基板处理装置以及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够获得较高抗蚀膜去除率的基板处理装置以及基板处理方法。在壳体(12)内的转台(21)上，基板(11)的处理面(S1)与固定板(17)的上表面隔开规定间隔，并以处理面(S1)朝下的姿势被固定。基板(11)与转台(21)一体旋转。在基板(11)的旋转过程中，使混合了臭氧气体和臭氧水的气液二相流体从设置在固定板(17)的中央部的喷出部(16)向形成于处理面(S1)和上表面之间的流路流动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置以及基板处理方法
本专利技术涉及半导体晶片等基板处理装置以及基板处理方法。
技术介绍
通常，在半导体的晶片工艺中，作为用于形成器件结构的蚀刻或离子注入等的掩模，广泛使用感光性树脂即抗蚀膜。即，将在基板的处理面上形成的抗蚀膜作为掩模进行蚀刻或离子注入等之后，从基板的处理面去除抗蚀膜。作为去除抗蚀膜的方法，广泛采用使用硫酸和双氧水的混合液(硫酸双氧水混合液)的方法。另外，提出了使用对环境影响小的臭氧(O3)水的方法(参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开WO2010/140581号专利文献2：日本专利特开2009-218548号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题使用臭氧(O3)水的抗蚀膜的去除方法对环境的影响小，但抗蚀膜的去除率低，存在对一张基板的处理时间变长的问题。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够获得具有较高抗蚀膜去除率的基板处理装置和基板处理方法。用于解决课题的技术手段本专利技术的基板处理装置包括：旋转机构部，用于水平地保持基板，使所保持的所述基板围绕竖直轴旋转；固定板，固定在所述固定板的一个表面与保持在所述旋转机构部的所述基板的处理面隔开间隔相对的位置上，在所述固定板与所述处理面之间形成流路；以及喷出部，设置在与所述基板的中央部相对的位置，在所述基板通过所述旋转机构部的作用而旋转的期间，对所述流路供给臭氧气体和臭氧水，使混合臭氧气体和臭氧水而得到的气液二相流体在所述流路流动。本专利技术的基板处理方法具有：旋转工序，在使保持为水平的基板的处理面与被固定的固定板的一个表面隔开间隔地相对配置，并在所述处理面与所述一个表面之间形成流路的状态下，使所述基板围绕竖直轴旋转；以及气液二相流体供给工序，在所述旋转工序的动作过程中，从与所述基板的中央部相对的位置对所述流路供给臭氧气体和臭氧水，使混合臭氧气体和臭氧水而得到的气液二相流体在所述流路流动。专利技术效果根据本专利技术，使基板的处理面与固定板的一个表面隔开间隔地相对，在处理面与固定板的一个表面之间形成流路，在基板的旋转中，使混合了臭氧气体和臭氧水的气液二相流体流过流路，因此能够得到较高的去除率。附图说明图1是表示基板处理装置的结构的剖视图。图2是表示混合器和喷出部的结构的剖视图。图3是表示喷出孔的排列示例的说明图。图4是表示流路内的气液二相流体的说明图。图5是表示流路内的气液二相流体的其他示例的说明图。图6是表示去除抗蚀膜的步骤的流程图。图7是表示使用了气液二相流体的抗蚀膜的去除速度和使用了臭氧水的抗蚀膜的去除速度的曲线图。图8是表示将混合器作为静态混合器的示例的剖视图。具体实施方式图1中，基板处理装置10是利用臭氧气体和臭氧水的气液二相流体去除形成于基板11上的抗蚀膜(未图示)的装置。基板11例如是硅晶片等半导体基板。在该例子中，形成有各种半导体元件和电路的基板11的一个表面为成为处理对象的处理面S1，基板处理装置10用于去除形成在该处理面S1上的抗蚀膜。该示例的基板处理装置10在使处理面S1朝下的状态下进行去除抗蚀膜的处理，但也可以在使处理面S1朝上的状态下进行去除抗蚀膜的处理。基板处理装置10包括壳体12、旋转机构部14、装载机构15、喷出部16、固定板17、供给部18、卤素灯加热器19和排出部20等。该基板处理装置10的各部分由控制部(未图示)统一控制。壳体12是有底的圆筒状，在上部设有开口为圆形的上部开口12a。固定板17、后述的转台21等容纳在壳体12中，同时基板11也容纳在壳体12中。上部开口12a形成为直径大于基板11的形状，通过该上部开口12a，从壳体12取出基板11或将基板放入壳体12中。另外，如后所述，在该示例中，上部开口12a为将外部空气导入壳体12内的导入口。旋转机构部14是使水平保持的基板11绕竖直轴旋转的装置，在该示例中，由转台21、驱动轴22、电动马达23、基板保持部24等构成。转台21为圆盘状，容纳在壳体12内。转台21固定于驱动轴22的上端部，绕竖直的旋转轴Z自由转动，在以其上表面保持为水平的状态下转动。