功率模块的驱动端子制造技术

技术编号:29912457 阅读:52 留言:0更新日期:2021-09-04 13:36
公开一种功率模块的驱动端子。功率模块的驱动端子与功率模块连接,包括:第一端部,暴露在功率模块的外部;第二端部,位于功率模块的内部,包括支撑部以及弯折部,支撑部固定连接功率模块的基板;弯折部将第一端部与支撑部连接。本申请通过设置弯折部,提供了一定的抗屈服力,使得驱动端子具有应力缓冲功能,在高低温和震动环境下,可以提高使用寿命。可以提高使用寿命。可以提高使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
功率模块的驱动端子


[0001]本技术涉及半导体
,更具体地,涉及一种功率模块的驱动端子。

技术介绍

[0002]随着社会环保意识增强,节能减排类产品应运而生。功率变流器作为其中一种产品应用在例如开关电源、电机驱动装置、不间断电源(UPS,Uninterruptible Power System)、光伏逆变器等产品中。
[0003]现有的功率模块,包括引出外部的至少一个驱动端子。驱动端子一端固定在功率模块的基板上,另一端位于功率模块的外部以实现外部连接。
[0004]现有的驱动端子多为L型,当施加外力在驱动端子暴露于功率模块外部的端部时,容易造成驱动端子与功率模块基板脱离等致使功率模块稳定性下降的情况发生。

