从存储器单元检索的数据的错误率的分类中的复合特征生成制造技术

本申请涉及从存储器单元检索的数据的错误率的分类中的复合特征生成。一种存储器子系统被配置成：测量存储器装置中的存储器单元群组的信号和噪声特性的多个集合；分别依据信号和噪声特性的所述多个集合确定所述存储器单元群组的多个经优化读取电压；依据信号和噪声特性的所述多个集合生成特征，包含依据信号和噪声特性的所述多个集合生成的至少一个复合特征；使用所述特征生成从所述存储器单元群组可检索的数据的位错误率的分类；以及基于所述分类控制读取所述存储器单元群组的操作。分类控制读取所述存储器单元群组的操作。分类控制读取所述存储器单元群组的操作。

【技术实现步骤摘要】
从存储器单元检索的数据的错误率的分类中的复合特征生成


[0001]本文中所公开的至少一些实施例大体上涉及存储器系统，且更明确地说涉及(但不限于)具有在从集成电路存储器装置中的存储器单元可检索的数据的错误率的分类中生成的复合特征的存储器系统。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]在一个方面中，本申请提供一种方法，所述方法包括：测量存储器装置中的存储器单元群组的信号和噪声特性的多个集合；分别依据信号和噪声特性的所述多个集合确定所述存储器单元群组的多个经优化读取电压；依据信号和噪声特性的所述多个集合生成特征，所述特征包含依据信号和噪声特性的所述多个集合生成的至少一个复合特征；使用所述特征生成从所述存储器单元群组可检索的数据的位错误率的分类；以及基于所述分类控制读取所述存储器单元群组的操作。
[0004]在另一方面中，本申请进一步提供一种存储器子系统，所述存储器子系统包括：处理装置；以及至少一个存储器装置，所述存储器装置具有：形成于集成电路裸片上的存储器单元群组；以及校准电路，其被配置成测量所述存储器单元群组的信号和噪声特性的多个集合，且分别依据信号和噪声特性的所述多个集合确定所述存储器单元群组的多个经优化读取电压；其中所述存储器子系统被配置成：依据信号和噪声特性的所述多个集合生成特征，所述特征包含依据信号和噪声特性的所述多个集合生成的至少一个复合特征；使用所述特征生成从所述存储器单元群组可检索的数据的位错误率的分类；以及基于所述分类控制读取所述存储器单元群组的操作。
[0005]在又一方面中，本申请进一步提供一种存储器装置，所述存储器装置包括：多个存储器单元群组，其形成于集成电路裸片上；以及校准电路，其被配置成：测量存储器单元群组的信号和噪声特性的多个集合；分别依据信号和噪声特性的所述多个集合确定所述存储器单元群组的多个经优化读取电压；依据信号和噪声特性的所述多个集合生成特征，所述特征包含依据信号和噪声特性的所述多个集合生成的至少一个复合特征；以及使用所述特征生成从所述存储器单元群组可检索的数据的位错误率的分类；其中所述存储器装置被配置成基于所述分类控制读取所述存储器单元群组的操作。
附图说明
[0006]借助于实例而非限制在附图的各图中示出实施例，在附图中相似参考指示类似元件。
[0007]图1示出根据本公开的一些实施例具有存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图2示出根据一个实施例具有被配置成测量信号和噪声特性的校准电路的集成电路存储器装置。
[0009]图3展示根据一个实施例测量信号和噪声特性以改进存储器操作的实例。
[0010]图4
‑
7示出根据一个实施例的读取命令的执行期间的自适应迭代读取校准。
[0011]图8示出根据一个实施例用于从存储器单元检索的数据的错误率的分类的复合特征的生成。
[0012]图9展示根据一个实施例使用所生成的复合特征对从存储器单元检索的数据的完整性进行分类的方法。
[0013]图10是本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0014]本公开的至少一些方面是针对一种存储器子系统，其具有特征生成器，所述特征生成器被配置成在生成复合特征的过程中正针对较高读取电压测量存储器单元的信号和噪声特性时，迭代地或渐进地使用针对较低读取电压测得的存储器单元的信号和噪声特性计算复合特征。复合特征可以在数据完整性分类器中使用以评估从存储器单元可检索的数据的质量，且因此控制从存储器单元读取数据的操作。存储器子系统可以是存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个组件(例如，存储数据的存储器装置)的存储器子系统。主机系统可提供数据以存储于存储器子系统处，且可请求从存储器子系统检索数据。
[0015]集成电路存储器单元(例如，快闪存储器单元)可在阈值电压下被编程为借助于其状态来存储数据。举例来说，如果存储器单元在阈值电压下被配置/编程在允许大量电流通过存储器单元的状态中，则存储器单元正存储位一；且否则，存储器单元正存储位零。此外，存储器单元可通过在多个阈值电压下以不同方式被配置/编程而存储多个数据位。举例来说，存储器单元可通过在多个阈值电压下具有状态的组合而存储多个数据位；且可解译阈值电压下存储器单元的状态的不同组合以表示存储于存储器单元中的数据位的不同状态。
