提供了制造发光元件的方法和包括该发光元件的显示装置。制造发光元件的方法包括：准备基体基底并在基体基底上形成至少一个半导体棒的步骤；形成第一元件结构，并将第一元件结构与基体基底分离的第一分离步骤，第一元件结构包括半导体棒和形成为围绕半导体棒的外表面的第一支撑件；去除第一支撑件的至少一部分以部分地暴露半导体棒，并形成第二元件结构的步骤，第二元件结构包括暴露的半导体棒和围绕第一支撑件的外表面的第二支撑件；以及将半导体棒与第二元件结构分离的第二分离步骤。导体棒与第二元件结构分离的第二分离步骤。导体棒与第二元件结构分离的第二分离步骤。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造发光元件的方法和包括发光元件的显示装置
[0001]本专利技术涉及一种制造发光元件的方法和一种包括该发光元件的显示装置。
技术介绍
[0002]显示装置的重要性随着多媒体的发展而增加。因此，已经使用了各种类型的显示装置，诸如有机发光显示(OLED)装置、液晶显示(LCD)装置等。
[0003]显示装置的用于显示图像的装置包括显示面板，诸如有机发光显示面板或液晶显示面板。上述之中，发光显示面板可以包括发光元件。例如，发光二极管(LED)包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)、使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管等。
[0004]与有机发光二极管相比，使用无机半导体作为荧光材料的无机发光二极管具有即使在高温环境下也具有耐久性并且具有高蓝光效率的优点。此外，即使在指出为常规无机发光二极管器件的局限性的制造工艺中，也已经开发了使用介电电泳(DEP)方法的转移方法。因此，对与有机发光二极管相比具有优异的耐久性和效率的无机发光二极管的研究正在进行中。
技术实现思路
[0005]技术问题
[0006]本专利技术旨在提供一种制造在半导体晶体的两端处具有较少晶体缺陷并具有平滑形状的发光元件的方法作为制造包括半导体晶体的发光元件的方法。
[0007]此外，本专利技术旨在提供一种包括通过该方法制造的发光元件的显示装置，其中，发光元件在长度上具有减小的偏差，因此设置在像素中的发光元件的质量是均匀的。
[0008]本专利技术的问题不限于上述问题，并且本领域技术人员可以从以下描述中清楚地理解未提及的其他问题。
[0009]技术方案
[0010]根据实施例，一种制造发光元件的方法包括以下步骤：准备基体基底并在基体基底上形成至少一个半导体棒的步骤；形成第一元件结构，并将第一元件结构与(或从)基体基底分离的第一分离步骤，第一元件结构包括半导体棒和形成为围绕半导体棒的外表面的第一支撑件；去除第一支撑件的至少一部分以部分地暴露半导体棒，并形成第二元件结构的步骤，第二元件结构包括围绕暴露的半导体棒的外表面和第一支撑件的外表面的第二支撑件；以及将半导体棒与第二元件结构分离的第二分离步骤。
[0011]半导体棒可以具有其中一个端部与基体基底接触并且另一端部可以在垂直于基体基底的第一方向上延伸的形状。
[0012]第一支撑件的在第一方向上的延伸厚度可以大于半导体棒的在第一方向上的延伸长度，并且第一支撑件形成为覆盖半导体棒的另一端部。
[0013]在第一分离步骤中，第一元件结构可以包括图案部分，图案部分形成在与基体基
底分离的一个表面中并且至少具有部分凹进的区域，并且半导体棒可以具有在图案部分处暴露的一个端部。
[0014]第一支撑件可以包括第一区域和第二区域，第一区域被限定为在第一方向上与半导体棒叠置的区域，第二区域被限定为除第一区域之外的区域。
[0015]形成第二元件结构的步骤可以包括：在第一方向上蚀刻形成在第二区域中的第一支撑件的至少一部分以形成孔的步骤，以及形成部分地围绕第一支撑件和沿着孔暴露的半导体棒的第二支撑件的步骤。
[0016]孔可以暴露半导体棒的侧表面的至少一部分；并且在第一方向上测量的孔的深度可以小于或等于第一支撑件的厚度。
[0017]第二支撑件可以与半导体棒的一个端部和侧表面的至少暴露部分接触。
[0018]第二分离步骤可以包括：在垂直于第一方向的方向上蚀刻第二元件结构以暴露半导体棒的另一端部的步骤，以及去除第二支撑件的步骤。
[0019]去除第二支撑件的步骤可以包括：将第二支撑件溶解在溶剂中的步骤，以及使溶解的第二支撑件挥发并去除的步骤。
[0020]半导体棒可以形成在基体基底上以在与第一方向不同的第二方向上彼此间隔开。
[0021]第二元件结构可以包括多个半导体棒，其中，与第二元件结构分离的半导体棒可以满足以下式子1。
[0022][式子1][0023]0≤(σ
L
/L
mean
)
×
100(％)≤20
[0024]这里，σ
L
是发光元件(300)的长度的标准偏差，L
mean
是发光元件(300)的长度的平均值。
[0025]第一支撑件的硬度可以大于第二支撑件的硬度。
[0026]第一支撑件可以包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)，并且第二支撑件可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
[0027]第一元件结构还可以包括设置为围绕第一支撑件的外表面的第一子支撑件，并且第一子支撑件可以包括热塑性树脂。
[0028]第一元件结构还可以包括设置在第一支撑件的一个表面上的辅助层。
