一种3-甲基吡啶多级分层除杂装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种3

【技术实现步骤摘要】
一种3
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甲基吡啶多级分层除杂装置


[0001]本技术涉及除杂装置
，尤其涉及一种3
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甲基吡啶多级分层除杂装置。

技术介绍

[0002]3‑
甲基吡啶储存于阴凉、通风的库房。远离火种、热源。库温不宜超过30℃。保持容器密封。应与氧化剂、酸类等分开存放，切忌混储。采用防爆型照明、通风设施。禁止使用易产生火花的机械设备和工具。储区应备有泄漏应急处理设备和合适的收容材料。其中，制备3
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甲基吡啶需要经过甲醛和三聚乙醛合成，但是获得的3
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甲基吡啶在后段加工过程中会产生二次杂质，即设备磨损产生的机械杂质，未完全反应的多聚甲醛以及局部反应过热产生的碳化、胶质颗粒物等，但是这部分不再利用进行除杂处理，导致获得的3
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甲基吡啶中存在二次杂质无法去除，且现有的3
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甲基吡啶除杂装置运行的安全性和稳定性较低，安全隐患较大，因此急需一种3
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甲基吡啶多级分层除杂装置。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种3
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甲基吡啶多级分层除杂装置，通过网状风琴板拦截设备磨损产生的机械杂质，未完全反应的多聚甲醛以及局部反应过热产生的碳化、胶质颗粒物等杂质，将3
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甲基吡啶后段加工过程中产生的杂质再次去除；且上述除杂装置采用封闭式机构，利用可在箱体内上下滑动的缓冲板调节箱体上端的腔体空间，隔绝空气的同时提供足够的除杂空间，防爆，提高装置运行的安全性和稳定性，解决了现有技术中的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种3
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甲基吡啶多级分层除杂装置，包括清洗机构、多级除杂机构、除杂箱和气压缓冲机构，所述清洗机构的下端固定连接有除杂箱，所述除杂箱的上端设置有多级除杂机构，除杂箱的下端设置有气压缓冲机构；
[0005]所述清洗机构包括3
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甲基吡啶注入管、清洗液注入管、注入头和电磁阀，所述3
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甲基吡啶注入管和清洗液注入管的中部下表面上均设置有多个注入头，所述清洗液注入管上安装有电磁阀；
[0006]所述除杂箱包括箱体、导向滑轨、杂质排出管道、缓冲气体注入管道和导向孔，所述箱体的两侧内壁上均设置有导向滑轨，所述箱体的上端与杂质排出管道相互连通，箱体的下端与缓冲气体注入管道相互连通，所述箱体的底部开设有导向孔；
[0007]所述气压缓冲机构包括缓冲板、集液口、导向管和波纹管，所述导向滑轨上滑动连接有缓冲板，缓冲板的中部设置有上宽下窄的锥形集液口，所述集液口的下端固定连接有导向管，所述导向管位于导向孔中部，且导向管沿导向孔滑动，所述导向管的下端连接有波纹管；
[0008]所述多级除杂机构由至少一层除杂板组件构成，所述除杂板组件包括网状风琴板、伸缩气缸、横梁、线性滑轨和滑块，所述横梁上开设有线性滑轨，所述网状风琴板的折弯
处均旋转连接有滑块，所述滑块滑动连接线性滑轨，所述网状风琴板的四角处均固定连接有伸缩气缸。
[0009]优选的，所述横梁通过螺栓固定连接于箱体侧壁上。
[0010]优选的，所述伸缩气缸的缸体固定连接于箱体侧壁上，伸缩气缸的气杆固定连接于网状风琴板上。
[0011]优选的，所述导向滑轨为T型滑轨、工字型滑轨中的一种。
[0012]优选的，所述缓冲板的四周设置有四氟垫，四氟垫位于箱体内壁和缓冲板侧壁之间。
[0013]优选的，所述杂质排出管道连接有抽气机。
[0014]与现有技术相比，本技术的有益效果如下：
[0015]本技术的3
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甲基吡啶多级分层除杂装置，通过网状风琴板拦截设备磨损产生的机械杂质，未完全反应的多聚甲醛以及局部反应过热产生的碳化、胶质颗粒物等杂质，将3