[0016]然而，在使用写入操作配置/编程集成电路存储器单元的状态以将数据存储在存储器单元中之后，用于读取存储器单元的经优化阈值电压可归因于例如电荷损失、读取干扰、交叉温度效应(例如，不同操作温度下的写入和读取)等若干因素而移位，尤其是在存储器单元被编程为存储多个数据位时。
[0017]一直使用常规校准电路系统来自行校准存储器区，方式是施加读取电平信号以考虑存储器区内的存储器单元的阈值电压的移位。在校准期间，校准电路系统被配置成将不同测试信号施加到存储器区以对针对测试信号输出指定数据状态的存储器单元的数目进行计数。基于所述计数，校准电路系统确定读取电平偏移值作为对校准命令的响应。
[0018]本公开的至少一些方面通过使用在存储器单元的经优化读取电压的所估计位置附近测得的信号和噪声特性且使用至少依据针对多个经优化读取电压测得的信号和噪声特性计算的复合特征，对从存储器单元可检索的数据的位错误率进行分，来解决上述缺陷和其它缺陷。可使用迭代或渐进技术有效地计算复合特征，其中在较高经优化读取电压的
信号和噪声特性正在被测量或尚未被测量时初始基于针对较低经优化读取电压测得的信号和噪声特性来计算复合特征。当较高经优化读取电压的信号和噪声特性变得可用时，基于针对每一较高经优化读取电压测得的信号和噪声特性进一步更新复合特征。位错误率的分类结果可用于在从存储器单元读取数据的过程中选择处理路径。举例来说，基于位错误率分类，存储器子系统可决定是否进一步校准读取电压，是否跳过错误检测和数据恢复，是否通过施加相对于经优化读取电压具有预定偏移的读取电压而跳过读取存储器单元以获得软位数据，等等。
[0019]举例来说，被编程为存储多个数据位的存储器单元将使用多个读取电压读取以确定所述读取电压下存储器单元的状态和(因此)存储于存储器单元中的多个位。用于读取多个状态的经优化读取电压可归因于例如快速电荷损失(QCL)、存储电荷损失(SCL)等数据保持效应和/或其它效应而移位。可针对读取电压中的每一个执行校准操作以确定相应经优化读取电压。在每一读取电压的校准期间，可测量存储器单元的信号和噪声特性的集合。与多个经优化读取电压相关联的信号和噪声特性的多个集合可用于构造特征作为针对预测模型的输入，以用于对可使用多个经优化读取电压从存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：测量存储器装置中的存储器单元群组的信号和噪声特性的多个集合；分别依据信号和噪声特性的所述多个集合确定所述存储器单元群组的多个经优化读取电压；依据信号和噪声特性的所述多个集合生成特征，所述特征包含依据信号和噪声特性的所述多个集合生成的至少一个复合特征；使用所述特征生成从所述存储器单元群组可检索的数据的位错误率的分类；以及基于所述分类控制读取所述存储器单元群组的操作。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述生成所述复合特征至少部分与所述测量所述存储器单元群组的信号和噪声特性的所述多个集合同时。3.根据权利要求2所述的方法，其中按分别确定信号和噪声特性的所述多个集合所依据的所述多个经优化读取电压的升序来测量所述存储器单元群组的信号和噪声特性的所述多个集合。4.根据权利要求2所述的方法，其中信号和噪声特性的所述多个集合包含信号和噪声特性的第一集合以及在所述第一集合之后测量的信号和噪声特性的第二集合；且通过以下操作生成所述复合特征：依据信号和噪声特性的所述第一集合生成第一复合特征；以及在所述第二集合变得可用之后根据信号和噪声特性的所述第二集合更新所述第一复合特征。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述生成所述第一复合特征至少部分与所述测量所述存储器单元群组的信号和噪声特性的所述多个集合同时。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述生成所述第一复合特征至少部分与测量所述存储器单元群组的信号和噪声特性的所述第二集合同时。7.根据权利要求6所述的方法，其中依据信号和噪声特性的所述第一集合确定的第一经优化读取电压低于依据信号和噪声特性的所述第二集合确定的第二经优化读取电压。8.根据权利要求7所述的方法，其中通过以下操作来确定信号和噪声特性的所述多个集合中的每一相应集合：在多个测试电压下读取所述存储器单元群组；以及确定在所述多个测试电压下分别处于预定状态的存储器单元的多个位计数。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述相应集合包含所述位计数之间的计数差。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述存储器单元群组包含多个子集；且针对所述多个子集使用不同测试电压并行地执行所述存储器单元群组的所述读取。11.根据权利要求10所述的方法，其中基于所述不同测试电压下所述子集的位计数来确定所述多个位计数。12.根据权利要求9所述的方法，其中通过确定所述计数差的分布的最小值从所述相应集合确定经优化读取电压。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述控制所述读取所述存储器单元群组的操作包含基于所述分类决定重新校准所述存储器单元群组的经优...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：