本发明专利技术涉及稳压器技术领域,具体是涉及一种控制简单、不产生反峰电压、安全可靠、调压效果好的低电压补偿装置，包括复数个串联连接的3N补偿器T，各个所述3N补偿器T均是由3台单相补偿器T组成的三相电压补偿器，各组所述3N补偿器T均包括初级绕组3NA1、初级绕组3NA2、初级绕组3NB1、初级绕组3NB2、初级绕组3NC1、初级绕组3NC2以及次级绕组。组3NC2以及次级绕组。组3NC2以及次级绕组。
【技术实现步骤摘要】
一种低电压补偿装置
[0001]本专利技术涉及稳压器领域, 具体是涉及一种低电压补偿装置。
技术介绍
[0002]电力是现代工农业和现代社会生活使用的最重要的能源之一，电压变化广泛地影响各种工业用电设备，而目前各国还有大量的用户远离供电点，特别是经济落后的国家及地区，还存在严重的欠电压，值得一提的是低电压对现代工农业和现代社会生活影响最为严重，它会影响电气设备输出功率和使用寿命，会使电耗增加，产品质量下降或报废，产量减少，设备损坏，甚至被迫停产，也会对电力系统造成影响：电压越低稳定功率极限越低，功率极限与线路输出功率的差值（即功率储备）越低，越容易发生不稳定现象，甚至会造成供电系统瓦解的重大事故。低电压问题包括以下情况：
①
电压偏低：运行电压值，在额定电压值的负10%范围。
[0003]②
欠电压：运行电压值，在额定电压值的90%～80%范围，且持续时间大于1分钟的电压变化；
④
短时欠电压:其时间范围为3秒～1分钟；
⑤
暂时欠电压:其时间范围为60毫秒～3秒；
⑥
三相电压不平衡：根据用电设备的安全电压要求，用电设备端电压压差变化应在
±
5%，有的要求还更高，用电设备端电压压差变化应在≤2.5
℅
，三相电压不平衡度∑u≤3%,而目前市场上单方向稳压的只有感应式调压器，感应式器调压器虽然可靠、但响应速度慢≤每秒钟只能调压5V、效率低﹤93%、稳压精度低≥5、另外它只能同调不能三相分调。
专利
技术实现思路
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种控制简单、不产生反峰电压、安全可靠、调压效果好的低电压补偿装置。
[0005]本专利技术的技术方案是：一种低电压补偿装置，包括复数个串联连接的3N补偿器T，各个所述3N补偿器T均是由3台单相补偿器T组成的三相电压补偿器，各组所述3N补偿器T均包括初级绕组3NA1、初级绕组3NA2、初级绕组3NB1、初级绕组3NB2、初级绕组3NC1、初级绕组3NC2以及次级绕组。
[0006]进一步改进的是，还包括双向可控硅VTA1、双向可控硅VTA2、双向可控硅VTB1、双向可控硅VTB2、双向可控硅VTC1以及双向可控硅VTC2，所述初级绕组3NA1连接双向可控硅VTA1的一端，所述初级绕组3NA2连接有双向可控硅VTA2的一端，所述初级绕组3NB1连接双向可控硅VTB1的一端, 所述初级绕组3NB2连接双向可控硅VTB2的一端， 所述初级绕组3NC1连接双向可控硅VTC1的一端, 所述初级绕组3NC2连接双向可控硅VTC2的一端，所述双向可控硅VTA2的另一端连接于初级绕组3NA1，所述双向可控硅VTB2的另一端连接于初级绕组3NB1，所述双向可控硅VTC2的另一端连接于初级绕组3NC1。
[0007]进一步改进的是，还包括控制保护开关QF1、控制保护开关QF2、控制保护开关QF3，所述控制保护开关QF1的两端分别连接于双向可控硅VTA1的另一端和A相输出端，所述控制保护开关QF2的两端分别连接于双向可控硅VTB1的另一端和B相输出端，所述控制保护开关QF3的两端分别连接于双向可控硅VTC1的另一端和C相输出端。
[0008]进一步改进的是，所述初级绕组3NA1和初级绕组3NA2之间连接有抑制器HFA，所述初级绕组3NB1和所述初级绕组3NB2之间连接有抑制器HFB，所述初级绕组3NC1和所述初级绕组3NC2之间连接有抑制器HFC。
[0009]进一步改进的是，所述初级绕组3NA2、初级绕组3NB2、初级绕组3NC2均连接输入N线。
[0010]进一步改进的是，还包括操作系统、主控系统、驱动系统，所述三相输入电压、电流和三相输出电压、电流和各组3N补偿器T均连接于主控系统，所述操作系统以及驱动系统均连接于主控系统，所述操作系统为可触屏操作界面，所述主控系统通过驱动系统控制3N补偿器T工作。
[0011]进一步改进的是，还包括至少由单台单相补偿器组成的低电压补偿装置。
