功率组件的半成品及其制造方法以及功率组件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种功率组件的半成品，其包括半导体芯片以及第一焊片。半导体芯片具有有源面与相对于有源面的背面。第一焊片定位固设于半导体芯片的中心上，第一焊片为片状，且半导体芯片以有源面连接第一焊片。第一焊片的尺寸小于半导体芯片的尺寸，以暴露出部分半导体芯片。另提供一种功率组件的半成品的制造方法以及一种功率组件的制造方法。及一种功率组件的制造方法。及一种功率组件的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
功率组件的半成品及其制造方法以及功率组件的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种功率组件及其制造方法，尤其涉及一种功率组件的半成品及其制造方法以及功率组件的制造方法。

技术介绍

[0002]功率组件可用于整流器、车用发电机、大功率模组发电机。一般而言，在功率组件的制造上是将焊片、芯片与电极做一次性的焊接，如此容易使得焊片、芯片与电极之间的对位失准产生偏移，进而提升焊片于焊接后产生溢流的机率，而无法达到功率组件所需的电性要求，因此，如何降低功率组件于焊接后产生溢流的机率，以达到功率组件所需的电性要求实为亟欲解决的重要课题。

技术实现思路

[0003]本专利技术是针对一种功率组件的半成品及其制造方法以及功率组件的制造方法，其可以降低功率组件于焊接后产生溢流的机率，以达到功率组件所需的电性要求，改善功率组件的品质并提升功率组件的良率。所述功率组件例如为车用整流二极管器件。
[0004]根据本专利技术的实施例，一种功率组件的半成品，其包括半导体芯片以及第一焊片。半导体芯片具有有源面与相对于有源面的背面。第一焊片定位固设于半导体芯片的中心上，第一焊片为片状，且半导体芯片以有源面连接第一焊片。第一焊片的尺寸小于半导体芯片的尺寸，以暴露出部分半导体芯片。
[0005]根据本专利技术的实施例，一种功率组件的半成品的制造方法，至少包括以下步骤。提供模具，其中模具具有多个凹槽。配置第一焊片于每一多个凹槽中。配置半导体芯片于第一焊片上。第一焊片定位于所述半导体芯片的中心上。第一焊片的尺寸小于半导体芯片的尺寸，以暴露出部分半导体芯片。使第一焊片固设于中心上。移除模具。
[0006]根据本专利技术的实施例，一种功率组件的制造方法，至少包括以下步骤。提供功率组件的半成品、第一电极、第二电极、以及第二焊片，且功率组件的半成品与第二焊片位于第一电极与第二电极之间。功率组件的半成品包括半导体芯片以及第一焊片。第一焊片定位固设于半导体芯片的中心上。第一焊片的尺寸小于半导体芯片的尺寸，以暴露出部分半导体芯片。将第一电极、第二电极、功率组件的半成品与以及第二焊片进行焊接以形成电性连接。
[0007]在本专利技术的一实施例中，上述的半导体芯片具有有源面与相对于有源面的背面，且半导体芯片以有源面连接第一焊片。
[0008]基于上述，本专利技术的功率组件的半成品先将第一焊片定位固设于半导体芯片的中心上，因此可以降低第一电极、第二电极、功率组件的半成品与以及第二焊片之间进行焊接时第一焊片对位失准产生偏移，进而使第一焊片于焊接后产生溢流的机率，以达到功率组件所需的电性要求，特别是达到车用功率组件所要求的高信赖性，改善功率组件的品质并提升功率组件的良率。
[0009]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图作详细说明如下。
附图说明
[0010]包含附图以便进一步理解本专利技术，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本专利技术的实施例，并与描述一起用于解释本专利技术的原理。
[0011]图1A至图1C是依照本专利技术的一实施例的功率组件的半成品在不同阶段的制造过程中的剖面示意图；
[0012]图1D是功率组件的半成品在图1A的阶段的俯视图；
[0013]图2A是依照本专利技术的另一实施例的一种功率组件的立体示意图；
[0014]图2B是依照图2A的一种功率组件的部分剖面示意图；
[0015]图2C是图2B焊接后的一种功率组件的部分剖面示意图；
[0016]图3A是依照本专利技术的又一实施例的一种功率组件的立体示意图；
[0017]图3B是依照图3A的一种功率组件的部分剖面示意图；
[0018]图3C是图3B焊接后的一种功率组件的部分剖面示意图。
[0019]附图标号说明
[0020]10：模具；
[0021]12：凹槽；
[0022]100、100a：功率组件；
[0023]110：功率组件的半成品；
[0024]112：第一焊片；
