接合装置、接合系统、接合方法以及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供使基板的接合精度提高的接合装置、接合系统、接合方法以及存储介质。实施方式的接合装置具备第1保持部、第1变形部、第2保持部、第2变形部、吸引部、以及控制装置。第1保持部从上方吸附保持第1基板。第1变形部使保持到第1保持部的第1基板的中央部朝向下方突出。第2保持部设置于比第1保持部靠下方的位置，从下方吸附保持用于与第1基板接合的第2基板。第2变形部使保持到第2保持部的第2基板的中央部朝向上方突出。吸引部在第2基板的吸附区域所包含的多个分割区域中产生不同的吸附力。控制装置控制吸引部。装置控制吸引部。装置控制吸引部。

【技术实现步骤摘要】
接合装置、接合系统、接合方法以及存储介质


[0001]本公开涉及接合装置、接合系统、接合方法以及存储介质。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开有一种使设置到上方的基板的中央部以向下方突出的方式变形并使基板彼此接合的接合装置。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
‑
229787号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种使基板的接合精度提高的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一形态的接合装置具备第1保持部、第1变形部、第2保持部、第2变形部、吸引部、以及控制装置。第1保持部从上方吸附保持第1基板。第1变形部使保持到第1保持部的第1基板的中央部朝向下方突出。第2保持部设置于比第1保持部靠下方的位置，从下方吸附保持用于与第1基板接合的第2基板。第2变形部使保持到第2保持部的第2基板的中央部朝向上方突出。吸引部在第2基板的吸附区域所包含的多个分割区域中产生不同的吸附力。控制装置控制吸引部。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够使基板的接合精度提高。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式的接合系统的结构的示意图。
[0013]图2是表示实施方式的第1基板和第2基板的接合前的状态的示意图。
[0014]图3是表示实施方式的接合装置的局部结构的示意图。/>[0015]图4是表示实施方式的第1吸盘部和第2吸盘部的结构的示意图。
[0016]图5是表示实施方式的第2保持部的俯视示意图。
[0017]图6是说明实施方式的接合处理的流程图。
[0018]图7是表示实施方式的分割区域中的吸附力的分配例的图。
[0019]图8是表示在实施方式的接合装置中开始了第1基板与第2基板之间的接合的状态的示意图。
[0020]图9是表示实施方式的变形例的接合系统的结构的示意图。
具体实施方式
[0021]以下，参照附图详细地说明本公开的接合装置和用于实施接合装置、接合系统、接合方法以及存储介质的形态(以下，记载为“实施方式”)。此外，本公开的接合装置、接合系统、接合方法以及存储介质并不被该实施方式限定。另外，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当组合。另外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，省略重复的说明。
[0022]另外，在以下参照的各附图中，为了使说明通俗易懂，存在表示如下正交坐标系的情况：规定相互正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。X轴方向和Y轴方向是水平方向。以下，存在将Z轴正方向设为上方、将Z轴负方向设为下方而进行说明的情况。
[0023]＜接合系统的结构＞
[0024]首先，参照图1和图2而对实施方式的接合系统1的结构进行说明。图1是表示实施方式的接合系统1的结构的示意图。另外，图2是表示实施方式的第1基板W1和第2基板W2的接合前的状态的示意图。
[0025]图1所示的接合系统1通过接合第1基板W1和第2基板W2，而形成重合基板T(参照图2)。
[0026]第1基板W1和第2基板W2是单晶硅晶圆，在板面形成有多个电子电路。第1基板W1和第2基板W2大致同径。此外，第1基板W1和第2基板W2中的一者例如也可以是未形成有电子电路的基板。
[0027]以下，如图2所示，将第1基板W1的板面中的与第2基板W2接合那一侧的板面记载为“接合面W1j”，将与接合面W1j相反的一侧的板面记载为“非接合面W1n”。另外，将第2基板W2的板面中的与第1基板W1接合那一侧的板面记载为“接合面W2j”，将与接合面W2j相反的一侧的板面记载为“非接合面W2n”。
