本发明专利技术涉及PCB板生产技术领域，具体涉及一种半导体基板用保护膜是否剥离监视装置及方法，包括发光装置，所述发光装置朝向基板即拍摄对象正向照射光；第一偏光子，所述第一偏光子位于所述发光装置的前方，使所述发光装置生成的光变换成线偏光，入射到拍摄对象方向；第二偏光子，所述第二偏光子与所述第一偏光子具有直交性，位于基板与受光传感器之间，使被基板反射的第一反射光变换成第二反射光，穿过受光传感器方向；受光传感器，所述受光传感器接受穿过所述第二偏光子的光，生成光相关电信号并传输给控制部；控制部，所述控制部以从受光传感器传输的光相关电信号或光强度值为基础，判断检查对象基板T表面是否残留有膜。判断检查对象基板T表面是否残留有膜。判断检查对象基板T表面是否残留有膜。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体基板用保护膜是否剥离监视装置及方法
[0001]本专利技术涉及PCB板生产
，具体涉及一种半导体基板用保护膜是否剥离监视装置及方法。
技术介绍
[0002]授权专利10-1119571号公开了半导体印刷电路板的保护膜自动剥离机及膜剥离方法提供一种半导体印刷电路板的保护膜自动剥离机，其特征在于，包括：加载器，所述加载器将在上下面附着有膜的基板加载到工作台上；定位器，所述定位器对位于工作台上的基板进行定位；划痕器，所述划痕器在膜一侧(基板行进方向侧)边缘形成上、下划痕部，在基板与膜之间形成缝隙；上部穿梭器，所述上部穿梭器构成得在工作台上吸附基板的上部，按第一往复距离进行往复运动；下部胶带单元，所述下部胶带单元使第一粘性胶带附着于形成有划痕部的下部膜一侧，所述上部穿梭器使基板移动到一侧，或下部胶带单元移动到另一侧，揭下下部膜；下部穿梭器，所述下部穿梭器构成得从所述上部穿梭器接受传递揭开下部膜的基板并把持，按第二往复距离进行往复运动；上部胶带单元，所述上部胶带单元使第二粘性胶带附着于形成有划痕部的上部膜一侧，下部穿梭器将基板移动到一侧，或上部胶带单元移动到另一侧，揭下上部膜。
[0003]授权专利第10-1837443号(专利权人与本专利技术的申请人相同)公开了一种利用视频摄像头的半导体基板用保护膜是否剥离确认系统及利用视频摄像头的半导体基板用保护膜是否剥离确认系统中使用的影像处理算法，其特征在于，包括：视频摄像头10，所述视频摄像头10向剥离的基板进行照明而获得影像；影像处理部20，所述影像处理部20为了在借助于所述视频摄像头10而获得的影像中确认膜是否残留而执行对基板与膜进行区分的影像处理算法；控制部30，所述控制部30根据所述影像处理部20的处理结果而控制膜自动剥离装置或者向操作者或管理者发出警告。
[0004]如上所述，需要确认膜是否完全被膜自动剥离装置剥离的装置或方法，本申请人多次测试结果表明，在为无偏光影像分析的情况下，存在因错误感知以及未感知导致的问题。这成为影响批量生产、降低设备可靠度的因素。因此，需要一种准确判断剥离是否正常进行的系统。
[0005]本申请人在数年前开发膜自动剥离装置并成功实现商用化后，数年间试图开发能够进行实地应用的有无残留膜判别装置，但在技术开发及实地应用性方面存在困难，最终开发了实地应用性优异、判别误差极小、装置构成不复杂的本专利技术。
技术实现思路
[0006]本专利技术旨在提供一种能够解决以往目视或利用无偏光影像分析的确认膜是否剥离的问题，准确迅速地自动判断膜是否剥离或膜是否部分残留的半导体基板用保护膜是否剥离监视装置及方法。
[0007]本专利技术提供了一种半导体基板用保护膜是否剥离监视装置，包括：
[0008]发光装置，所述发光装置朝向基板正向照射光；
[0009]第一偏光子，所述第一偏光子位于发光装置的前方，使发光装置生成的光变换成线偏光，入射到基板方向；
[0010]第二偏光子，所述第二偏光子与第一偏光子具有直交性，位于基板与受光传感器之间，使被基板反射的第一反射光变换成第二反射光，穿过受光传感器方向；
[0011]受光传感器，所述受光传感器接受穿过第二偏光子的光，生成光相关电信号并传输给控制部；
[0012]控制部，所述控制部以从受光传感器传输的光相关电信号或光强度值为基础，判断基板表面是否残留有膜。
[0013]本专利技术提供了一种半导体基板用保护膜是否剥离监视装置，包括：
[0014]发光装置，所述发光装置使第一光发光前进；
[0015]偏光子，所述偏光子隔开位于发光装置的前方，使正向前进的发光装置的光变换成第二线偏光；
[0016]1/4λ波片，所述1/4λ波片邻接位于第一偏光子的前方，使正向穿过的第二线偏光变换成圆偏光或椭圆偏光；
[0017]受光传感器，所述受光传感器接受基板即判断膜是否附着的检查对象的表面反射后逆向依次穿过1/4λ波片和偏光子的光，生成为光相关电信号并传输给控制部；
[0018]控制部，所述控制部利用从受光传感器传输的光相关电信号，算出光强度值，利用算出的光强度值来判断在基板表面是否有膜附着。
[0019]本专利技术还提供了一种半导体基板用保护膜是否剥离监视方法，包括以下步骤：
[0020]S100，滤光器准备步骤，准备针对等向性物质和非等向性物质具有不同透光特性的且包括偏光子的滤光器装置；
