扩片方法以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种扩片方法，该方法包括：使贴合有多个半导体装置(CP)的第1片(10)伸展，以扩大多个半导体装置(CP)的间隔的工序，多个半导体装置(CP)分别具有第1半导体装置面(W1)、和第1半导体装置面(W1)的相反侧的第2半导体装置面(W3)，多个半导体装置(CP)分别是在第2半导体装置面(W3)与上述第1片(10)之间包含着保护层(100)而贴合的。含着保护层(100)而贴合的。含着保护层(100)而贴合的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】扩片方法以及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及扩片方法以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，电子设备的小型化、轻质化及高功能化不断发展。对于电子设备所搭载的半导体装置也要求小型化、薄型化及高密度化。半导体芯片有时被安装于与其尺寸接近的封装件。这样的封装件有时也被称为芯片级封装件(Chip Scale Package；CSP)。作为CSP之一，可以举出晶圆级封装(Wafer Level Package；WLP)。在WLP中，在通过切割进行单片化之前，在晶片形成外部电极等，最终将晶片切割而进行单片化。作为WLP，可以列举扇入(Fan
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In)型和扇出(Fan
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Out)型。在扇出型的WLP(以下，也称为，有时简称为“FO
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WLP”)中，将半导体芯片用密封材料覆盖成为比芯片尺寸大的区域，形成半导体芯片密封体，不仅在半导体芯片的电路面、在密封材料的表面区域也形成再布线层及外部电极。
[0003]例如，专利文献1中记载了一种半导体封装件的制造方法，该方法包括：对于由半导体晶片经单片化而成的多个半导体芯片，保留其电路形成面，使用模具构件将其周围包围而形成扩张晶片，使再布线图案延伸至半导体芯片外的区域而形成半导体封装件。在专利文献1所记载的制造方法中，在用模具构件包围单片化而成的多个半导体芯片之前，转粘于扩片用的晶片贴装带，将晶片贴装带延展而使多个半导体芯片之间的距离扩大。
[0004]另外，专利文献2中记载了一种粘合片，其依次具备第二基材层、第一基材层、及第一粘合剂层，且第二基材层的断裂伸长率为400％以上。专利文献2中记载的半导体装置的制造方法包括：将半导体晶片贴合于该粘合片的第一粘合剂层的工序；通过切割而将半导体晶片单片化，形成多个半导体芯片的工序；以及将粘合片抻展，以扩大半导体芯片彼此的间隔的工序。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：国际公开第2010/058646号
[0008]专利文献2：日本特开2017
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076748号公报

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的问题
[0010]在扩片工序中使用的带通常具有用于将带上的半导体芯片固定的粘合剂层、和用于支撑粘合剂层的基材。在如专利文献1中记载的那样将扩片用的晶片贴装带抻展时，不仅带的基材、粘合剂层也会被抻展。而在扩片工序后将半导体芯片从粘合剂层剥离时，有时会发生在与粘合剂层相接在一起的半导体芯片的表面残留粘合剂层的不良情况。在本说明书中，有时将这样的不良情况称为残胶。
[0011]需要说明的是，在使用专利文献2中记载的粘合片来实施扩片工序时，可认为，由于与半导体芯片相接在一起的粘合剂层不会发生抻展，因此不易产生残胶。但由于专利文
献2中记载的粘合片是使第二基材层、第一基材层及第一粘合剂层层叠而成的带构成，因此，对于能够采用更简单的带构成来防止残胶的扩片方法存在要求。另外，在专利文献2记载的工艺中，是对粘合片上的半导体晶片进行切割，不转印至其它粘合片而直接将粘合片抻展来实施扩片工序。因此，需要小心地控制切割刀片的切痕深度以使切割时的切割刀片不会到达第二基材层，因而还对能够采用更简单的方法来防止残胶的扩片方法存在要求。
[0012]需要说明的是，在扩片方法中，作为支撑在粘合片上的被粘附物，不仅包括半导体芯片，还可列举例如晶片、半导体装置封装件、及微型LED等半导体装置。关于这些半导体装置，也与半导体芯片同样地，有时使半导体装置彼此的间隔扩张。
