发光器件、显示面板及其制备方法技术

本申请实施例公开了一种发光器件、一种显示面板、一种显示面板制备方法，发光器件包括第一衬底、N型接触层、有源层、P型接触层，其中所述P型接触层上还设置有第一电极、以及围绕所述第一电极设置的第二电极，所述第二电极关于所述第一电极呈对称设置；通过将第二电极围绕所述第一电极设置，且第二电极上的任一点到所述第一电极的中心点的距离相等，将第二电极上的任一点与TFT器件的对应电极抵接对齐，就能完成miniLED的转移，降低了发光器件的巨量转移制程的难度。转移制程的难度。转移制程的难度。

【技术实现步骤摘要】
发光器件、显示面板及其制备方法


[0001]本申请涉及显示面板
，具体涉及一种发光器件和一种显示面板以及一种显示面板制备方法。

技术介绍

[0002]Micro LED和Mini LED在显示的亮度，色域、残影、功耗、寿命等方面优于现有的OLED和LCD显示装置，但是目前量产的技术瓶颈在于巨量转移制程，现有的技术无法在较小的节拍时间内将大量发光器件安装在驱动板(包括第一衬底和TFT器件)的对应位置。
[0003]同时，现有的发光器件多是PN级轴对称设计，这种设计使得设备在转移LED时需要按照正确方向对准安装LED元件，极大的增大转移难度和repair的难度。
[0004]因此，现有显示面板存在巨量转移发光器件的对准难度大的技术问题。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种发光器件和一种显示面板制备方法，可以缓解现有显示面板存在巨量转移发光器件的对准难度大的技术问题。
[0006]本申请提供一种发光器件，包括：
[0007]第一衬底；
[0008]设置在所述第一衬底上的N型接触层；
[0009]设置在所述N型接触层上的有源层；
[0010]设置在所述有源层上的P型接触层；
[0011]其中，所述P型接触层上还设置有第一电极、以及围绕所述第一电极设置的第二电极。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电极和所述第二电极之间还设置有PN绝缘层。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电极为P极/N极，所述第二电极为N极/P极。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二电极围绕所述第一电极设置，且所述第二电极上的任一点到所述第一电极中心点的距离相等。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，在同一截面内，所述第一电极的宽度大于或等于任一位置的所述第二电极的宽度。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二电极远离所述第一电极的一侧表面还设置有第一封装层，所述第一封装层围绕所述第二电极设置。
[0017]本申请提供一种显示面板，包括：
[0018]第二衬底；
[0019]设置在所述第二衬底上的TFT器件，所述TFT器件包括源极、以及接地端；
[0020]设置在所述第二衬底上的发光器件，所述发光器件包括第一电极、以及围绕所述
第一电极设置的第二电极；
[0021]其中，当所述第一电极为P极时，所述第一电极与所述源极抵接设置，所述第二电极与所述接地端抵接设置，或当所述第一电极为N极时，所述第一电极与所述接地端抵接设置，所述第二电极与所述源极抵接设置。
[0022]本申请提供一种显示面板制备方法，包括：
[0023]提供第二衬底；
[0024]在所述第二衬底上制备得到TFT器件；
[0025]提供发光器件，所述发光器件包括第一电极、以及围绕所述第一电极设置的第二电极，所述第二电极关于所述第一电极呈对称设置；
[0026]将所述发光器件转移到第二衬底上，使P极与源极抵接，N极与接地端抵接。
[0027]可选的，在本申请的一些实施例中，将所述发光器件转移到第二衬底的步骤还包括：提供的发光器件的第一电极为P极且第二电极为N极时，将所述第二电极与所述接地端对齐抵接设置。
[0028]可选的，在本申请的一些实施例中，将所述发光器件转移到第二衬底的步骤还包括：提供的发光器件的第一电极为N极且第二电极为P极时，将所述第二电极与所述源极对齐抵接设置。
[0029]本申请实施例提供的发光器件包括第一衬底、设置在所述第一衬底上的N型接触层、设置在所述N型接触层上的有源层、设置在所述有源层上的P型接触层，其中所述P型接触层上还设置有第一电极、以及围绕所述第一电极设置的第二电极；通过将第二电极围绕所述第一电极设置，且第二电极上的任一点到所述第一电极的中心点等间距位置，将第二电极上的任一点与TFT器件的对应电极抵接对齐，就能完成miniLED的转移，降低了发光器件的巨量转移制程的难度。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1是本申请实施例提供的发光器件的第一种截面示意图；
[0032]图2是本申请实施例提供的发光器件的第二种截面示意图；
[0033]图3是本申请实施例提供的发光器件的俯视示意图；
[0034]图4是本申请实施例提供的显示面板制备方法的流程图；
[0035]图5是本申请实施例提供的显示面板的第一种截面示意图；
[0036]图6是本申请实施例提供的显示面板的第二种截面示意图。
[0037]附图标记说明：
[0038][0039]具体实施方式
[0040]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0041]本申请实施例提供一种发光器件和一种显示面板及其制备方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
[0042]如图1、图2所示，本申请实施例提供的所述发光器件1包括所述第一衬底10、设置在所述第一衬底10上的所述N型接触层20、设置在所述N型接触层20上的所述有源层30、设置在所述有源层30上的所述P型接触层40，其中，所述P型接触层40上还设置有所述第一电极50、以及围绕所述第一电极50设置的所述第二电极60。
[0043]在本实施例中，所述发光器件1包括所述第一衬底10、设置在所述第一衬底10上的所述N型接触层20、设置在所述N型接触层20上的所述有源层30、设置在所述有源层30上的所述P型接触层40，其中所述P型接触层40上还设置有所述第一电极50、以及围绕所述第一电极50设置的所述第二电极60；通过将所述第二电极60围绕所述第一电极50设置，且所述第二电极60上的任一点到所述第一电极50的中心点(图中未标注)等间距位置，将所述第二电极60上的任一点与TFT器件(图中未标注)的对应电极抵接对齐，就能完成miniLED的转移，降低了所述发光器件1的巨量转移制程的难度。
[0044]其中，如图1所示，当所述第一电极50为P本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：第一衬底；设置在所述第一衬底上的N型接触层；设置在所述N型接触层上的有源层；设置在所述有源层上的P型接触层；其中，所述P型接触层上还设置有第一电极、以及围绕所述第一电极设置的第二电极，当所述第一电极为N极、所述第二电极为P极时，所述第一电极通过过孔与所述N型接触层连接，或当所述第一电极为P极、所述第二电极为N极时，所述第二电极通过过孔与所述N型接触层连接。2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极之间还设置有PN绝缘层。3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极为P极/N极，所述第二电极为N极/P极。4.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第二电极围绕所述第一电极设置，且所述第二电极上的任一点到所述第一电极中心点的距离相等。5.如权利要求4所述的发光器件，其特征在于，在同一截面内，所述第一电极的宽度大于或等于所述第二电极的宽度。6.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第二电极远离所述第一电极的一侧表面还设置有第一封装层，所述第一封装层围绕所述第二电极设置。7.一种显示面板，其特征在于，包括：第二衬底；...

【专利技术属性】
技术研发人员：何昆鹏，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：