一种用于封装芯片的陶瓷外壳制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于封装芯片的陶瓷外壳，包括陶瓷，陶瓷是一个矩形板，陶瓷的下表面安装有多组电极，每组电极包括一个长电极和一个短电极，相邻两组电极中心对称；陶瓷的上表面的中线位置安装一排上电极，每个上电极通过导体穿过陶瓷上的通孔连接长电极，上电极的两侧布置两排铜钼铜，每个铜钼铜通过导体穿过陶瓷上的通孔连接短电极。本实用新型专利技术采用对称设计，可以在较小的零件尺寸内实现了多个芯片的集成，压丝区设计在中间陶瓷隔离区，中间陶瓷隔离区具备横向电隔离和纵向导电通路的双重作用，提高零件集成度，热层设计为铜钼铜结构，满足热容和热匹配的双重要求，同时尽量放大铜钼铜的表面积，对陶瓷表面积的利用率很高。高。高。

【技术实现步骤摘要】
一种用于封装芯片的陶瓷外壳


[0001]本技术涉及一种用于封装二极管阵列的陶瓷零件。

技术介绍

[0002]二极管阵列陶瓷零件应用于TVS、稳压、整流等二极管分立器件的集成，陶瓷零件需要将多个芯管整合在一起，因此如何在提高集成度是陶瓷零件设计的难点。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题是：针对现有陶瓷零件集成度不高的问题，提供了一种高集成度的陶瓷零件。
[0004]本技术的技术方案是：
[0005]一种用于封装芯片的陶瓷外壳，包括陶瓷，陶瓷是一个矩形板，陶瓷的下表面安装有多组电极，每组电极包括一个长电极和一个短电极，相邻两组电极中心对称；陶瓷的上表面的中线位置安装一排上电极，每个上电极通过导体穿过陶瓷上的通孔连接长电极，上电极的两侧布置两排铜钼铜，每个铜钼铜通过导体穿过陶瓷上的通孔连接短电极。
[0006]所述导体为铜柱，共有6组或8组电极。
[0007]铜钼铜呈矩形片状，安装在陶瓷上表面的凹槽中。
[0008]每两个上电极的两侧各有一片铜钼铜，相邻两个上电极的宽度加上两者的间距小于铜钼铜的宽度。
[0009]所述凹槽的深度大于二分之一陶瓷厚度。
[0010]铜钼铜、长电极和短电极表面镀金，上电极表面镀镍。
[0011]陶瓷上表面的四周安装边框。
[0012]导体的直径小于陶瓷上通孔的直径，长电极、短电极、上电极和铜钼铜的数量均为个。
[0013]长电极、短电极、上电极和铜钼铜分别将其所覆盖的通孔端面密封。<br/>[0014]每个铜钼铜通过两个导体连接短电极。
[0015]本技术的有益效果：
[0016]本技术采用对称设计，可以在较小的零件尺寸内实现了多个芯片的集成，压丝区设计在中间陶瓷隔离区，中间陶瓷隔离区具备横向电隔离和纵向导电通路的双重作用，提高零件集成度，热层设计为铜钼铜结构，满足热容和热匹配的双重要求，同时尽量放大铜钼铜的表面积，对陶瓷表面积的利用率很高。
[0017]目前国内外普遍采用的钨浆料过孔工艺承受大电流冲击时易被烧毁，在本设计中采用了铜柱过孔设计替代钨浆料过孔设计，极大的提升了零件过孔的过电能力，提高了零件可靠性。
[0018]在零件不同位置上实现了不同镀层保护，即管芯焊接区与外表面采用镀金设计，压丝端采用镀镍设计，解决了陶瓷零件普遍存在的焊接与压焊对镀层要求的矛盾问题。引
脚采用长短接错穿插设计，既作为焊接用引脚又起到通孔密封作用。
附图说明：
[0019]图1为实施例1陶瓷下表面的结构示意图。
[0020]图2为实施例1陶瓷上表面的结构示意图。
[0021]图3为图2的剖视图。
[0022]图4为实施例2陶瓷下表面的结构示意图。
[0023]图5为实施例2陶瓷上表面的结构示意图。
[0024]图6为图5的剖视图。
具体实施方式
[0025]实施例1：如图1
‑
