一种关断控制电路及其电子设备制造技术

技术编号:29993232 阅读:6 留言:0更新日期:2021-09-11 04:33
本实用新型专利技术提供一种关断控制电路,第一和第三MOS管的栅极、第一反相器的输出端和第二反相器的输入端相连,第一MOS管的漏极接第六MOS管的漏极和栅极以及第七MOS管的栅极,第一MOS管的源极接第一电流源的输入端和第五MOS管的漏极,第二MOS管的栅极接第二反相器的输出端,第二MOS管的源极接第二电流源的输入端,第二和第七MOS管的漏极、第九和第八MOS管的栅极相连;第三和第九MOS管的漏极相连,第三MOS管的源极接第四MOS管的栅极和漏极以及第五MOS管的栅极,第四和第五MOS管的源极、第一电流源的输出端、第二电流源的输出端和负载电阻的一端相连;第六MOS管、第七MOS管、第九MOS管和第八MOS管的源极相连;第八MOS管的漏极连接负载电阻的另一端。能实现快速关断电路。能实现快速关断电路。能实现快速关断电路。

【技术实现步骤摘要】
一种关断控制电路及其电子设备


[0001]本技术属于电子
,尤其涉及一种关断控制电路及其电子设备。

技术介绍

[0002]图1是传统的关断控制电路,主要用于将高压电源通过可控制的开关给负载供电。但是传统的关断控制电路关断速度较慢,且关断速度由电流源I1电流大小和MP1/MP2的比例决定,为了提高关断速度需要较大电流从而增大功耗。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种关断控制电路及其电子设备,旨在解决传统关断控制电路关断速度慢,为了提高关断速度需要较大电流从而增大功耗的问题。
[0004]第一方面,本技术提供了一种关断控制电路,包括:第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第一反相器X1、第二反相器X2、第一电流源I1、第二电流源I2和负载电阻RL;所述第一MOS管M1的栅极分别连接第一反相器X1的输出端、第二反相器X2的输入端和第三MOS管M3的栅极,第一反相器X1的输入端连接开关控制信号EN,第一MOS管M1的漏极分别连接第六MOS管M6的漏极和栅极以及第七MOS管M7的栅极,第一MOS管M1的源极连接第一电流源I1的输入端和第五MOS管M5的漏极,所述第二MOS管M2的栅极连接第二反相器X2的输出端,第二MOS管M2的源极连接第二电流源I2的输入端,第二MOS管M2的漏极连接第七MOS管M7的漏极、第九MOS管M9的栅极和第八MOS管M8的栅极;所述第三MOS管M3的漏极连接第九MOS管M9的漏极,第三MOS管M3的源极分别连接第四MOS管M4的栅极和漏极以及第五MOS管M5的栅极,所述第四MOS管M4的源极分别连接第五MOS管M5的源极、第一电流源I1的输出端、第二电流源I2的输出端、电源地GND和负载电阻RL的一端;第六MOS管M6的源极分别连接高压电源VM、第七MOS管M7的源极、第九MOS管M9的源极和第八MOS管M8的源极;第八MOS管M8的漏极连接负载电阻RL的另一端。
[0005]第二方面,本技术提供了一种电子设备,所述电子设备包括所述的关断控制电路。
[0006]在技术中,电路通过关断路径第九MOS管M9、第三MOS管M3、第四MOS管M4和第五MOS管M5,关断速度显著变快,并且不会带来明显的额外功耗。
附图说明
[0007]图1是本技术提供的一种传统的关断控制电路的原理图。
[0008]图2是本技术一实施例提供的一种关断控制电路的原理图。
[0009]图3是本技术一实施例提供的另一种关断控制电路的原理图。
具体实施方式
[0010]为了使本技术的目的、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。
[0011]为了说明本技术所述的技术方案,下面通过具体实施例来进行说明。
[0012]请参阅图2,本技术一实施例提供了一种关断控制电路,包括:第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第一反相器X1、第二反相器X2、第一电流源I1、第二电流源I2和负载电阻RL;所述第一MOS管M1的栅极分别连接第一反相器X1的输出端、第二反相器X2的输入端和第三MOS管M3的栅极,第一反相器X1的输入端连接开关控制信号EN,第一MOS管M1的漏极分别连接第六MOS管M6的漏极和栅极以及第七MOS管M7的栅极,第一MOS管M1的源极连接第一电流源I1的输入端和第五MOS管M5的漏极,所述第二MOS管M2的栅极连接第二反相器X2的输出端,第二MOS管M2的源极连接第二电流源I2的输入端,第二MOS管M2的漏极连接第七MOS管M7的漏极、第九MOS管M9的栅极和第八MOS管M8的栅极;所述第三MOS管M3的漏极连接第九MOS管M9的漏极,第三MOS管M3的源极分别连接第四MOS管M4的栅极和漏极以及第五MOS管M5的栅极,所述第四MOS管M4的源极分别连接第五MOS管M5的源极、第一电流源I1的输出端、第二电流源I2的输出端、电源地GND和负载电阻RL的一端;第六MOS管M6的源极分别连接高压电源VM、第七MOS管M7的源极、第九MOS管M9的源极和第八MOS管M8的源极;第八MOS管M8的漏极连接负载电阻RL的另一端。