[0028]如图1所示，接合系统1具备送入送出站2和处理站3。送入送出站2配置于处理站3的X轴负方向侧，与处理站3一体地连接。
[0029]送入送出站2具备载置台10和输送区域20。载置台10具备多个载置板11。在各载置板11分别载置以水平状态收纳多张(例如25张)基板的盒C1～C4。盒C1能够收纳多张第1基板W1，盒C2能够收纳多张第2基板W2，盒C3能够收纳多张重合基板T。盒C4是用于回收例如产生了不良情况的基板的盒。此外，载置于载置板11的盒C1～C4的个数并不限定于图示的个数。
[0030]输送区域20以与载置台10相邻的方式配置于载置台10的X轴正方向侧。在输送区域20中设置有在Y轴方向上延伸的输送路径21和能够沿着输送路径21移动的输送装置22。输送装置22不仅能够在Y轴方向上移动，也能够在X轴方向上移动且能够绕Z轴回转。输送装置22在载置到载置板11的盒C1～C4与随后论述的处理站3的第3处理块G3之间进行第1基板W1、第2基板W2以及重合基板T的输送。
[0031]如此，送入送出站2向处理站3输送第1基板W1和第2基板W2，从处理站输送由第1基板W1和第2基板W2接合而成的重合基板T。
[0032]在处理站3设置有例如3个处理块G1、G2、G3。第1处理块G1配置于处理站3的背面侧(图1的Y轴正方向侧)。另外，第2处理块G2配置于处理站3的正面侧(图1的Y轴负方向侧)，第
3处理块G3配置于处理站3的送入送出站2侧(图1的X轴负方向侧)。
[0033]在第1处理块G1中配置有对第1基板W1的接合面W1j和第2基板W2的接合面W2j进行改性的表面改性装置30。表面改性装置30以如下方式对接合面W1j、W2j进行改性：在第1基板W1的接合面W1j和第2基板W2的接合面W2j中，利用等离子体照射形成不饱和键(悬空键)，之后易于亲水化。
[0034]具体而言，在表面改性装置30中，在例如减压气氛下，作为处理气体的氧气或氮气被激励而等离子体化。然后，其氧离子或氮离子向第1基板W1的接合面W1j和第2基板W2的接合面W2j照射，从而对接合面W1j、W2j进行等离子体处理并改性。
[0035]另外，在第1处理块G1中配置有表面亲水化装置40。表面亲水化装置40利用例如纯水使第1基板W1的接合面W1j和第2基板W2的接合面W2j亲水化，并且，清洗接合面W1j、W2j。具体而言，表面亲水化装置40例如一边使保持到旋转吸盘的第1基板W1或第2基板W2旋转，一边向该第1基板W1或第2基板W2上供给纯水。由此，供给到第1基板W1或第2基板W2上的纯水在第1基板W1的接合面W1j或第2基板W2的接合面W2j上扩散，使接合面W1j、W2j亲水化。
[0036]在此，表示了表面改性装置30和表面亲水化装置40横排地配置的情况的例子，但表面亲水化装置40也可以层叠于表面改性装置30的上方或下方。
[0037]在第2处理块G2中配置有接合装置41。即、处理站3具备接合装置41。接合装置41利用分子间力接合亲水化后的第1基板W1和第2基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种接合装置，其具备：第1保持部，其从上方吸附保持第1基板；第1变形部，其使保持到所述第1保持部的所述第1基板的中央部朝向下方突出；第2保持部，其设置于比所述第1保持部靠下方的位置，从下方吸附保持用于与所述第1基板接合的第2基板；第2变形部，其使保持到所述第2保持部的所述第2基板的中央部朝向上方突出；吸引部，其在所述第2基板的吸附区域所包含的多个分割区域中产生不同的吸附力；以及控制装置，其控制所述吸引部。2.根据权利要求1所述的接合装置，其中，所述第2保持部具备将所述吸附区域划分成所述多个分割区域的壁部。3.根据权利要求2所述的接合装置，其中，所述壁部沿着所述第2基板的径向将所述吸附区域划分成所述多个分割区域。4.根据权利要求2或3所述的接合装置，其中，所述壁部沿着所述第2基板的周向将所述吸附区域划分成所述多个分割区域。5.根据权利要求1～3中任一项所述的接合装置，其中，在所述第2保持部形成有与所述多个分割区域相对应的多个吸引孔，所述吸引部借助所述多个吸引孔吸引所述第2基板。6.根据权利要求5所述的接合装置，其中，该接合装置具备：基座部，在该基座部与所述第2保持部之间形成有由于被加压而使所述第2保持部朝向上方突出的变形空间，所述第2保持部安装于该基座部；和密封构件，其安装于所述基座部，密封所述变形空间和所述吸引孔，且能够伸缩，所述密封构...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅川贤治，大森阳介，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：