本发明专利技术提供一种基板处理装置及基板处理方法，能够在减少微粒等异物的残留的同时获得抗蚀膜的较高去除率。以处理面(S1)与转台(14)的上表面隔开规定间隔且处理面(S1)朝下的姿势将基板(11)固定在壳体(12)内的转台(14)上。在基板(11)与转台(14)一体旋转的同时，从设置在转台(14)的中央部的喷出部(16)喷出臭氧气体。利用喷出的臭氧气体去除处理面(S1)上的抗蚀膜。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置以及基板处理方法
本专利技术涉及半导体晶片等基板处理装置以及基板处理方法。
技术介绍
通常，在半导体的晶片工艺中，作为用于形成器件结构的蚀刻或离子注入等的掩模，广泛使用感光性树脂即抗蚀膜(resistfilm)。即，将在基板的处理面上形成的抗蚀膜作为掩模进行蚀刻或离子注入等之后，从基板的处理面去除抗蚀膜。作为去除抗蚀膜的方法，广泛采用使用硫酸和双氧水的混合液(硫酸双氧水混合液)的方法。另外，提出了使用对环境影响小的臭氧(O3)水的方法(参照专利文献1)。进而，已知有利用臭氧或等离子体去除抗蚀膜的方法，或者在利用等离子体去除抗蚀膜表面的牢固变质层之后，利用化学溶液去除剩余的抗蚀膜，然后利用纯水等对处理面进行冲洗的方法(参照专利文献2)。在用臭氧气体或等离子体去除抗蚀膜时，将基板搬入处理装置内，对使处理面朝上放置的基板从上方吹臭氧气体，或者照射等离子体进行抗蚀膜的灰化后，将基板从处理装置移送到化学处理装置，在化学处理装置中利用化学溶液进行处理并利用纯水进行清洗。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开WO2010/140581号专利文献2：日本专利特开2009-218548号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题使用臭氧(O3)水去除抗蚀膜的方法对环境的影响小，但抗蚀膜的去除率低，存在对一张基板的处理时间变长的问题。另一方面，如上所述的利用臭氧气体或等离子体去除抗蚀膜的方法，在基板的处理面上残留有较多的微粒等异物，最终需要用化学溶液或纯水进行充分的清洗，因此存在处理时间变长的问题。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够在减少微粒等异物的残留的同时获得具有较高抗蚀膜去除率的基板处理装置和基板处理方法。用于解决课题的技术手段本专利技术的基板处理装置，包括：转台，围绕竖直轴转动自如地配置，在对基板的处理面进行处理时旋转；基板保持部，其设置在所述转台上，在使所述处理面朝下而与所述转台的上表面分离的状态下将所述基板保持为水平并与所述转台一体旋转；喷出部，固定在相比于保持在所述转台上的所述基板的所述处理面靠下侧，并配置在所述转台的中央部，且具有用于喷出所供给的流体并供给于所述处理面上的一个或多个喷嘴；以及臭氧气体供给部，在所述转台的旋转过程中，对所述喷出部供给臭氧气体作为所述流体。本专利技术的基板处理方法包括：基板保持工序，利用设于转台的基板保持部，使所述基板保持为基板的处理面朝下并且水平，且处于与绕竖直轴转动自如的所述转台的上表面分离的状态；旋转工序，使所述转台与所述基板一体旋转；以及臭氧气体供给工序，从所述转台的中央部向旋转中的所述转台与所述基板之间喷出臭氧气体，并提供给所述处理面。专利技术效果根据本专利技术，从转台的中央部，向转台和与该转台一体旋转的处理面朝下的基板之间喷出臭氧气体并提供给处理面，因此，能够在得到较高去除率的同时减少微粒等异物的残留。附图说明图1是表示基板处理装置的构造的剖视图。图2是表示喷出部的构造的剖视图。图3是表示去除抗蚀膜的步骤的流程图。图4是表示设置四个喷嘴头作为喷出部的例子的说明图。图5是表示作为喷出部设置了一个喷嘴头的例子的说明图，其中，喷嘴头具有喷出方向、喷出量、喷出的流体的扩散模式不同的两个喷嘴。图6是表示作为喷出部设置了两个喷嘴头的例子的说明图，其中，各喷嘴头具有喷出方向、喷出量、喷出的流体的扩散模式不同的两个喷嘴。具体实施方式图1中，基板处理装置10是用于去除形成在基板11上的抗蚀膜(未示出)的装置。该基板处理装置10具有：使用臭氧气体去除抗蚀膜的干燥模式和在干燥模式后使用处理液去除残留在基板11上的微粒等异物的湿式模式。基板11例如是硅晶片等半导体基板。在该例子中，形成有各种半导体元件和电路的基板11的一个表面为成为处理对象的处理面S1，基板处理装置10用于去除形成在该处理面S1上的抗蚀膜。基板处理装置10具备壳体12、转台14、装载机构15、喷出部16、供给部17、卤素灯加热器18、排出部19等，各部件由控制部(未示出)统一控制。壳体12是有底的圆筒状，在上部设有开口为圆形的上部开口12a。上部开口12a形成为直径大于基板11，通过该上部开口12a，从壳体12取出基板11或将基板放入壳体12中。另外，如后所述，在该例子中，上部开口12a成为将外部空气导入壳体12内的导入口。在壳体12内容纳有圆盘状的转台14。另外，在该壳体12中容纳有基板11。转台14绕竖直的旋转轴Z转动自如，在使其上表面保持水平的状态下转动。转台14固定在驱动轴21的上端部。该驱动轴21与转台14同轴。驱动轴21在壳体12的底面12b的厚度方向(上下方向)贯通壳体12的底面12b，由设置在底面12b的开口部的轴承22转动自如地支承。