[0013]请参阅图3,本技术一实施例提供的另一种关断控制电路与图2所示的关断控制电路的区别在于,所述关断控制电路还包括稳压二极管D1,所述稳压二极管D1的正极连接第八MOS管M8的栅极,稳压二极管D1的负极连接第八MOS管8的源极。
[0014]在本技术一实施例中,所述关断控制电路还可以包括电阻R1,所述电阻R1的两端分别连接第九MOS管M9的源极和栅极。
[0015]在本技术一实施例中,所述第一MOS管M1、第二MOS管M2和第三MOS管M3是高压N型MOS管。
[0016]在本技术一实施例中,所述第四MOS管M4和第五MOS管M5是低压N型MOS管。
[0017]在本技术一实施例中,所述第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9是高压P型MOS管。
[0018]在本技术一实施例中,所述第八MOS管M8是开关功率管。
[0019]具体参阅图3,本技术一实施例提供的关断控制电路的工作原理如下:
[0020]开关控制信号EN为高信号时,第一MOS管M1和第三MOS管M3关断,第二MOS管M2开启,从而使第六MOS管M6和第七MOS管M7慢慢关断,第八MOS管M8和第九MOS管M9的栅极电压开始下降,继而第八MOS管M8导通给负载供电,稳压二极管D1用于钳位第八MOS管M8的栅源电源。开关控制信号EN为低信号时,第一MOS管M1和第三MOS管M3开启,第二MOS管M2关断。开关控制信号EN变低瞬间,第九MOS管M9的栅极电压为低,当第三MOS管M3导通后,第四MOS管M4的栅极电压开始上升,第四MOS管M4导通,形成电流I3,第五MOS管M5和第四MOS管M4成比例地拷贝电流I3形成电流I4,电流I1和I4一起下拉第六MOS管M6的栅极电压,使第七MOS管M7注入到第八MOS管M8和第九MOS管M9的栅极电流显著增大,快速上拉第八MOS管M8的栅极
电压,随着第八MOS管M8和第九MOS管M9的栅极电压升高,电流I3和I4也慢慢变小,直到第九MOS管M9关断,I3和I4减小到零,同时第八MOS管M8也关断停止给负载供电,最终第八MOS管M8和第九MOS管M9的电压被上拉到VM,彻底关断第八MOS管M8。
[0021]本技术另一实施例提供了一种电子设备,所述电子设备包括所述的关本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种关断控制电路,其特征在于,包括:第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第一反相器X1、第二反相器X2、第一电流源I1、第二电流源I2和负载电阻RL;所述第一MOS管M1的栅极分别连接第一反相器X1的输出端、第二反相器X2的输入端和第三MOS管M3的栅极,第一反相器X1的输入端连接开关控制信号EN,第一MOS管M1的漏极分别连接第六MOS管M6的漏极和栅极以及第七MOS管M7的栅极,第一MOS管M1的源极连接第一电流源I1的输入端和第五MOS管M5的漏极,所述第二MOS管M2的栅极连接第二反相器X2的输出端,第二MOS管M2的源极连接第二电流源I2的输入端,第二MOS管M2的漏极连接第七MOS管M7的漏极、第九MOS管M9的栅极和第八MOS管M8的栅极;所述第三MOS管M3的漏极连接第九MOS管M9的漏极,第三MOS管M3的源极分别连接第四MOS管M4的栅极和漏极以及第五MOS管M5的栅极,所述第四MOS管M4的源极分别连接第五MOS管M5的源极、第一电流源I1的输出端、第二电流源I2的输出端、电源地GND和负载...

【专利技术属性】
技术研发人员:肖余肖明王维铁
申请(专利权)人:深圳市矽塔科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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