一种改善POFV工艺阻抗均匀性的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善POFV工艺阻抗均匀性的方法，该方法包括如下步骤：前流程

【技术实现步骤摘要】
一种改善POFV工艺阻抗均匀性的方法


[0001]本专利技术涉及电镀
，尤其涉及一种改善POFV工艺阻抗均匀性的方法。

技术介绍

[0002]传统POFV工艺流程为：上工序
→
一次钻孔
→
沉铜
→
一次全板电镀
→
树脂塞孔
→
陶瓷磨板
→
减薄铜
→
二次钻孔
→
二次沉铜
→
二次全板电镀
→
干膜
→
下工序，可见传统工艺没有镀孔，若增加镀孔步骤，则因有树脂塞孔工艺，生产时需要做2次钻孔+2次电镀+1次减薄铜流程，因流程设计电镀加镀及减铜会有均匀性问题，多次电镀及减薄铜后造成电镀完成铜厚不均匀性，蚀刻时会有线宽不均匀情况，易造成蚀刻后阻抗公差超标的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术公开了一种改善POFV工艺阻抗均匀性的方法，其可以解决
技术介绍
中提及的传统POFV工艺所存在的技术问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术的技术方案为：
[0005]一种改善POFV工艺阻抗均匀性的方法，该方法包括如下步骤：前流程
→
一次钻孔
→
沉铜
→
一铜
→
镀孔干膜
→
镀孔
→
退膜
→
树脂塞孔
→
一次陶瓷磨板
→
减薄铜
→
二次陶瓷磨板
→
二次钻孔
→
沉铜
→
二次VCP
→
电镀后磨板
→
干膜
→
蚀刻
→
后工序。
[0006]作为本专利技术的一种优选改进，在减薄铜步骤，需要减铜至0.7
‑
0.9mil。
[0007]本专利技术的有益效果如下：改善POFV工艺因铜厚不均造成蚀刻不净、阻抗控制精度问题。
【附图说明】
[0008]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
[0009]图1为本专利技术PCB板结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]下面将结合本专利技术实施例对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0011]需要说明，本专利技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0012]另外，在本专利技术中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0013]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0014]另外，本专利技术各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。
[0015]本专利技术提供一种改善POFV工艺阻抗均匀性的方法，该方法包括如下步骤：前流程
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一次钻孔
→
沉铜
→
一铜
→
镀孔干膜
→
镀孔
→
退膜
→
树脂塞孔
→
一次陶瓷磨板
→
减薄铜
→
二次陶瓷磨板
→
二次钻孔
→
沉铜
→
二次VCP
→
电镀后磨板
→
干膜
→
蚀刻
→
后工序。
[0016]需要进一步说明的是，在减薄铜步骤，需要减铜至0.7
‑
0.9mil。
[0017]本专利技术通过优化POFV工艺流程，由传统流程的2次负片加厚铜方式，变更为一次镀孔+1次负片加厚厚铜方式，减少一次负片加厚铜，降低铜厚均匀性对蚀刻线宽影响，进而确保阻抗精度。
[0018]再参阅图1所示，因传统POFV工艺因改为镀孔工艺后，电镀受镀面积较小，电镀生产所需电流低于电镀设备整流器输出最小电流，易造成孔口电流密度较大，电镀出现孔口“封孔”现象，因此，本专利技术提供的改善POFV工艺阻抗均匀性的方法，在PCB板的非图形区域内增加了PTH孔，从而增大了镀孔面积，进而可以解决上述技术问题。
[0019]本专利技术的有益效果如下：改善POFV工艺因铜厚不均造成蚀刻不净、阻抗控制精度问题。
[0020]尽管本专利技术的实施方案已公开如上，但并不仅仅限于说明书和实施方案中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本专利技术的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本专利技术并不限于特定的细节和这里所示出与描述的图例。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善POFV工艺阻抗均匀性的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：前流程
→
一次钻孔
→
沉铜
→
一铜
→
镀孔干膜
→
镀孔
→
退膜
→
树脂塞孔
→
一次陶瓷磨板
→
减薄铜
→
...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文敏，李艳国，李飞，陈钟俊，
申请(专利权)人：泰和电路科技惠州有限公司，
类型：发明
国别省市：