微发光二极管、微发光元件及显示器制造技术

本申请公开了一种微发光二极管、微发光元件及显示器，该微发光二极管包括半导体堆叠层，半导体堆叠层具有相对设置的第一表面和第二表面；第一表面包括粗糙部和平台部，平台部环绕于粗糙部的外围，且粗糙部相对于平台部向第二表面方向凹陷。本申请中平台部主要是利用保护层预先覆盖第一表面的部分区域并在对第一表面粗化过程中避免保护层所覆盖的区域被移除或减薄而成，在形成平台部时，若半导体堆叠层侧壁有绝缘层，则能够避免半导体堆叠层侧壁处的绝缘层暴露在蚀刻流体下，从而避免绝缘层受到损伤而导致绝缘层失效，提高微发光二极管的可靠性及出光效率。

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管、微发光元件及显示器
本申请涉及半导体相关
，尤其涉及一种微发光二极管、微发光元件及显示器。
技术介绍
微发光二极管具有低功耗、高度亮、超高分辨率与色彩饱和度、响应速度快、寿命长等优点，是目前热门研究的下一代显示器光源，且对微发光二极管的出光效率提出更高要求。现有提高微发光二极管的出光效率的方法包括在微发光二极管的侧壁镀有绝缘层或者对微发光二极管的出光面进行粗化。在对出光面粗化过程中，微发光二极管的侧壁暴露在蚀刻流体下，尤其是在微发光二极管的侧壁镀有绝缘层时，该绝缘层因暴露在蚀刻流体下受到损伤导致绝缘层失效，影响微发光二极管的出光效率。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种微发光二极管，其能够在半导体堆叠层侧壁有绝缘层时，避免侧壁处的绝缘层因暴露在蚀刻流体下受到损伤而导致绝缘层失效，以提高微发光二极管的出光效率。另一目的还在于提供一种微发光元件，以及一种显示器。第一方面，本申请实施例提供一种微发光二极管，其包括：半导体堆叠层，具有相对设置的第一表面和第二表面；第一表面包括粗糙部和平台部，平台部环绕于粗糙部的外围，且粗糙部相对于平台部向第二表面方向凹陷。在一种可能的实施方案中，微发光二极管的宽度为2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm；微发光二极管的长度为2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm。在一种可能的实施方案中，粗糙部与第一表面边缘的距离D2等于或大于0.5μm，且小于或等于1μm。在一种可能的实施方案中，半导体堆叠层包括相连的第一部和第二部，第一部位于半导体堆叠层靠近第一表面的一侧，第二部位于半导体堆叠层远离第一表面的一侧；第一部的宽度等于第二部的宽度；或者，第一部的宽度小于第二部的宽度；或者，第一部的宽度大于第二部的宽度。在一种可能的实施方案中，在第一部的宽度大于第二部的宽度时，第一部的厚度等于或大于0.5μm。在一种可能的实施方案中，该微发光二极管还包括：绝缘层，部分或完全覆盖半导体堆叠层的第二表面。在一种可能的实施方案中，绝缘层为分布式布拉格反射镜；分布式布拉格反射镜的材料之一为氧化钛。在一种可能的实施方案中，绝缘层覆盖的区域还包括半导体堆叠层的至少部分侧壁。在一种可能的实施方案中，位于半导体堆叠层侧壁的绝缘层包括侧部和水平部，侧部与水平部的交点落在半导体堆叠层的内部。在一种可能的实施方案中，侧部与水平部的交点位于半导体堆叠层远离粗糙部的一侧。在一种可能的实施方案中，交点与半导体堆叠层最外侧之间的距离D1等于或大于0.5μm。在一种可能的实施方案中，该微发光二极管还包括：保护层，至少覆盖平台部。在一种可能的实施方案中，保护层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝的一种或多种。在一种可能的实施方案中，保护层的厚度为100～20000埃。第二方面，本申请实施例提供一种微发光元件，其包括：基板；至少一个微发光二极管，每个微发光二极管包括半导体堆叠层；半导体堆叠层具有相对设置的第一表面和第二表面；第一表面包括粗糙部和平台部，平台部环绕于粗糙部的外围，且粗糙部相对于平台部向第二表面方向凹陷。在一种可能的实施方案中，基板包括金属基板、蓝宝石衬底、玻璃、硅衬底、碳化硅衬底或者支撑膜。在一种可能的实施方案中，基板用于承载微发光二极管的表面与所述微发光二极管之间设置有胶膜，胶膜的宽度小于半导体堆叠层的宽度。在一种可能的实施方案中，粗糙部与第一表面边缘的距离D2等于或大于0.5μm，且小于或等于1μm。在一种可能的实施方案中，半导体堆叠层包括相连的第一部和第二部，第一部位于半导体堆叠层靠近第一表面的一侧，第二部位于半导体堆叠层远离第一表面的一侧；第一部的宽度等于第二部的宽度；或者，第一部的宽度小于第二部的宽度；或者，第一部的宽度大于第二部的宽度。在一种可能的实施方案中，每个微发光二极管还包括：绝缘层，部分或完全覆盖半导体堆叠层的第二表面。在一种可能的实施方案中，绝缘层为分布式布拉格反射镜；分布式布拉格反射镜的材料之一为氧化钛。在一种可能的实施方案中，绝缘层覆盖的区域还包括半导体堆叠层的至少部分侧壁。在一种可能的实施方案中，位于半导体堆叠层侧壁的绝缘层包括侧部和水平部，侧部与水平部的交点落在半导体堆叠层的内部。在一种可能的实施方案中，侧部与水平部的交点位于半导体堆叠层远离粗糙部的一侧。在一种可能的实施方案中，每个微发光二极管还包括：保护层，至少覆盖平台部。第三方面，本申请实施例提供一种显示器，其包括：基板；至少一个微发光二极管，每个微发光二极管包括半导体堆叠层；半导体堆叠层具有相对设置的第一表面和第二表面；第一表面包括粗糙部和平台部，平台部环绕于粗糙部的外围，且粗糙部相对于平台部向第二表面方向凹陷。与现有技术相比，本申请的有益效果至少如下：1)本申请在第一表面上形成环绕于粗糙部外围的平台部，该平台部主要是利用保护层预先覆盖第一表面的部分区域并在对第一表面粗化过程中避免保护层所覆盖的区域被移除或减薄而成。在形成平台部时，若半导体堆叠层侧壁有绝缘层，则能够避免半导体堆叠层侧壁处的绝缘层暴露在蚀刻流体下，从而避免绝缘层受到损伤而导致绝缘层失效，提高微发光二极管的可靠性及出光效率。2)本申请中利用保护层预先覆盖平台部以及半导体堆叠层侧壁除绝缘层之外的区域，使得保护层能够保护半导体堆叠层侧壁处的绝缘层，避免半导体堆叠层侧壁处的绝缘层在对第一表面粗化过程中暴露在蚀刻流体下，从而避免绝缘层受到损伤而导致绝缘层失效，提高微发光二极管的出光效率。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为根据本申请实施例示出的一种微发光二极管的结构示意图；图2为根据本申请实施例示出的一种微发光二极管的结构示意图；图3为根据本申请实施例示出的一种微发光二极管的结构示意图；图4为根据本申请实施例示出的一种微发光二极管的结构示意图；图5为根据本申请实施例示出的一种微发光二极管的结构示意图；图6为根据本申请实施例示出的一种微发光二极管的结构示意图；图7为根据本申请实施例示出的一种微发光二极管的结构示意图；图8为根据本申请实施例示出的一种微发光二极管的结构示意图；图9为根据本申请实施例示出的一种微发光二极管的结构示意图；图10为根据本申请实施例示出的一种微发光元件的结构示意图；图11为根据本申请实施例示出的一种微发光元件的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管，其特征在于，包括：/n半导体堆叠层，具有相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面包括粗糙部和平台部，所述平台部环绕于所述粗糙部的外围，且所述粗糙部相对于所述平台部向第二表面方向凹陷。/n