[0012]通过采用上述的技术方案，本专利技术的有益效果是：本专利技术提出的一种低电压补偿装置，当通电或输入电压等于额定电压时，主控系统控制VTA2、VTB2、VT2接通，VTA1、VTB1、VTC1关断，初级绕组短接，使输入电压等于输出电压，当输入电压低于额定电压时，主控系统控制VTA2、VTB2、VT2关断，VTA1、VTB2、VTC2打开,使初级绕组对次级进行电压补偿，输出电压达到额定电压值，本专利技术控制简单、不产生反峰电压、安全可靠，响应速度≤60毫秒，输入电压宽≤额定电压值
×
75%，输出电压精度高≤额定值2.5%，输入三相电压平衡∑u≤15%，输出三相电压自动平衡∑u≤3%，效率高≥99%，额定容量大≤2000KVA，能够理补市面上产品的不足，如感应器调压器虽然可靠、但响应速度慢≤每秒钟只能调压5V、效率低﹤93%、稳压精度低≥5. 另外它只能同调不能三相分调。
附图说明
[0013]图1为本专利技术实施例中低电压补偿装置的电路原理图；图2为本专利技术实施例中人机系统装置的界面图1；图3为本专利技术实施例中人机系统装置的界面图2；图4为本专利技术实施例中人机系统装置的界面图3。
具体实施方式
[0014]下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明:如图1所示，一种低电压补偿装置，包括复数个串联连接的3N补偿器T，各个所述3N补偿器T均是由3台单相补偿器T组成的三相电压补偿器，各组所述3N补偿器T均包括初级绕组3NA1、初级绕组3NA2、初级绕组3NB1、初级绕组3NB2、初级绕组3NC1、初级绕组3NC2以及次级绕组，还包括双向可控硅VTA1、双向可控硅VTA2、双向可控硅VTB1、双向可控硅VTB2、双向可控硅VTC1以及双向可控硅VTC2，所述初级绕组3NA1连接双向可控硅VTA1的一端，所述初级绕组3NA2连接有双向可控硅VTA2的一端，所述初级绕组3NB1连接双向可控硅VTB1的一端, 所述初级绕组3NB2连接双向可控硅VTB2的一端， 所述初级绕组3NC1连接双向可控硅
VTC1的一端, 所述初级绕组3NC2连接双向可控硅VTC2的一端，所述双向可控硅VTA2的另一端连接于初级绕组3NA1，所述双向可控硅VTB2的另一端连接于初级绕组3NB1，所述双向可控硅VTC2的另一端连接于初级绕组3NC1，还包括控制保护开关QF1、控制保护开关QF2、控制保护开关QF3，所述控制保护开关QF1的两端分别连接于双向可控硅VTA1的另一端和A相输出端，所述控制保护开关QF2的两端分别连接于双向可控硅VTB1的另一端和B相输出端，所述控制保护开关QF3的两端分别连接于双向可控硅VTC1的另一端和C相输出端，所述初级绕组3NA1和初级绕组3NA2之间连接有抑制器HFA，所述初级绕组3NB1和所述初级绕组3NB2之间连接有抑制器HFB，所述初级绕组3NC1和所述初级绕组3NC2之间连接有抑制器HFC，所述初级绕组3NA2、本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低电压补偿装置，其特征在于：包括复数个串联连接的3N补偿器T，各个所述3N补偿器T均是由3台单相补偿器T组成的三相电压补偿器，各组所述3N补偿器T均包括初级绕组3NA1、初级绕组3NA2、初级绕组3NB1、初级绕组3NB2、初级绕组3NC1、初级绕组3NC2以及次级绕组。2.根据权利要求1所述的一种低电压补偿装置，其特征在于：还包括双向可控硅VTA1、双向可控硅VTA2、双向可控硅VTB1、双向可控硅VTB2、双向可控硅VTC1以及双向可控硅VTC2，所述初级绕组3NA1连接双向可控硅VTA1的一端，所述初级绕组3NA2连接有双向可控硅VTA2的一端，所述初级绕组3NB1连接双向可控硅VTB1的一端,所述初级绕组3NB2连接双向可控硅VTB2的一端，所述初级绕组3NC1连接双向可控硅VTC1的一端,所述初级绕组3NC2连接双向可控硅VTC2的一端，所述双向可控硅VTA2的另一端连接于初级绕组3NA1，所述双向可控硅VTB2的另一端连接于初级绕组3NB1，所述双向可控硅VTC2的另一端连接于初级绕组3NC1。3.根据权利要求2所述的一种低电压补偿装置，其特征在于：还包括控制保护开关QF1、控制保护开关QF2、控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：张谋龙，
申请(专利权)人：三尔梯泉州电气制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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