[0013]本专利技术的目的在于提供与以往相比可以简化带构成及工艺中的至少任一者、同时可以抑制残胶的扩片方法，以及包含该扩片方法的半导体装置的制造方法。
[0014]解决问题的方法
[0015]根据本专利技术的一个实施方式，可提供一种扩片方法，该方法包括：使贴合有多个半导体装置的第1片伸展，以扩大上述多个半导体装置的间隔的工序，上述多个半导体装置分别具有第1半导体装置面、和上述第1半导体装置面的相反侧的第2半导体装置面，上述多个半导体装置分别是在上述第1半导体装置面或上述第2半导体装置面与上述第1片之间包含着保护层而贴合的。
[0016]在本专利技术的一个方式涉及的扩片方法中，优选在上述第1半导体装置面形成上述保护层之后，将上述多个半导体装置贴合于上述第1片。
[0017]在本专利技术的一个方式涉及的扩片方法中，优选对加工对象物进行切割而得到上述多个半导体装置。
[0018]在本专利技术的一个方式涉及的扩片方法中，优选在上述加工对象物上形成上述保护层，且对上述加工对象物及上述保护层进行切割而得到上述多个半导体装置。
[0019]在本专利技术的一个方式涉及的扩片方法中，优选将形成有上述保护层的上述加工对象物贴合于具有第2粘合剂层和第2基材的第2粘合片的上述第2粘合剂层，对上述保护层及上述加工对象物进行切割而得到上述多个半导体装置，将上述第1片贴合于切割后的上述保护层。
[0020]在本专利技术的一个方式涉及的扩片方法中，优选在将上述第1片贴合于切割后的上述保护层之后，将上述第2粘合片剥离。
[0021]在本专利技术的一个方式涉及的扩片方法中，优选将上述加工对象物贴合于具有上述保护层和第3片的复合片的上述保护层，对上述加工对象物及上述保护层进行切割而得到上述多个半导体装置，将上述第3片从上述保护层剥离。
[0022]在本专利技术的一个方式涉及的扩片方法中，优选上述保护层和上述第1片预先层叠在一起，上述加工对象物由上述保护层支撑，对上述加工对象物及上述保护层进行切割而得到上述多个半导体装置。
[0023]在本专利技术的一个方式涉及的扩片方法中，上述加工对象物优选为半导体晶片。
[0024]在本专利技术的一个方式涉及的扩片方法中，优选上述第1片为扩展片。
[0025]在本专利技术的一个方式涉及的扩片方法中，优选上述第1半导体装置面具有电路。
[0026]根据本专利技术的一个实施方式，可提供包括上述本专利技术的一个方式涉及的扩片方法的半导体装置的制造方法。
[0027]根据本专利技术的一个实施方式，可提供与以往相比可以简化带构成及工艺中的至少任一者、同时可以抑制残胶的扩片方法。根据本专利技术的另一个实施方式，可以提供包含该扩片方法的半导体装置的制造方法。
附图说明
[0028]图1A是对第1实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
[0029]图1B是对第1实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
[0030]图1C是对第1实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
[0031]图2A是对第1实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
[0032]图2B是对第1实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
[0033]图3是对第1实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
[0034]图4A是对第1实施方式涉及的制造方法进行说明的剖本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种扩片方法，该方法包括：使贴合有多个半导体装置的第1片伸展，以扩大所述多个半导体装置的间隔的工序，所述多个半导体装置分别具有第1半导体装置面、和所述第1半导体装置面的相反侧的第2半导体装置面，所述多个半导体装置分别是在所述第1半导体装置面或所述第2半导体装置面与所述第1片之间包含着保护层而贴合的。2.根据权利要求1所述的扩片方法，其中，在所述第1半导体装置面形成所述保护层之后，将所述多个半导体装置贴合于所述第1片。3.根据权利要求1或2所述的扩片方法，其中，对加工对象物进行切割而得到所述多个半导体装置。4.根据权利要求3所述的扩片方法，其中，在所述加工对象物上形成所述保护层，对所述加工对象物及所述保护层进行切割而得到所述多个半导体装置。5.根据权利要求4所述的扩片方法，其中，将形成有所述保护层的所述加工对象物贴合于具有第2粘合剂层和第2基材的第2粘合片的所述第2粘合剂层，对所述保护层及所述加工对象物进行切割而得到所述多个半导体装置，将...

【专利技术属性】
技术研发人员：布施启示，稻男洋一，山田忠知，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：