芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供芯片的制造方法，能够抑制芯片的品质降低。芯片的制造方法将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片，该芯片的制造方法具有如下的工序：晶片保持工序，利用卡盘工作台对晶片的第1面侧进行保持而使晶片的第2面侧露出；改质层形成工序，通过从晶片的第2面侧将对于晶片具有透过性并且在第1聚光点和第2聚光点处聚光的激光束按照将第1聚光点和第2聚光点定位于晶片的内部的方式进行照射，在第1聚光点和第2聚光点所定位的区域中分别形成改质区域，并形成包含沿着分割预定线排列的多个改质区域的改质层；以及分割工序，对晶片施加外力，将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片。将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片。将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片。

【技术实现步骤摘要】
芯片的制造方法


[0001]本专利技术涉及芯片的制造方法，将晶片分割成多个芯片。

技术介绍

[0002]在器件芯片的制造工序中，使用在由相互交叉的多条分割预定线(间隔道)划分出的多个区域中分别形成有IC(Integrated Circuit：集成电路)等器件的晶片。通过沿着分割预定线对该晶片进行分割，制造出分别具有器件的多个器件芯片。
[0003]在晶片的分割中主要使用切削装置，该切削装置具有：卡盘工作台，其对晶片进行保持；以及主轴(旋转轴)，其安装有对晶片进行切削的圆环状的切削刀具。通过使切削刀具进行旋转并切入卡盘工作台所保持的晶片，晶片沿着分割预定线被切断而被分割。
[0004]另一方面，近年来，通过激光加工对晶片进行分割的技术也受到关注。例如，提出了如下的方法：使对于晶片具有透过性的激光束聚光在晶片的内部，在晶片的内部沿着分割预定线形成改质后的层(改质层(变质层))(参照专利文献1)。晶片的形成有改质层的区域变得比其他区域脆。因此，当对形成有改质层的晶片施加外力时，晶片以改质层为起点被分割。
[0005]但是，根据晶片的厚度、材质等，即使在晶片上形成仅一层改质层并施加外力，有时晶片也不会以改质层为起点被适当地分割。在该情况下，在晶片的厚度方向上沿着各分割预定线形成多个改质层(参照专利文献2)。例如，一边阶段性地改变激光束的聚光点的高度，一边沿着各分割预定线各照射多次激光束，从而在晶片上形成多个改质层。
[0006]专利文献1：日本特开2004
‑
179302号公报
[0007]专利文献2：日本特开2009
‑
10105号公报
[0008]在改质层的形成工序中，例如通过照射激光束，在晶片的内部沿着分割预定线以规定的间隔形成有多个改质后的区域(改质区域)。在该情况下，改质层相当于包含沿着分割预定线排列的多个改质区域的层。
[0009]当形成有改质区域时，在该改质区域中产生龟裂(解理面)。而且，当从改质区域发展的龟裂到达接下来应形成改质区域的区域时，在之后向该区域照射激光束时，由于龟裂而产生激光束的漫反射。
[0010]当在晶片的内部产生激光束的漫反射时，难以在被照射了激光束的区域中适当地形成改质区域，改质层有时不能作为晶片的分割起点而充分地发挥功能。另外，由于激光束的漫反射，在改质区域中产生的龟裂容易向未预期的方向呈放射状地发展，或者容易与预期相反地形成较长的龟裂。由于该不规则的龟裂，在后面的工序中对晶片进行分割时，有可能将晶片的断裂向不希望的方向引导。
[0011]如上所述，如果在形成改质区域时产生激光束的漫反射，则在对晶片施加外力时，晶片难以沿着分割预定线被适当地分割。其结果为，有可能在晶片的分割时芯片破损或者在芯片的侧面(分割面)形成凹凸，芯片的品质降低。

