亮剂由硝酸和体积比为5%的酒精配制得到硝酸酒精溶液。
[0027]实施例2:
[0028]本实施例的镁合金微弧氧化膜层的去除方法包括如下步骤:
[0029](1)、退膜处理:将厚度为20μm的镁合金微弧氧化膜层放入含有微弧氧化膜层的退膜溶液的处理槽中,温度为35℃,反应时间为4min,之后置于去离子水中进行水洗2min,去除试样表面的腐蚀产物,得到已退膜试样;其中,微弧氧化膜层的退膜溶液包括以下组分:100ml/L的植酸、12g/L的钨酸钠、17g/L的氟化钾和3g/L的缓蚀剂,并溶于去离子水中。
[0030](2)、光亮处理:将已退膜试样置入含光亮剂的处理槽中,温度为25℃,反应时间为20s,置于去离子水中进行水洗2min,并在50℃下烘干5min,得到光亮的去除微弧氧化膜的镁合金试样。其中,光亮剂由硝酸和体积比为6%的酒精配制得到硝酸酒精溶液。
[0031]实施例3:
[0032]本实施例的镁合金微弧氧化膜层的去除方法包括如下步骤:
[0033](1)、退膜处理:将厚度为30μm的镁合金微弧氧化膜层放入含有微弧氧化膜层的退膜溶液的处理槽中,温度为40℃,反应时间为5min,之后置于去离子水中进行水洗2min,去除试样表面的腐蚀产物,得到已退膜试样;其中,微弧氧化膜层的退膜溶液包括以下组分:50ml/L的植酸、5g/L的钨酸钠、20g/L的氟化钾和4g/L的缓蚀剂,并溶于去离子水中。
[0034](2)、光亮处理:将已退膜试样置入含光亮剂的处理槽中,温度为30℃,反应时间为20s,置于去离子水中进行水洗2min,并在50℃下烘干6min,得到光亮的去除微弧氧化膜的镁合金试样。其中,光亮剂由硝酸和体积本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种镁合金微弧氧化膜层的去除方法,其特征在于:其包括如下步骤:(1)、将需要退膜的镁合金微弧氧化样品放入退膜溶液中,温度为30
‑
40℃,反应时间为2
‑
5min,之后进行清洗,得到已退膜试样;(2)、将所述已退膜试样置入含光亮剂中,温度为25
‑
30℃,反应时间为10
‑
30s,之后进行清洗,并烘干。2.根据权利要求1所述的镁合金微弧氧化膜层的去除方法,其特征在于:步骤(1)中,所述微弧氧化膜层的退膜溶液包括以下组分:50
‑
100ml/L的植酸、5
‑
12g/L的钨酸盐、15
‑
20g/L的氟化物和2
‑...
【专利技术属性】
技术研发人员:董帅,聂照,邓泽,钱辰,师春晓,董杰,
申请(专利权)人:上海交通大学,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。