转台21与驱动轴22同轴。驱动轴22在壳体12的底面12b的厚度方向(上下方向)贯通壳体12的底面12b，由设置在底面12b的开口部处的轴承25支承为可自由转动。在驱动轴22的下部固定有皮带轮26。在该皮带轮26与安装在电动马达23的旋转轴上的皮带轮23a之间挂有皮带27。由此，当电动马达23驱动时，驱动轴22与转台21一体旋转。通过增减电动马达23的速度来调节转台21的转速。用于保持基板11的基板保持部24设置于转台21。基板保持部24由在转台21的周缘部以规定间隔沿圆周方向排列的多个保持件24a构成。各保持件24a与转台21一体旋转。另外，在图1中，仅描绘了两个保持件24a，但实际上例如设有六个保持件24a。保持件24a例如在其前端形成有台阶部，基板11的周缘部载置在各保持件24a的各台阶部上。由此，基板11通过基板保持部24水平地支承在预定高度处。由基板保持部24支承的基板11被支承为与转台21的上表面向上隔开间隔。另外，各保持件24a分别沿基板11的径向移动，从而由各保持件24a夹持基板11。这样，基板11由基板保持部24保持，与转台21同轴固定，并与转台21一体旋转。上述基板保持部24的结构是一个示例，不限于此。例如，基板保持部24也可以由与基板11的处理面S1侧的周缘部抵接而规定了基板11和转台21之间的间隔的多个销和沿径向夹持并固定基板11的多个销构成。在驱动轴22上，形成有在其内部沿上下方向贯通的贯通孔22a。另外，在转台21的中央部形成有与贯通孔22a连接的贯通孔21a。筒状的固定轴28穿过贯通孔21a和贯通孔22a。该固定轴28与壳体12等一起固定在外部的框架等上。因此，转台21和驱动轴22绕固定轴28旋转。在固定轴28的上端固定有用于供给气液二相流的流体(以下称为气液二相流体)的混合器29，在该混合器29上固定有固定板17。在混合器29的上表面形成有成为喷出部16的多个喷出孔30(参照图2)。此外，混合器29通过供给管部31连接有供给部18，供给管部31由穿过固定轴28的中空部28a的供给管31a至31d(参见图2)构成。另外，也可以将固定板17直接与固定轴28固定。包括喷出部16的混合器29和固定板17配置在由基板保持部24保持的基板11与转台21之间。如后所述，固定板17被固定在其上表面与由基板保持部24保持的基板11的处理面S1隔开间隔相对配置的位置。由装载机构15，如上所述通过上部开口12a进行基板11的取放。装载机构15从容纳盒(未图示)取出作为处理对象的基板11，将基板11移动到由基板保持部24所支承的位置。在容纳盒中基板11以处理面S1朝上的姿势放置。因此，装载机构15在从容纳盒中取出基板11后，将基板11的上下反转本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：/n旋转机构部，水平地保持基板，使所保持的所述基板围绕竖直轴旋转；/n固定板，固定在所述固定板的一个表面与保持在所述旋转机构部的所述基板的处理面隔开间隔相对的位置上，在所述固定板与所述处理面之间形成流路；以及/n喷出部，设置在与所述基板的中央部相对的位置，在所述基板通过所述旋转机构部的作用而旋转的期间，对所述流路供给臭氧气体和臭氧水，使混合了臭氧气体和臭氧水的气液二相流体在所述流路流动。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190124 JP 2019-0103451.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
旋转机构部，水平地保持基板，使所保持的所述基板围绕竖直轴旋转；
固定板，固定在所述固定板的一个表面与保持在所述旋转机构部的所述基板的处理面隔开间隔相对的位置上，在所述固定板与所述处理面之间形成流路；以及
喷出部，设置在与所述基板的中央部相对的位置，在所述基板通过所述旋转机构部的作用而旋转的期间，对所述流路供给臭氧气体和臭氧水，使混合了臭氧气体和臭氧水的气液二相流体在所述流路流动。


2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述喷出部使所述气液二相流体作为段塞流流动。


3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：
所述固定板的所述一个表面为平坦的。


4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
加热器，用于使所述气液二相流体在所述流路中流动时加热所述基板。


5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：舟桥伦正，房野正幸，小见山昌彦，户田贵大，河合勇治，
申请(专利权)人：株式会社JET，
类型：发明
国别省市：日本;JP