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甲基吡啶后段加工过程中产生的杂质再次去除；且上述除杂装置采用封闭式机构，利用可在箱体内上下滑动的缓冲板调节箱体上端的腔体空间，隔绝空气的同时提供足够的除杂空间，防爆，提高装置运行的安全性和稳定性。
附图说明
[0016]图1为本技术的整体结构图；
[0017]图2为本技术的除杂箱内部结构图；
[0018]图3为本技术的清洗机构结构图；
[0019]图4为本技术的多级除杂机构结构图；
[0020]图5为本技术图4中A处局部放大图。
[0021]图中：1、清洗机构；11、3
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甲基吡啶注入管；12、清洗液注入管；13、注入头；14、电磁阀；2、多级除杂机构；3、除杂箱；31、箱体；32、导向滑轨；33、杂质排出管道；34、缓冲气体注入管道；35、导向孔；4、气压缓冲机构；41、缓冲板；411、四氟垫；42、集液口；43、导向管；44、波纹管；5、除杂板组件；51、网状风琴板；52、伸缩气缸；53、横梁；54、线性滑轨；55、滑块。
具体实施方式
[0022]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0023]请参阅图1至图3，一种3
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甲基吡啶多级分层除杂装置，包括清洗机构1、多级除杂机构2、除杂箱3和气压缓冲机构4，清洗机构1的下端固定连接有除杂箱3，除杂箱3的上端设置有多级除杂机构2，除杂箱3的下端设置有气压缓冲机构4；
[0024]清洗机构1包括3
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甲基吡啶注入管11、清洗液注入管12、注入头13和电磁阀14，3
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甲基吡啶注入管11和清洗液注入管12的中部下表面上均设置有多个注入头13，清洗液注入管12上安装有电磁阀14，通过清洗液注入管12向箱体31内注入清洗剂，清洗剂穿过注入头13后落入网状风琴板51，伸缩气缸52往复伸缩，将落入网状风琴板51的清洗剂和颗粒、不溶
物混合，清洗剂将颗粒、不溶物溶出后去除，对网状风琴板51进行清洗、疏通，确保下一次除杂的正常进行；
[0025]除杂箱3包括箱体31、导向滑轨32、杂质排出管道33、缓冲气体注入管道34和导向孔35，箱体31的两侧内壁上均设置有导向滑轨32，导向滑轨32为T型滑轨、工字型滑轨中的一种，防止缓冲板41侧偏或滑脱，箱体31的上端与杂质排出管道33相互连通，若3
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甲基吡啶中含有少量的三聚乙醛，则通过3
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甲基吡啶注入管11向箱体31内注入待除杂的原料，杂质排出管道33连接有抽气机，原料穿过注入头13后落入网状风琴板51，伸缩气缸52往复伸缩，带动网状风琴板51挤压3
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甲基吡啶，拦截设备磨损产生的机械杂质，未完全反应的多聚甲本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种3
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甲基吡啶多级分层除杂装置，其特征在于：包括清洗机构(1)、多级除杂机构(2)、除杂箱(3)和气压缓冲机构(4)，所述清洗机构(1)的下端固定连接有除杂箱(3)，所述除杂箱(3)的上端设置有多级除杂机构(2)，除杂箱(3)的下端设置有气压缓冲机构(4)；所述清洗机构(1)包括3
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甲基吡啶注入管(11)、清洗液注入管(12)、注入头(13)和电磁阀(14)，所述3
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甲基吡啶注入管(11)和清洗液注入管(12)的中部下表面上均设置有多个注入头(13)，所述清洗液注入管(12)上安装有电磁阀(14)；所述除杂箱(3)包括箱体(31)、导向滑轨(32)、杂质排出管道(33)、缓冲气体注入管道(34)和导向孔(35)，所述箱体(31)的两侧内壁上均设置有导向滑轨(32)，所述箱体(31)的上端与杂质排出管道(33)相互连通，箱体(31)的下端与缓冲气体注入管道(34)相互连通，所述箱体(31)的底部开设有导向孔(35)；所述气压缓冲机构(4)包括缓冲板(41)、集液口(42)、导向管(43)和波纹管(44)，所述导向滑轨(32)上滑动连接有缓冲板(41)，缓冲板(41)的中部设置有上宽下窄的锥形集液口(42)，所述集液口(42)的下端固定连接有导向管(43)，所述导向管(43)位于导向孔(35)中部，且导向管(43)沿导向孔(35)滑动，所述导向管(43)...

【专利技术属性】
技术研发人员：王婕，张丽，刘彬，钱前，王丹，
申请(专利权)人：安徽国星生物化学有限公司，
类型：新型
国别省市：