在驱动轴21的下部固定有皮带轮23。在该皮带轮23与安装在电动马达24的旋转轴上的皮带轮25之间挂有皮带26。由此，当电动马达24驱动时，驱动轴21与转台14一体旋转。转台14从干燥模式的开始至湿式模式的结束为止连续旋转。通过增减电动马达24的速度来调节转台14的转速。驱动轴21在其内部形成有沿上下方向贯通的贯通孔21a。另外，在转台14的中央部形成有与贯通孔21a连接的贯通孔14a。在贯通孔14a和贯通孔21a中配置有筒状的固定轴28。固定轴28与壳体12等一起固定在外部的框架等上。因此，转台14和驱动轴21绕固定轴28旋转。由供给管31a至31c(参见图2)构成的供给管部31穿过固定轴28的中空部28a。用于保持基板11的基板保持部32设置在转台14的上表面上。基板保持部32由设置在转台14的周缘部的多个保持件32a构成。多个保持件32a沿转台14的周向以预定间隔排列。各保持件32a与转台14一体旋转。另外，在图1中，仅描绘了两个保持件32a，但实际上例如设有六个保持件32a。保持件32a例如在其前端形成有台阶部，基板11的周缘部分别载置在各保持件32a的台阶部。由此，通过基板保持部32，使基板11支承为与转台14的上表面隔开规定间隔平行即水平的状态。另外，各保持件32a分别使基板11沿其径向移动，从而由各保持件32a夹持基板11。这样，基板11被基板保持部32保持，固定为与转台14同轴。这样固定的基板11与转台14一体旋转。上述基板保持部32的结构为一个示例，不限于此。例如，基板保持部32也可以由与基板11的处理面S1侧的周缘部抵接而对基板11和转台14规定间隔的多个销和沿径向夹持而固定基板11的多个销构成。基板11与转台14的上表面之间的间隔例如设定为25mm左右。该间隔优选在1mm～50mm的范围内，更优选在10mm～30mm的范围内。如果间隔为1mm以上，则能够容易防止基板11与转台14的接触。另外，通过使间隔为1mm或数mm左右，能够在基板11与转台14之间以较少的供给量形成高速的臭氧气体的气流。如果间隔为50mm以下，则容易在基板11和转台14之间充满高本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：/n转台，围绕竖直轴转动自如地配置，在对基板的处理面进行处理时使转台旋转；/n基板保持部，设置在所述转台上，使所述处理面朝下且处于与所述转台的上表面分离的状态使所述基板保持为水平，所述基板保持部与所述转台一体地旋转；/n喷出部，固定在相比于保持在所述转台上的所述基板的所述处理面靠下侧，并配置在所述转台的中央部，且具有用于将所供给的流体喷出并供给于所述处理面的一个或多个喷嘴；以及/n臭氧气体供给部，在所述转台的旋转中，对所述喷出部供给臭氧气体作为所述流体。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190124 JP 2019-0103441.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
转台，围绕竖直轴转动自如地配置，在对基板的处理面进行处理时使转台旋转；
基板保持部，设置在所述转台上，使所述处理面朝下且处于与所述转台的上表面分离的状态使所述基板保持为水平，所述基板保持部与所述转台一体地旋转；
喷出部，固定在相比于保持在所述转台上的所述基板的所述处理面靠下侧，并配置在所述转台的中央部，且具有用于将所供给的流体喷出并供给于所述处理面的一个或多个喷嘴；以及
臭氧气体供给部，在所述转台的旋转中，对所述喷出部供给臭氧气体作为所述流体。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
加热器，在从所述臭氧气体供给部向所述喷出部供给臭氧气体时，从上方对保持于所述基板保持部的所述基板进行加热。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，具有：
干燥模式，从所述臭氧气体供给部向所述喷出部供给臭氧气体，用臭氧气体对所述处理面进行处理；以及
湿式模式，在所述干燥模式后转移至所述湿式模式，用处理液对与所述转台一体旋转的所述基板的所述处理面进行处理，
所述基板处理装置包括处理液供给部，所述处理液供给部用于在所述湿式模式下向所述喷出部供给所述处理液作为所述流体。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给部对所述喷出部作为所述处理液供给用于去除微粒的化学溶液后供给纯水。
5.如权利要求3或4所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
冷却用气体供给部，在转移至所述湿式模式之前，代替臭氧气体向所述喷出部供给冷却用气体，对与所述转台一体旋转的所述基板进行冷却。
6.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述喷出部具有多个喷嘴，各喷嘴所喷...
【专利技术属性】
技术研发人员：舟桥伦正，房野正幸，小见山昌彦，户田贵大，河合勇治，
申请(专利权)人：株式会社JET，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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