微型发光二极管的巨量转移方法、显示装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种微型发光二极管的巨量转移方法、显示装置及其制作方法，通过在各所述LED芯粒背离所述生长基板的一侧表面覆盖有粘附层，并在转移基板的表面形成感应层；在转移过程中，通过键合使所述粘附层与所述感应层形成粘接，且感应层位于粘附层的上方；从而在后续通过掩膜并结合相应的感应源选择性破坏所述感应层和粘附层，使对应的LED芯粒自然掉落至目标基板时，破坏所示感应层所产生的多余能量可被所述粘附层吸收，继而有效保护LED芯粒不受感应源如光、热、电磁波等的伤害。电磁波等的伤害。电磁波等的伤害。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管的巨量转移方法、显示装置及其制作方法


[0001]本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种微型发光二极管的巨量转移方法、显示装置及其制作方法。

技术介绍

[0002]微元件技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。目前，微间距发光二极管(Micro LED)技术逐渐成为研究热门，工业界期待有高品质的微元件产品进入市场。高品质微间距发光二极管产品会对市场上已有的诸如LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。Micro
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Led技术，即LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成高密度、微小尺寸的LED阵列的技术，以将像素点的距离从毫米级降低至微米级。由于Micro
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Led性能上表现优越，继承了无机LED的高亮度、高良率、高可靠性、体积小、寿命长等优势，在显示领域的应用越来越广泛。
[0003]在制造微元件的过程中，首先在施体基板上形成微元件，接着将微元件转移到接收基板上。接收基板例如是显示屏。在微型发光二极管的制作过程中，巨量转移是微型发光二极管实现产业化的主要瓶颈，如何解决这一技术难题，成为微型发光二极管成本降低和量产的关键环节。
[0004]有鉴于此，本专利技术人专门设计了一种微型发光二极管的巨量转移方法、显示装置及其制作方法，本案由此产生。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种微型发光二极管的巨量转移方法、显示装置及其制作方法，以降低微型发光二极管巨量转移的工艺难度和成本。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：
[0007]一种微型发光二极管的巨量转移方法，包括如下步骤：
[0008]步骤S01、提供一LED阵列结构，所述LED阵列结构包括生长基板及在所述生长基板表面形成的若干个呈阵列排布的LED芯粒，各所述LED芯粒包括水平结构LED芯粒或垂直结构LED芯粒；
[0009]步骤S02、沉积一粘附层，所述粘附层覆盖各所述LED芯粒背离所述生长基板的一侧表面，并填充相邻LED芯粒之间的间隙；
[0010]步骤S03、提供一转移基板，并在所述转移基板的表面形成感应层；
[0011]步骤S04、将步骤S03所述的转移基板与步骤S02所形成的LED阵列结构键合，使所述粘附层与所述感应层形成粘接；
[0012]步骤S05、去除所述生长基板；
[0013]步骤S06、通过掩膜并结合相应的感应源选择性破坏所述感应层和粘附层，使对应的LED芯粒自然掉落至目标基板。
[0014]优选地，所述粘附层的厚度为H，所述LED芯粒的高度为H1，则H1＜H＜2H1。
[0015]优选地，所述粘附层包括添加有感光剂和/或热敏剂的黏性材料。
[0016]优选地，所述粘附层包括紫外感光胶、硅胶、光刻胶、热熔胶、玻璃胶中的任意一种。
[0017]优选地，所述感应层包括热感应材料、紫外光感应材料、激光感应材料、辐射感应材料、等离子体感应材料、微波感应材料中的任意一种。
[0018]优选地，所述目标基板为自带粘性的材料层，包括蓝膜、薄膜、UV膜、热解粘膜、硅胶中的任意一种。
[0019]优选地，所述步骤S05还包括通过掩膜工艺将缺陷LED芯粒与所述生长基板同时去除。
[0020]优选地，所述生长基板包括蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化铝、砷化镓中的任意一种。