技术实现思路

[0012]本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供能够抑制芯片的品质降低的芯片的制造方法。
[0013]根据本专利技术的一个方式，提供一种芯片的制造方法，将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片，其中，该芯片的制造方法具有如下的工序：晶片保持工序，利用卡盘工作台对该晶片的第1面侧进行保持而使该晶片的第2面侧露出；改质层形成工序，通过从该晶片的该第2面侧将对于该晶片具有透过性并且在第1聚光点和第2聚光点处聚光的激光束按照将该第1聚光点和该第2聚光点定位于该晶片的内部的方式进行照射，在该第1聚光点和该第2聚光点所定位的区域中分别形成改质区域，并形成包含沿着该分割预定线排列的多个该改质区域的改质层；以及分割工序，对该晶片施加外力，将该晶片沿着该分割预定线分割成多个该芯片，在改质层形成工序中，在形成于该第1聚光点所定位的区域的该改质区域中产生的龟裂与在形成于该第2聚光点所定位的区域的该改质区域中产生的龟裂连结。
[0014]另外，优选的是，该改质层形成工序具有如下的工序：第1改质层形成工序，通过从该晶片的该第2面侧照射该激光束，形成包含沿着该分割预定线排列的多个该改质区域的第1改质层；以及第2改质层形成工序，通过从该晶片的该第2面侧照射该激光束，在比该第1改质层靠该晶片的该第1面侧的位置形成包含沿着该分割预定线排列的多个该改质区域的第2改质层。
[0015]另外，根据本专利技术的另一方式，提供一种芯片的制造方法，将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片，其中，该芯片的制造方法具有如下的工序：晶片保持工序，利用卡盘工作台对该晶片的第1面侧进行保持而使该晶片的第2面侧露出；改质层形成工序，通过从该晶片的该第2面侧将对于该晶片具有透过性并且在第1聚光点、第2聚光点、第3聚光点以及第4聚光点处聚光的激光束按照将该第1聚光点和该第2聚光点定位于该晶片的内部的第1区域并且将该第3聚光点和该第4聚光点定位于该晶片的内部的位于比该第1区域靠该晶片的该第1面侧的位置的第2区域的方式进行照射，在该第1聚光点至该第4聚光点所定位的区域中分别形成改质区域，并形成包含沿着该分割预定线排列的多个该改质区域的第1改质层和第2改质层；以及分割工序，对该晶片施加外力，将该晶片沿着该分割预定线分割成多个该芯片，在改质层形成工序中，在形成于该第1聚光点所定位的区域的该改质区域中产生的龟裂与在形成于该第2聚光点所定位的区域的该改质区域中产生的龟裂连结，并且在形成于该第3聚光点所定位的区域的该改质区域中产生的龟裂与在形成于该第4聚光点所定位的区域的该改质区域中产生的龟裂连结。
[0016]在本专利技术的一个方式的芯片的制造方法中，通过向晶片照射在多个聚光点聚光的激光束，在聚光点所定位的区域中分别形成改质区域，在一个改质区域中产生的龟裂与在其他改质区域中产生的龟裂连结。
[0017]根据上述芯片的制造方法，能够将激光束的聚光点定位于晶片内部的未形成龟裂的区域而形成改质区域，并且能够形成使相邻的改质区域连结的龟裂。由此，抑制激光束的漫反射，适当地形成改质层。其结果为，晶片容易沿着分割预定线被分割，从而抑制芯片的品质降低。
附图说明
[0018]图1的(A)是示出晶片的立体图，图1的(B)是示出粘贴有保护部件的晶片的立体图。
[0019]图2是示出激光加工装置的局部剖视主视图。
[0020]图3是示出激光照射单元的结构例的示意图。
[0021]图4的(A)是示出被照射了激光束的晶片的一部分的剖视图，图4的(B)是示出改质区域的剖视图。
[0022]图5的(A)是示出形成有第2层的改质层的晶片的一部分的剖视图，图5的(B)是示出形成有多个改质层的晶片的一部分的剖视图。
[0023]图6是示出粘贴有扩展带的晶片的立体图。
[0024]图7是示出扩展装置的立体图。
[0025]图8的(A)是示出对晶片进行保持的扩展装置的剖视图，图8的(B)是示出对扩展带进行扩展的扩展装置的剖视图。
[0026]图9是示出具有照射在4个聚光点聚光的激光束的激光照射单元的激光加工装置的局部剖视主视图。
[0027]图10是示出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片的制造方法，将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片，其特征在于，该芯片的制造方法具有如下的工序：晶片保持工序，利用卡盘工作台对该晶片的第1面侧进行保持而使该晶片的第2面侧露出；改质层形成工序，通过从该晶片的该第2面侧将对于该晶片具有透过性并且在第1聚光点和第2聚光点处聚光的激光束按照将该第1聚光点和该第2聚光点定位于该晶片的内部的方式进行照射，在该第1聚光点和该第2聚光点所定位的区域中分别形成改质区域，并形成包含沿着该分割预定线排列的多个该改质区域的改质层；以及分割工序，对该晶片施加外力，将该晶片沿着该分割预定线分割成多个该芯片，在改质层形成工序中，在形成于该第1聚光点所定位的区域的该改质区域中产生的龟裂与在形成于该第2聚光点所定位的区域的该改质区域中产生的龟裂连结。2.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，该改质层形成工序具有如下的工序：第1改质层形成工序，通过从该晶片的该第2面侧照射该激光束，形成包含沿着该分割预定线排列的多个该改质区域的第1改质层；以及第2改质层形成工序，通过从该晶片的该第2面侧照射该激光束，在比该第1改质层靠该晶片的该第1面侧的位置形成包含沿着该分割预定线...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐井星一，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：