图3，本实施例需要在在17mm*14mm的零件尺寸内实现了6颗 1500W TVS芯片的集成。
[0026]陶瓷3是一个矩形板结构，陶瓷3的下表面安装有偶数组(6组)电极，每组电极包括一个长电极8和一个短电极2，相邻两组电极中心对称；6组电极构成了两排电极，每排电极由长电极8和短电极2交错排布而成，第一排的短电极2对应第二排的长电极8。
[0027]陶瓷3的上表面的中线位置安装一排上电极6，上电极6下方的陶瓷3中开有通孔，每个上电极6通过长导体51穿过陶瓷3上的通孔连接长电极8，在陶瓷3的上表面挖设6 个矩形的凹槽，6个凹槽均布在上电极6的两侧，凹槽中安装矩形片状的铜钼铜4，每个铜钼铜4通过两个短导体52穿过通孔连接短电极2。导体的直径小于陶瓷3上通孔的直径，长电极8、短电极2、上电极6和铜钼铜4分别将其所覆盖的通孔端面密封。陶瓷3上表面的四周安装边框1。
[0028]所述导体为铜柱。每两个上电极6的两侧各有一片铜钼铜4，相邻两个上电极6的宽度加上两者的间距小于铜钼铜4的宽度。
[0029]所述凹槽的深度大于二分之一陶瓷3厚度。
[0030]铜钼铜4、长电极8和短电极2表面镀金，上电极6表面镀镍。
[0031]实施例2：
[0032]如图4
‑
6，本实施例需要在在14.8mm*8.8mm的零件尺寸内实现了8颗600W TVS芯片的集成。
[0033]陶瓷3是一个矩形板结构，陶瓷3的下表面安装有8组电极，每组电极包括一个长电极8和一个短电极2，相邻两组电极中心对称；6组电极构成了两排电极，每排电极由长电极8和短电极2交错排布而成，第一排的短电极2对应第二排的长电极8。
[0034]陶瓷3的上表面的中线位置安装一排上电极6，上电极6下方的陶瓷3中开有通孔，每个上电极6通过长导体51穿过陶瓷3上的通孔连接长电极8，在陶瓷3的上表面挖设8 个矩形的凹槽，8个凹槽均布在上电极6的两侧，凹槽中安装矩形片状的铜钼铜4，每个铜钼铜4通过两个短导体52穿过通孔连接短电极2。所述导体为铜丝，长电极8、短电极2、上电极6和铜钼铜4分别将其所覆盖的通孔端面密封。陶瓷3上表面的四周安装边框1。
[0035]每两个上电极6的两侧各有一片铜钼铜4，相邻两个上电极6的宽度加上两者的间距小于铜钼铜4的宽度。所述凹槽的深度大于二分之一陶瓷3厚度。
[0036]铜钼铜4、长电极8和短电极2表面镀金，上电极6表面镀镍。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于封装芯片的陶瓷外壳，包括陶瓷（3），其特征在于：陶瓷（3）是一个矩形板，陶瓷（3）的下表面安装有多组电极，每组电极包括一个长电极（8）和一个短电极（2），相邻两组电极中心对称；陶瓷（3）的上表面的中线位置安装一排上电极（6），每个上电极（6）通过导体穿过陶瓷（3）上的通孔连接长电极（8），上电极（6）的两侧布置两排铜钼铜（4），每个铜钼铜（4）通过导体穿过陶瓷（3）上的通孔连接短电极（2）。2.根据权利要求1所述用于封装芯片的陶瓷外壳，其特征在于：所述导体为铜柱，共有6组或8组电极。3.根据权利要求2所述用于封装芯片的陶瓷外壳，其特征在于：铜钼铜（4）呈矩形片状，安装在陶瓷（3）上表面的凹槽中。4.根据权利要求2所述用于封装芯片的陶瓷外壳，其特征在于：每两个上电极（6）的两侧各有一片铜钼铜（4），相邻两个上电极（6）的宽度加上两者...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁锟，杨天瑞，蒋兴彪，胡耀文，邓丹，杨超平，
申请(专利权)人：中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂，
类型：新型
国别省市：