[0029]根据另一实施例，一种显示装置包括：基体层；第一电极和第二电极，设置在基体层上以彼此间隔开；以及一个或更多个发光元件，设置在第一电极与第二电极之间，其中，发光元件中的每个具有在平行于基体层的一个方向上延伸的形状，并且连接到第一电极和第二电极中的至少一个，并且设置在第一电极与第二电极之间的多个发光元件满足以下式子1。
[0030][式子1][0031]0≤(σ
L
/L
mean
)
×
100(％)≤20
[0032]这里，σ
L
是发光元件(300)的长度的标准偏差，L
mean
是发光元件(300)的长度的平均值。
[0033]发光元件中的每个可以包括第一导电半导体、具有与第一导电半导体的极性不同的极性的第二导电半导体以及设置在第一导电半导体与第二导电半导体之间的活性层。
[0034]第一导电半导体、活性层和第二导电半导体可以在平行于基体层的一个方向上设
置。
[0035]发光元件中的每个可以具有在一个方向上的范围为2μm至5μm的延伸长度以及范围为1.2至100的长宽比。
[0036]其他实施例的细节包括在具体实施方式和附图中。
[0037]有益效果
[0038]根据一个实施例的制造发光元件的方法包括形成具有不同硬度的支撑件并分离半导体晶体的步骤。因此，制造的发光元件可以在半导体晶体的两个端部处均具有平滑形状且几乎没有晶体缺陷。
[0039]另外，由于根据一个实施例的显示装置包括通过该方法制造的发光元件，因此可以减小发光元件之间在长度上的偏差，因此可以提高设置在像素中的发光元件的质量。
[0040]根据实施例的效果不限于上面例示的内容，并且更多的不同效果包括在说明书中。
附图说明
[0041]图1是根据一个实施例的发光元件的示意图。
[0042]图2是示出根据一个实施例的制造发光元件的方法的流程图。
[0043]图3至图20是示出根据一个实施例的制造发光元件的方法的示意图。
[0044]图21是根据一个实施例的显示装置的平面图。
[0045]图22是沿图21中本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造发光元件的方法，所述方法包括：准备基体基底并在所述基体基底上形成至少一个半导体棒的步骤；形成第一元件结构并将所述第一元件结构与所述基体基底分离的第一分离步骤，所述第一元件结构包括所述半导体棒和形成为围绕所述半导体棒的外表面的第一支撑件；去除所述第一支撑件的至少一部分以部分地暴露所述半导体棒并形成第二元件结构的步骤，所述第二元件结构包括围绕所述暴露的半导体棒的外表面和所述第一支撑件的外表面的第二支撑件；以及将所述半导体棒与所述第二元件结构分离的第二分离步骤。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体棒具有其中一个端部与所述基体基底接触并且另一端部在垂直于所述基体基底的第一方向上延伸的形状。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一支撑件的在所述第一方向上的延伸厚度大于所述半导体棒的在所述第一方向上的延伸长度，并且所述第一支撑件形成为覆盖所述半导体棒的所述另一端部。4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述第一分离步骤中，所述第一元件结构包括形成在与所述基体基底分离的一个表面中并且至少具有部分凹进的区域的图案部分，并且所述半导体棒具有在所述图案部分处暴露的所述一个端部。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一支撑件包括第一区域和第二区域，所述第一区域被限定为在所述第一方向上与所述半导体棒叠置的区域，所述第二区域被限定为除所述第一区域之外的区域。6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述第二元件结构的步骤包括：在所述第一方向上蚀刻所述第一支撑件的形成在所述第二区域中的至少一部分以形成孔的步骤，以及形成部分地围绕所述第一支撑件和沿着所述孔暴露的所述半导体棒的所述第二支撑件的步骤。7.根据权利要求6所述的方法，其中：所述孔暴露所述半导体棒的侧表面的至少一部分；并且在所述第一方向上测量的所述孔的深度小于或等于所述第一支撑件的所述厚度。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二支撑件与所述半导体棒的所述一个端部和所述侧表面的至少被暴露的部分接触。9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二分离步骤包括：在垂直于所述第一方向的方向上蚀刻所述第二元件结构以暴露所述半导体棒的所述另一端部的步骤，以及去除所述第二支撑件的步骤。10.根据权利要求9所述的方法，其中，去除所述第二支撑件的步骤包括：将所述第二支撑件溶解在溶剂中的步骤，以及使溶解的第二支撑件挥发并去除的步骤。11.根据权利要求2所述的方法，其中，所述半导体棒在所述基体基...
【专利技术属性】
技术研发人员：都永洛，姜慧林，朴后根，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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