[0021]优选地，所述LED芯粒至少包括在所述生长基板表面依次堆叠的第一型半导体层、有源区及第二型半导体层，与所述第一型半导体层形成欧姆接触的第一电极，以及与所述第二型半导体层形成欧姆接触的第二电极。
[0022]本专利技术还提供了一种LED显示装置的制作方法，其采用上述任一项所述的微型发光二极管的巨量转移方法实现巨量转移。
[0023]本专利技术还提供了一种LED显示装置，其采用上述的LED显示装置制作方法而制作形成。
[0024]经由上述的技术方案可知，本专利技术提供的微型发光二极管的巨量转移方法，通过在各所述LED芯粒背离所述生长基板的一侧表面覆盖有粘附层，并在转移基板的表面形成感应层；在转移过程中，通过键合使所述粘附层与所述感应层形成粘接，且感应层位于粘附层的上方；从而在后续通过掩膜并结合相应的感应源选择性破坏所述感应层和粘附层，使对应的LED芯粒自然掉落至目标基板时，破坏所示感应层所产生的多余能量可被所述粘附层吸收，继而有效保护LED芯粒不受感应源如光、热、电磁波等的伤害。
[0025]同时，由于感应层的材料结构较为致密，在后续的清洗过程中需选择苛刻的物理、化学条件方可洗净LED芯粒，然而苛刻的物理、化学条件势必会影响LED芯粒的良率和电性；本专利技术提供的微型发光二极管的巨量转移方法，通过将粘附层直接接触并覆盖LED芯粒可有效避免感应层清洗的麻烦。
[0026]其次，本专利技术采用分开涂布感应层和粘附层，再利用粘附层本身的粘力，结合物理键合的方式，一方面对感应层和粘结层的涂布均匀性要求不高，生产成本低；另一方面可消除两者在涂布过程中产生的气泡。
[0027]然后，通过设置所述粘附层的厚度为H，所述LED芯粒的高度为H1，则H1＜H＜2H1，在确保LED阵列结构可通过粘附层与感应层有效键合的同时，避免在通过掩膜并结合相应的感应源选择性破坏所述感应层和粘附层时，因粘附层过厚导致LED芯粒脱落时受损。
[0028]进一步地，所述粘附层包括添加有感光剂和/或热敏剂的黏性材料，有利于吸收多余的光或热能，保护LED芯粒不受损伤，使其维持原有的光电性质。
[0029]本专利技术还提供一种LED显示装置的制作方法，在实现上述技术效果的同时，其操作简单，易于实现。
[0030]本专利技术还提供一种LED显示装置，采用上述转移方法形成，其结构简单、便于操作
与实现。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0032]图1为本专利技术实施例所提供的微型发光二极管的巨量转移方法的流程示意图；
[0033]图2至图13为本专利技术实施例所提供的微型发光二极管的巨量转移方法所对应的结构示意图；
[0034]图中符号说明：100、生长基板；110、LED芯粒，170、掩膜，200、转移基板，210、第一光刻胶层，310、粘附层，320、感应层，500、目标基板，H、粘附层的厚度，H1、LED芯粒的高度，Y、感应源。
具体实施方式
[0035]为使本专利技术的内容更加清晰，下面结合附图对本专利技术的内容作进一步说明。本专利技术不局限于该具体实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S01、提供一LED阵列结构，所述LED阵列结构包括生长基板及在所述生长基板表面形成的若干个呈阵列排布的LED芯粒，各所述LED芯粒包括水平结构LED芯粒或垂直结构LED芯粒；步骤S02、沉积一粘附层，所述粘附层覆盖各所述LED芯粒背离所述生长基板的一侧表面，并填充相邻LED芯粒之间的间隙；步骤S03、提供一转移基板，并在所述转移基板的表面形成感应层；步骤S04、将步骤S03所述的转移基板与步骤S02所形成的LED阵列结构键合，使所述粘附层与所述感应层形成粘接；步骤S05、去除所述生长基板；步骤S06、通过掩膜并结合相应的感应源选择性破坏所述感应层和粘附层，使对应的LED芯粒自然掉落至目标基板。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述粘附层的厚度为H，所述LED芯粒的高度为H1，则H1＜H＜2H1。3.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述粘附层包括添加有感光剂和/或热敏剂的黏性材料。4.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述粘附层...

【专利技术属性】
技术研发人员：谈江乔，刘鉴明，柯志杰，吴双，周川，
申请(专利权)人：厦门乾照半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：