[0021]S200，照光步骤，所述发光装置朝向基板正向照射光；
[0022]S300，滤光器旋转步骤，在所述滤光器装置位于发光装置与基板之间的状态下，所述旋转装置使滤光器装置旋转；
[0023]S400，反射光感知步骤，所述受光传感器接受被基板反射的反射光，生成关于光强度的电信号；
[0024]S500，膜是否残留判断步骤，所述控制部以从受光传感器传输的光相关电信号为基础，判断在基板表面是否有膜残留。
[0025]本专利技术提供的技术方案产生的有益效果在于：
[0026]1、本专利技术提供了一种利用因包括偏光子的滤光器旋转而发生的受光周期性，利用受光光线的强度的周期变动性或变动性的大小，监视半导体基板用保护膜是否剥离的装置及方法。
[0027]2、本专利技术提供了一种不进行以往的精密影像分析等，而是根据反射的光强度或反射的光强度变动性的差异，只利用光电二极管信号和判别器便能够准确地判别检查区域有无膜残留的半导体基板用保护膜是否剥离监视装置及方法。
[0028]3、本专利技术中提供了一种能够利用穿过偏光子而入射后的残留膜导致的双折射现象，使有膜时与无膜时反射光特性差异即光强度差异放大后，利用光传感器迅速处理、判断既定区域有无膜残留的半导体基板用保护膜是否剥离监视装置及方法。
[0029]综上所述，本专利技术提供的一种半导体基板用保护膜是否剥离监视装置及方法，能够以简单结构但性能优异，相比影像处理更廉价的组成结构实现本专利技术，并且在半导体生产线实地应用性、生产率以及商品性上都非常优异。
附图说明
[0030]图1是本专利技术实施例一中半导体基板用保护膜是否剥离监视装置的分解立体图；
[0031]图2是本专利技术实施例一中半导体基板用保护膜是否剥离监视装置的整体结构示意图；
[0032]图3是本专利技术实施例一中半导体基板用保护膜是否剥离监视装置的剖面图；
[0033]图4是有残留膜时、无残留膜时的本专利技术半导体用基板保护膜是否剥离监视装置的使用状态图；
[0034]图5是本专利技术半导体基板用保护膜是否剥离监视方法流程图；
[0035]图6是本专利技术的等向性材质、非等向性材质的双折射现象说明图；
[0036]图7是有残留膜时、无残留膜时本专利技术在人为地发生的光强度的旋转周期性说明图；
[0037]图8是有残留膜时、无残留膜时本专利技术中控制部的光强度的旋转周期性评价说明图；
[0038]图9是本专利技术实施例二中半导体基板用保护膜是否剥离监视装置构成图；本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体基板用保护膜是否剥离监视装置，其特征在于，包括：发光装置(10)，所述发光装置(10)朝向基板(T)正向照射光；第一偏光子(20)，所述第一偏光子(20)位于发光装置(10)的前方，使发光装置(10)生成的光变换成线偏光，入射到基板(T)方向；第二偏光子(30)，所述第二偏光子(30)与第一偏光子(20)具有直交性，位于基板(T)与受光传感器(50)之间，使被基板(T)反射的第一反射光变换成第二反射光，穿过受光传感器(50)方向；受光传感器(50)，所述受光传感器(50)接受穿过第二偏光子(30)的光，生成光相关电信号并传输给控制部(60)；控制部(60)，所述控制部(60)以从受光传感器(50)传输的光相关电信号或光强度值为基础，判断基板(T)表面是否残留有膜。2.根据权利要求1所述的一种半导体基板用保护膜是否剥离监视装置，其特征在于，所述第一偏光子(20)和/或第二偏光子(30)以基板(T)为基准进行相对旋转运动。3.根据权利要求2所述的一种半导体基板用保护膜是否剥离监视装置，其特征在于，所述控制部(60)以因第一偏光子(20)或第二偏光子(30)的旋转运动而发生的光强度周期变动性的程度为基准，判断膜是否残留。4.根据权利要求1所述的一种半导体基板用保护膜是否剥离监视装置，其特征在于，所述控制部(60)将实时测量的既定时间区间内发生的光强度的变动性测量值，与在无残留膜的区域预先测量的光强度的变动性基准值进行比较，当变动性测量值比变动性基准值大既定值以上时，判断为在检查区域存留有膜。5.根据权利要求1所述的一种半导体基板用保护膜是否剥离监视装置，其特征在于，所述发光装置(10)为LED，在前方还配备有聚光透镜(15)。6.一种半导体基板用保护膜是否剥离监视装置，其特征在于，包括：发光装置(310)，所述发光装置(310)使第一光发光前进；偏光子(320)，所述偏光子(320)隔开位于发光装置(310)的前方，使正向前进的发光装置(310)的光变换成第二线偏光；1/4λ波片(330)，所述1/4λ波片(330)邻接位于第一偏光子(20)的前方，使正向穿过的第二线偏光变换成圆...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄善伍，
申请(专利权)人：考姆爱斯株式会社，
类型：发明
国别省市：
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