技术实现思路

[0005]鉴于上述问题,本技术的目的在于提供一种具有抗屈和防拔功能的功率模块的驱动端子。
[0006]根据本技术提供的一种功率模块的驱动端子,与功率模块连接,包括:第一端部,暴露在所述功率模块的外部;第二端部,位于所述功率模块的内部,包括支撑部以及弯折部,所述支撑部固定连接所述功率模块的基板;所述弯折部将所述第一端部与所述支撑部连接。
[0007]可选地,还包括:突出部,位于所述功率模块的内部,将所述第一端部与所述弯折部连接。
[0008]可选地,所述突出部靠近所述第一端部的宽度大于所述第一端部的宽度。
[0009]可选地,所述突出部的最小宽度大于或者等于所述第一端部的最大宽度。
[0010]可选地,所述第二端部为S型立体结构或者C型立体结构。
[0011]可选地,所述第一端部具有连接孔。
[0012]可选地,所述功率模块为全桥功率模块或者半桥功率模块。
[0013]根据本技术提供的功率模块的驱动端子包括第一端部以及第二端部,第二端部包括弯折部和支撑部。支撑部固定连接功率模块的基板;弯折部将第一端部与支撑部连接。弯折部的设计提供了一定的抗屈服力,使得驱动端子具有应力缓冲功能,在高低温和震动环境下,可以提高使用寿命。进一步地,第二端部为S型立体结构或者C型立体结构。
[0014]进一步地,驱动端子还包括连接第一端部和弯折部的突出部,突出部靠近第一端部的宽度大于所述第一端部的宽度。通过上述设计,将驱动端子限位,在外力施加于第一端部上时,驱动端子具有防拔出功能,进而提升了功率模块的稳定性。
附图说明
[0015]通过以下参照附图对本技术实施例的描述,本技术的上述以及其他目
的、特征和优点将更为清楚,在附图中:
[0016]图1示出根据本技术实施例的功率模块的封装结构的示意图;
[0017]图2示出根据本技术实施例的功率模块的封装结构的部分结构示意图;
[0018]图3a示出根据本技术实施例的一种功率模块的驱动端子的结构示意图;图3b示出根据本技术实施例的另一种功率模块的驱动端子的结构示意图;
[0019]图4示出根据本技术实施例的功率模块的封装结构制作方法的流程示意图;
[0020]图5示出根据本技术实施例的功率模块的拓扑电路示意图。
具体实施方式
[0021]以下将参照附图更详细地描述本技术。为了清楚起见,附图中的各个部分没有按比例绘制。此外,可能未示出某些公知的部分。在下文中描述了本技术的许多特定的细节,但正如本领域的技术人员能够理解的那样,可以不按照这些特定的细节来实现本技术。
[0022]图1示出根据本技术实施例的功率模块的封装结构的示意图,图2示出根据本技术实施例的功率模块的封装结构的部分结构示意图。
[0023]结合图1、图2所示,本实施例提供的功率模块的封装结构包括第一基板210、集成于第一基板210上表面的例如4个功率单元220、例如8个驱动端子240以及例如4个功率端子231,以封装形成由四个功率单元220连接而成的全桥功率模块。本技术提供的功率模块的封装结构还可以是半桥功率模块、三桥功率模块等其他功率模块的封装结构。
[0024]第一基板210为散热基板,例如是铜基板,其厚度为3
±
0.5mm。
[0025]功率单元220固定在第一基板210上表面,包括焊接在第一基板210的上表面的第三基板224、集成于第三基板224上表面的第一芯片221以及第二芯片222。第三基板224的下表面与第一基板210的上表面焊接,第三基板224的上表面分别与第一芯片221的下表面、第二芯片222的下表面焊接,上述焊接材料例如可以是锡膏或者焊片,通过焊接炉将锡膏加热至熔点,在连接界面处形成合金层。第三基板224上表面还包括第一类基岛225、第二类基岛226和第三类基岛253。第三基板224为覆铜陶瓷基板,表面涂覆有可焊接材料,可焊接材料除了铜还可以为银、金等材料。第一芯片221、第二芯片222下表面具有可焊金属层,例如为铜、银、金等材料。第一芯片221、第二芯片222通过电路拓扑结构连接形成功率单元220,第一芯片221例如是绝缘栅双极型晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS,Metal Oxide Semiconductor),第二芯片222例如是快恢复二极管(FRD,Fast recovery diode)。采用锡膏焊接后,芯片与第三基板224的表面会残留助焊剂,助焊剂残留一般为松香等物质,可以采用相似相溶原理进行清洗去除,以保证半导体器件的电气参数不受影响。若采用焊片焊接,则不需要清洗。第一类基岛225与功率单元220中第一芯片221的漏极焊接,第二类基岛226例如通过键合线254与功率单元220中第一芯片221的栅极电连接,第三类基岛253例如通过键合线254与功率单元220中第一芯片221的源极电连接。
[0026]第一芯片221与第二芯片222之间按照该功率模块的电路拓扑结构进行电气连接,上述电气连接采用焊接或者通过键合线254间接连接,键合线254例如是铝线。
[0027]功率端子231至少与功率单元220的第一类基岛225或者第三类基岛253之一连接。
具体地,功率端子231可以直接通过焊膏或焊片与功率单元220的第一类基岛225或者第三类基岛253焊接连接。以下以功率模块的电路拓扑结构为全桥功率模块进行详细说明,每个功率端子231分别与两个功率单元220中各自的第一类基岛225或者第三类基岛253之一连接。具体地,功率端子例如分别与相邻的两个功率单元220的第三类基岛253连接,功率端子例如分别与相邻的两个功率单元220的第一类基岛225连接,另外的功率端子例如分别与一个功率单元220的第一类基岛225和相邻的一个功率单元220的第三类基岛253连接。其中,功率端子231与第一类基岛225或者与第三类基岛253连接的端部例如可以是弯曲型立体结构,该端部可以是S型立体结构或者C型立体结构,以使得该功率端本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率模块的驱动端子,与功率模块连接,其特征在于,包括:第一端部,暴露在所述功率模块的外部;第二端部,位于所述功率模块的内部,包括支撑部以及弯折部,所述支撑部固定连接所述功率模块的基板;所述弯折部将所述第一端部与所述支撑部连接。2.根据权利要求1所述的功率模块的驱动端子,其特征在于,还包括:突出部,位于所述功率模块的内部,将所述第一端部与所述弯折部连接。3.根据权利要求2所述的功率模块的驱动端子,其特征在于,所述突出部靠近所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:方伟锋雷鸣尹芹芹
申请(专利权)人:杭州士兰微电子股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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