一种应用于高压栅极驱动芯片的集成电源控制电路制造技术

本发明专利技术公开了一种应用于高压栅极驱动芯片的集成电源控制电路，包括芯片，所述芯片连接有高压输入电源VM，所述高压输入电源VM连接有第一降压模块，所述第一降压模块连接有第二降压模块，所述第二降压模块连接有低压输出电路。本发明专利技术通过简单的环路控制实现精准的二级降压，第一降压VG通过外置第一晶体管MOSFET1可以实现大负载电流并减小芯片的发热，第二降压VS通过集成第二晶体管MOSFET2可以简化外围电路，无明显增加芯片热量的情况下给外围低压小电流电路供电，本发明专利技术电路结构简单且成本低，相互不会出现干扰。相互不会出现干扰。相互不会出现干扰。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于高压栅极驱动芯片的集成电源控制电路


[0001]本专利技术属于电路
，具体涉及一种应用于高压栅极驱动芯片的集成电源控制电路。

技术介绍

[0002]集成电源是一种微型电子器件或部件，采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构，传统的集成电源方式是通过高压DC
‑
DC实现降压，电路复杂和成本高，相互容易干扰，影响使用。

技术实现思路

[0003]针对上述
技术介绍
所提出的问题，本专利技术的目的是：旨在提供一种应用于高压栅极驱动芯片的集成电源控制电路。
[0004]为实现上述技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：
[0005]一种应用于高压栅极驱动芯片的集成电源控制电路，包括芯片，所述芯片连接有高压输入电源VM，所述高压输入电源VM连接有第一降压模块，所述第一降压模块连接有第二降压模块，所述第二降压模块连接有低压输出电路。
[0006]进一步限定，所述第一降压模块包括有第一降压VG，所述第一降压VG连接有第一基准电源vref1，所述第一降压VG连接有输出电路，所述输出电路与第二降压模块电连接。
[0007]进一步限定，所述所述第二降压模块包括有第二降压VS，所述第二降压VS与输出电路电连接，所述第二降压VS的一侧电连接有第二基准电源vref2，所述第二降压VS的另一侧与低压输出电路相连接。
[0008]进一步限定，所述所述第一降压VG在芯片外连接有第一晶体管MOSFET1，所述晶体管MOSFET1与芯片之间存在散热间距。
[0009]进一步限定，所述所述第二降压VS通过集成连接有第二晶体管MOSFET2，所述第二晶体管MOSFET2安装在芯片上。
[0010]本专利技术的有益效果为：本专利技术通过简单的环路控制实现精准的二级降压，第一降压VG通过外置第一晶体管MOSFET1可以实现大负载电流并减小芯片的发热，第二降压VS通过集成第二晶体管MOSFET2可以简化外围电路，无明显增加芯片热量的情况下给外围低压小电流电路供电，本专利技术电路结构简单且成本低，相互不会出现干扰。
附图说明
[0011]本专利技术可以通过附图给出的非限定性实施例进一步说明；
[0012]图1为本专利技术实施例一种应用于高压栅极驱动芯片的集成电源控制电路的结构示意图；
[0013]主要元件符号说明如下：
[0014]高压输入电源VM、第一降压VG、第一基准电源vref1、第二降压VS、第二基准电源vref2、第一晶体管MOSFET1、第二晶体管MOSFET2。
具体实施方式
[0015]为了使本领域的技术人员可以更好地理解本专利技术，下面结合附图和实施例对本专利技术技术方案进一步说明。
[0016]如图1所示，本专利技术的一种应用于高压栅极驱动芯片的集成电源控制电路，芯片连接有高压输入电源VM，高压输入电源VM连接有第一降压模块，第一降压模块连接有第二降压模块，第二降压模块连接有低压输出电路。
[0017]本实施例中，通过高压输入电源VM输入高压电流，高压电流经过第一降压模块，通过第一降压模块内的第一降压VG降压并输出12v的电压，然后12v的电压与第一基准电源V1接触后再次进入到第二降压VS，通过第二降压VS的降压，并结合第二基准电源V2输出5v的低压电源给外围低压小电流电路供电
[0018]优选第一降压模块包括有第一降压VG，第一降压VG连接有第一基准电源vref1，第一降压VG连接有输出电路，输出电路与第二降压模块电连接。
[0019]优选第二降压模块包括有第二降压VS，第二降压VS与输出电路电连接，第二降压VS的一侧电连接有第二基准电源vref2，第二降压VS的另一侧与低压输出电路相连接。
[0020]优选第一降压VG在芯片外连接有第一晶体管MOSFET1，晶体管MOSFET1与芯片之间存在散热间距。
[0021]优选第二降压VS通过集成连接有第二晶体管MOSFET2，第二晶体管MOSFET2安装在芯片上。
[0022]上述实施例仅示例性说明本专利技术的原理及其功效，而非用于限制本专利技术。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本专利技术的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，凡所属
中具有通常知识者在未脱离本专利技术所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本专利技术的权利要求所涵盖。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于高压栅极驱动芯片的集成电源控制电路，其特征在于：包括芯片，所述芯片连接有高压输入电源VM，所述高压输入电源VM连接有第一降压模块，所述第一降压模块连接有第二降压模块，所述第二降压模块连接有低压输出电路。2.根据权利要求1所述的一种应用于高压栅极驱动芯片的集成电源控制电路，其特征在于：所述第一降压模块包括有第一降压VG，所述第一降压VG连接有第一基准电源vref1，所述第一降压VG连接有输出电路，所述输出电路与第二降压模块电连接。3.根据权利要求2所述的一种应用于高压栅极驱动芯片的集成电源控制电路，其特征在于：所述第二降压...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖明，肖余，王维铁，
申请(专利权)人：深圳市矽塔科技有限公司，
类型：发明
国别省市：