【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制作方法、控制方法、显示装置
[0001]本公开实施例涉及但不限于显示
,具体涉及一种显示基板及其制作方法、控制方法、显示装置。
技术介绍
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)和量子点发光二极管(Quantum
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dot Light Emitting Diodes,简称QLED)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。
[0003]随着显示技术的不断发展,以OLED或QLED为发光结构、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
技术实现思路
[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]第一方面,本公开提供了一种显示基板,包括:衬底、驱动芯片以及依次叠设在所述衬底上的驱动结构层和发光结构层;所述发光结构层包括:多个发光结构,所述驱动结构层包括:多个像素电路和多个光电传感电路;所述发光结构层包括相对设置的背光侧和出光侧,所述出光侧为所述发光结构层远离衬底的一侧;至少一个像素电路和至少一个发光结构一一对应,至少一个光电传感电路与至少一个发光结构一一对应;
[0006]所述发光结构在所述衬底上的正投影与对应的像素电路在衬底上的正投影至少部分重叠,且与 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示基板,其特征在于,包括:衬底、驱动芯片以及依次叠设在所述衬底上的驱动结构层和发光结构层;所述发光结构层包括:多个发光结构,所述驱动结构层包括:多个像素电路和多个光电传感电路;所述发光结构层包括相对设置的背光侧和出光侧,所述出光侧为所述发光结构层远离衬底的一侧;至少一个像素电路和至少一个发光结构一一对应,至少一个光电传感电路与至少一个发光结构一一对应;所述发光结构在所述衬底上的正投影与对应的像素电路在衬底上的正投影至少部分重叠,且与对应的光电传感电路在衬底上的正投影至少部分重叠;所述像素电路,与对应的发光结构电连接,设置为根据驱动信号驱动对应的发光结构发光;所述光电传感电路,接收从对应的发光结构背光侧出射过来的光线,将出射过来的光线的光信号转换为电信号,并将电信号传输至驱动芯片;所述驱动芯片,分别与多个光电传感电路和多个像素电路电连接,设置为根据光电传感电路传输的电信号,控制向对应的像素电路提供的驱动信号。2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述光电传感电路包括:控制晶体管和光电传感器;所述控制晶体管包括:控制极、第一极和第二极;所述光电传感器,与电源线电连接,设置为将从对应的发光结构背光侧出射过来的光线的光信号转换为电信号;所述控制晶体管的控制极与控制信号线电连接,所述控制晶体管的第一极与光电传感器电连接,所述控制晶体管的第二极与所述信号输出线电连接,且所述控制晶体管设置为在控制信号线的控制下,向信号输出线提供光电传感器转换的电信号;所述信号输出线与驱动芯片电连接。3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述光电传感器包括:PIN光电二极管。4.根据权利要求2或3任一项所述的显示基板,其特征在于,所述光电传感器包括:依次叠设的第一电极、光电转换层和第二电极;所述第一电极在衬底上的正投影和所述光电转换层在衬底上的正投影至少部分重叠,所述第二电极在衬底上的正投影和所述光电转换层在衬底上的正投影至少部分重叠。5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极与所述控制晶体管的第一极为同一电极。6.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极为反射电极,所述第二电极为透明电极;所述光电转换层的制作材料包括:非晶硅。7.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述发光结构层包括:像素定义层、第三电极层、发光层和第四电极层;所述第三电极层包括:多个阳极,所述发光层包括:至少一个有机发光层,所述第四电极层包括:至少一个阴极;每个发光结构包括:一个阳极、一个有机发光层和一个阴极;在每个发光结构中,所述阳极位于所述有机发光层靠近衬底的一侧,所述阴极位于所述有机发光层远离衬底的一侧;所述有机发光层在衬底上的正投影与对应的光电传感电路在衬底上的正投影至少部
分重叠,所述阴极在衬底上的正投影与对应的光电传感电路在衬底上的正投影至少部分重叠。8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,对于每个发光结构,所述阳极包括:依次叠设的第一阳极和第二阳极;所述第一阳极在衬底上的正投影覆盖所述第二阳极在衬底上的正投影,所述第一阳极在衬底上的正投影与所述光电传感器在衬底上的正投影部分重叠;第一区域和第二区域部分重叠;所述第一区域为所述第一阳极在衬底上的正投影与所述光电传感器在衬底上的正投影的重叠区域,所述第二区域为所述第二阳极在衬底上与所述光电传感器在衬底上的正投影不重叠的区域。9.根据权利要求8所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:闫光,林奕呈,韩影,李正亮,杨栋芳,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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