[0025]1121：第一边缘；
[0026]1122：第二边缘；
[0027]114：半导体芯片；
[0028]114a：有源面；
[0029]114b：背面；
[0030]116：绝缘部分；
[0031]120：第一电极；
[0032]130：第二电极；
[0033]140：第二焊片；
[0034]C：中心；
[0035]CR：中心区域；
[0036]PR：周边区域；
[0037]d1、d2：距离。
具体实施方式
[0038]以下将参考附图来全面地描述本专利技术的例示性实施例，但本专利技术还可按照多种不同形式来实施，且不应解释为限于本文所述的实施例。在附图中，为了清楚起见，各区域、部位及层的大小与厚度可不按实际比例绘制。为了方便理解，下述说明中相同的组件将以相
同的符号标示来说明。
[0039]除非另有明确说明，否则本文所述任何方法绝不意欲被解释为要求按特定顺序执行其步骤。
[0040]图1A至图1C是依照本专利技术的一实施例的功率组件的半成品在不同阶段的制造过程中的剖面示意图。图1D是功率组件的半成品在图1A的阶段的俯视图。
[0041]在本实施例中，功率组件的半成品110的制造方法可以包括以下步骤。
[0042]请同时参照图1A与图1D，提供模具10，其中模具10具有多个凹槽12，且多个凹槽12可以以阵列方式排列于模具10上。模具10的材料例如是铝合金，凹槽12的形成方法例如是CNC铣床。应说明的是，图1D的模具10上的多个凹槽12仅为示意地示出，上述多个凹槽12的位置、数量、分布范围、内部具体结构、形成方法等均可依需求做变更，只要上述模具10具有凹槽12可以容置后续的第一焊片112与半导体芯片114并进行焊接，皆属于本专利技术的保护范围。
[0043]请继续参照图1A与图1D，于凹槽12中配置第一焊片112。举例而言，每一凹槽12可以容置一个第一焊片112，凹槽12与第一焊片112可以是以一对一的方式配置。第一焊片112的形状可以是矩形、圆形或六角形，但本专利技术不限于此，第一焊片112的形状可以依照实际设计需求而定。第一焊片112可为金属材料。举例而言，第一焊片112的材料例如是锡。此外，以俯视观之，凹槽12与第一焊片112可以具有相似的形状。如图1D所示，以俯视观之，凹槽12与第一焊片112可以都具有矩形形状，但本专利技术不限于此，在其他未示出的实施例中，以俯视观之，凹槽12与第一焊片112也可以具有不同的形状。
[0044]请参照图1B，于凹槽12的第一焊片112上配置半导体芯片114，且使第一焊片112定位固设于半导体芯片114上。另一方面，第一焊片112的尺寸可以是小于半导体芯片114的尺寸，以暴露出部分半导体芯片114。在一实施例中，第一焊片112所占半导体芯片114与第一焊片112相接合的表面积的比值例如介于50％到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率组件的半成品，其特征在于，包括：半导体芯片，具有有源面与相对于所述有源面的背面；以及第一焊片，定位固设于所述半导体芯片的中心上，所述第一焊片为片状，且所述半导体芯片以所述有源面连接所述第一焊片，其中所述第一焊片的尺寸小于所述半导体芯片的尺寸，以暴露出部分所述半导体芯片。2.根据权利要求1所述的功率组件的半成品，其特征在于，所述第一焊片相对的二边缘与所述中心的距离实质上相等，且所述第一焊片占所述有源面的表面积的比值介于50％到70％之间。3.根据权利要求1所述的功率组件的半成品，其特征在于，所述半导体芯片包括绝缘部分，且所述绝缘部分围绕所述第一焊片，且单一片所述半导体芯片的所述有源面连接单一片所述第一焊片。4.一种功率组件的半成品的制造方法，包括：提供模具，其中所述模具具有多个凹槽；配置第一焊片于至少一所述多个凹槽中；配置半导体芯片于所述第一焊片上，其中所述第一焊片定位于所述半导体芯片的中心上，所述第一焊片的尺寸小于所述半导体芯片的尺寸，以暴露出部分所述半导体芯片；使所述第一焊片固设于所述中心上；以及移除所述模具。5.根据权利要求4所述的功率组件的半成品的制造方法，其特征在于，所述半导体芯片具有有源面与相对于所述有源面的背面，所述半导体芯片以所述有源面连接所述第一焊片，且所述使所述第一焊片固设于所述中心上的步骤包括：对所述第一焊片与所述半导体芯片进行烧结，使所述第一焊片固设于所述有源面的中心上。6.根据权利要求5所述的功率组件的半成品的制造方法，其特征在于，于所述使所述第一焊片固设于所述中心...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈宜达，蓝荣贤，王德邦，
申请(专利权)人：朋程科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：