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管，其特征在于，包括：
半导体堆叠层，具有相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面包括粗糙部和平台部，所述平台部环绕于所述粗糙部的外围，且所述粗糙部相对于所述平台部向第二表面方向凹陷。


2.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述微发光二极管的宽度为2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm；
所述微发光二极管的长度为2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm。


3.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述粗糙部与所述第一表面边缘的距离D2等于或大于0.5μm，且小于或等于1μm。


4.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述半导体堆叠层包括相连的第一部和第二部，所述第一部位于所述半导体堆叠层靠近第一表面的一侧，所述第二部位于所述半导体堆叠层远离第一表面的一侧；所述第一部的宽度等于所述第二部的宽度；
或者，所述第一部的宽度小于所述第二部的宽度；
或者，所述第一部的宽度大于所述第二部的宽度。


5.根据权利要求4所述的微发光二极管，其特征在于，在所述第一部的宽度大于所述第二部的宽度时，所述第一部的厚度等于或大于0.5μm。


6.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，还包括：
绝缘层，部分或完全覆盖所述半导体堆叠层的第二表面。


7.根据权利要求6所述的微发光二极管，其特征在于，所述绝缘层为分布式布拉格反射镜；所述分布式布拉格反射镜的材料之一为氧化钛。


8.根据权利要求6所述的微发光二极管，其特征在于，所述绝缘层覆盖的区域还包括所述半导体堆叠层的至少部分侧壁。


9.根据权利要求8所述的微发光二极管，其特征在于，位于半导体堆叠层侧壁的所述绝缘层包括侧部和水平部，所述侧部与所述水平部的交点落在所述半导体堆叠层的内部。


10.根据权利要求9所述的微发光二极管，其特征在于，所述侧部与所述水平部的交点位于所述半导体堆叠层远离粗糙部的一侧。


11.根据权利要求9所述的微发光二极管，其特征在于，所述交点与半导体堆叠层最外侧之间的距离D1等于或大于0.5μm。


12.根据权利要求1～11中任一项所述的微发光二极管，其特征在于，还包括：
保护层，至少覆盖所述平台部。


13.根据权利要求12所述的微发光二极管，其特征在于，所述保护层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝的一种或多种。


14.根据权利要求12所述的微发光二极管，其特征在于，所述保护层的厚度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴政，李佳恩，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35