一种功率开关中的过流保护电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种功率开关中的过流保护电路。本实用新型专利技术包括驱动单元和主通路MOSFET单元，驱动单元与主通路MOSFET单元连接，主通路MOSFET单元漏极上并联有检测MOSFET单元，检测MOSFET单元的源极端串联有采样电阻，采样电阻上并联有控制单元，控制单元接驱动单元。本实用新型专利技术具有体积小，可靠性高的优点。点。点。

【技术实现步骤摘要】
一种功率开关中的过流保护电路


[0001]本技术涉及航空、航海和工业控制等领域，尤其涉及一种功率开关中的过流保护电路。

技术介绍

[0002]功率开关被广泛应用于工业控制等领域，当电路没有过流保护时，输出短路或过载极易导致电源烧毁，进而引起产品损坏。传统的方法是使用保险丝，熔断器等分立元器件进行过流保护电路的设计，在出现过流时，关断主通路MOSFET单元，该电路需要占用较大的板级面积，具有体积大，可靠性差的缺点。

技术实现思路

[0003]本技术为解决
技术介绍
中存在的上述技术问题，而提供一种功率开关中的过流保护电路，具有体积小，可靠性高的优点。
[0004]本技术的技术解决方案是：本技术为一种功率开关中的过流保护电路，包括驱动单元和主通路MOSFET单元，驱动单元与主通路MOSFET单元连接，其特殊之处在于：所述主通路MOSFET单元漏极上并联有检测MOSFET单元，检测MOSFET单元的源极端串联有采样电阻，采样电阻上并联有控制单元，控制单元接驱动单元。
[0005]优选的，检测MOSFET单元采用的MOSFET单元尺寸与主通路MOSFET单元采用的MOSFET单元尺寸成比例关系。
[0006]优选的，采样电阻的阻值小于100欧。
[0007]优选的，采样电阻的温度系数小于100ppm/℃。
[0008]优选的，控制单元采用BL8518。
[0009]优选的，控制单元输出故障信号。
[0010]本技术提供的一种功率开关中的过流保护电路，在现有的功率开关的主通路MOSFET单元上并联一个检测MOSFET单元，减小了过流保护电路对功率开关的影响；通过串联在检测MOSFET单元的采样电阻将电流信号转换为电压信号，进而在负载电流过大时，由控制单元关断主通路MOSFET单元并输出故障信号，因此，本技术具有体积小，可靠性高的优点。
附图说明
[0011]图1是本技术的电路原理图。
具体实施方式
[0012]下面结合附图和具体实施例对本技术的技术方案做进一步详细描述。
[0013]参见图1，本技术具体实施例的结构是在现有的功率开关的主通路MOSFET单元的漏极上并联一个MOSFET单元尺寸成比例的检测MOSFET单元，如尺寸比例为1：2；1：3；1：
4等。由于MOSFET单元的尺寸大小和通过其的电流值为正比例关系，通过MOSFET单元的尺寸设计可使检测MOSFET单元采用的MOSFET单元流过的电流值和主通路MOSFET单元采用的MOSFET单元流过的电流值呈现线性关系，同时在检测MOSFET单元的源极端串联采样电阻，为了确保采样的准确性，采样电阻的阻值要小，以小于100欧为佳，且为了保证全温度范围内的一致性，采样电阻的温度系数要小于100ppm/℃，采样电阻上并联有控制单元，控制单元接驱动单元，其中控制单元采用BL8518，驱动单元为现有的功率开关中的驱动单元。
[0014]当电路工作时，由于检测MOSFET单元流过的电流值和主通路MOSFET单元流过的电流值呈现线性关系，采样电阻两端的电压即可反映出主通路MOSFET单元的漏极电流值。控制单元通过监测采样电阻两端的电压，采集主通路MOSFET单元的漏极电流值，当负载电流(漏极电流值)超过控制单元中设定的额定值时，过流保护启动，控制单元控制驱动单元，将主功率管的栅极拉低，主功率管关断，同时输出故障信号，达到保护功率开关的作用。
[0015]名词解释：
[0016]MOSFET单元：缘栅型场效应晶体管。
[0017]最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率开关中的过流保护电路，包括驱动单元和主通路MOSFET单元，所述驱动单元与主通路MOSFET单元连接，其特征在于：所述主通路MOSFET单元漏极上并联有检测MOSFET单元，所述检测MOSFET单元的源极端串联有采样电阻，所述采样电阻上并联有控制单元，所述控制单元接驱动单元。2.根据权利要求1所述的功率开关中的过流保护电路，其特征在于：所述检测MOSFET单元采用的MOSFET单元尺寸与主通路MOSFET单元采用的MOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱楠，田泽，邵刚，郎静，谢运祥，晁苗苗，余立宁，党思佳，
申请(专利权)人：西安翔腾微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：