一种集成电路内置大功率电阻的散热结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种集成电路内置大功率电阻的散热结构，本实用新型专利技术包括电阻和散热层，电阻处于绝缘层中，电阻上方设置有多层金属层，多层金属层中，每两层金属层之间设置有相通的通孔。本实用新型专利技术在不浪费版图面积的情况下，达到快速散热的目的。达到快速散热的目的。达到快速散热的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路内置大功率电阻的散热结构


[0001]本技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种集成电路内置大功率电阻的散热结构。

技术介绍

[0002]目前在版图设计过程中，在对如何布局电阻，特别是大功率电阻时，考虑到其发热比较高，不仅会影响其本身的阻值，还会影响其周围器件的精度。通常为了保证散热，会拉开电阻间距离，进行分散布局，这样即浪费面积，散热速度又慢。

技术实现思路

[0003]本技术为解决
技术介绍
中存在的上述技术问题，而提供一种集成电路内置大功率电阻的散热结构，在不浪费版图面积的情况下，达到快速散热的目的。
[0004]本技术的技术解决方案是：本技术为一种集成电路内置大功率电阻的散热结构，其特殊之处在于：所述散热结构包括电阻和散热层，电阻处于绝缘层中，电阻上方设置有多层金属层，多层金属层中，每两层金属层之间设置有相通的通孔。
[0005]优选的，每两层金属层之间设的通孔为多个。
[0006]优选的，通孔均布在两层金属层之间。
[0007]优选的，多层金属层与电阻平行，设置在绝缘层上。
[0008]优选的，多层金属层为2层或2层以上。
[0009]优选的，多层金属层结构从第二层金属开始设置。
[0010]优选的，电阻为poly电阻或阱电阻。
[0011]本技术提供的一种集成电路内置大功率电阻的散热结构，通过在电阻正上方设置多层金属层，每两层金属层之间设置有相通的通孔。使电阻产生的热量快速通过金属层和通孔散出，达到快速散热的目的。
附图说明
[0012]图1为本技术的结构示意图。
具体实施方式
[0013]下面结合附图和具体实施例对本技术的技术方案做进一步详细描述。
[0014]参见图1，本技术的具体实施例结构中，是在poly电阻正上方设置4 层金属层，在poly电阻上方设置第一金属层MET1，第一金属层MET1与poly 电阻之间通过接触孔contact连接，为避免金属层影响电阻本身阻值，多层金属结构从第二层金属层MET2开始设置，第二层金属层MET2和第三层金属层 MET3之间设置通孔via2，第三层金属层MET3和第四层金属层MET4之间设置通孔via3，在本实施例中，通孔via2和通孔via3均为4个，均布在金属层之间， poly电阻和4层金属层平行设置在绝缘层1上。
[0015]最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路内置大功率电阻的散热结构，其特征在于：所述散热结构包括电阻和散热层，所述电阻处于绝缘层中，所述电阻上方设置有多层金属层，所述多层金属层中，每两层金属层之间设置有相通的通孔。2.根据权利要求1所述的集成电路内置大功率电阻的散热结构，其特征在于：所述每两层金属层之间设的通孔为多个。3.根据权利要求2所述的集成电路内置大功率电阻的散热结构，其特征在于：所述通孔均布在两层金属层之间。4.根据权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海波，田泽，蒲石，邵刚，郎静，邓广真，郭靖静，杨冠兰，
申请(专利权)人：西安翔腾微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：