一种阵列基板及显示面板制造技术

本申请提供一种阵列基板及显示面板。阵列基板包括多条扫描线、多条数据线、位于所述多条数据线上方的多条无黑矩阵的数据线以及由所述扫描线、所述数据线交叉限定出的多个子像素；每一所述子像素分为主像素区域和副像素区域，对应每一行所述子像素分别设置一条扫描线，所述扫描线介于所述主像素区域和所述副像素区域之间；所述主像素区域包括第一薄膜晶体管、主区存储电容以及主区液晶电容，所述副像素区域包括第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、副区存储电容以及副区液晶电容；其中，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述无黑矩阵的数据线连接，从而使得像素开口率增加，同时省去了预设电极，能有效降低像素不良发生概率。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及显示面板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
在3T像素单元结构中，像素单元分为主像素区域(MainPixel)和副像素区域(SubPixel)，在现有技术中，通过主像素区域和副像素区域的液晶倒向程度不同改善视角问题。主像素区域由第一薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)驱动，副像素区域由第二薄膜晶体管和用于拉低副像素区域电压的第三薄膜晶体管共同驱动。其中，主像素区域中第一薄膜晶体管的栅极与相应的扫描线Gate连接，第一薄膜晶体管的源极与相应的数据线Data连接，第一薄膜晶体管的漏极与主像素电极连接；副像素区域中第二薄膜晶体管的栅极与对应的所述扫描线连接，第二薄膜晶体管的源极与数据线连接，第二薄膜晶体管的漏极与从像素电极连接，第三薄膜晶体管的栅极与所述相应的扫描线连接，第三薄膜晶体管的源极与第二薄膜晶体管的漏极连接，第三薄膜晶体管的漏极与预设电极(sharebar)电极连接。然而，此像素设计通过第三薄膜晶体管的漏极与预设电极(sharebar)电极连接，预设电极在像素电极(ITO)trunk下部，预设电极与像素电极对位不良会降低像素穿透率，同时，预设电极与下方公共电极金属之间的异物可能会导致淡线不良，造成生产良率下降。
技术实现思路
本申请提供了一种阵列基板及显示面板，用以增加像素开口率、透过率。为实现上述功能，本申请提供的技术方案如下：一种阵列基板，包括多条沿水平方向延伸的扫描线、多条沿竖直方向延伸的数据线、位于所述多条数据线上方的多条无黑矩阵的数据线以及由所述扫描线、所述数据线交叉限定出的多个子像素；每一所述子像素分为主像素区域和副像素区域，对应每一行所述子像素分别设置一条扫描线，所述扫描线介于所述主像素区域和所述副像素区域之间；所述子像素的主像素区域包括第一薄膜晶体管、主区存储电容以及主区液晶电容，所述子像素的副像素区域包括第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、副区存储电容以及副区液晶电容；其中，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述无黑矩阵的数据线连接。在本申请的阵列基板中，所述阵列基板包括：衬底基板；第一金属层，位于所述衬底基板上，所述第一金属层包括所述扫描线、所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极以及所述第三薄膜晶体管的栅极；第二金属层，位于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧，所述第二金属层包括数据线、所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极以及所述第三薄膜晶体管的源极和漏极；透明电极层，位于所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧，所述透明电极层包括间隔设置的像素电极和所述无黑矩阵的数据线，所述像素电极包括对应所述子像素的主像素区域设置的主区像素电极和对应所述子像素的副像素区域设置的副区像素电极。在本申请的阵列基板中，所述阵列基板还包括位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的绝缘层和有源层、位于所述第二金属层和所述透明电极层之间的钝化层；其中，所述钝化层上开设有通孔，所述无黑矩阵的数据线通过所述通孔与所述第三薄膜晶体管T3的漏极相连接。在本申请的阵列基板中，所述第三薄膜晶体管的栅极与对应的所述扫描线电连接，所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的漏极电连接。在本申请的阵列基板中，所述第一薄膜晶体管的栅极与对应的所述扫描线电连接，所述第一薄膜晶体管的源极与对应的所述数据线电连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述主区液晶电容的第一极板和所述主区存储电容的第一极板电连接。在本申请的阵列基板中，所述主区存储电容的第二极板与所述主区像素电极电连接，所述主液晶电容的第二极板与所述公共电极电连接。在本申请的阵列基板中，所述第二薄膜晶体管的栅极与对应的所述扫描线电连接，所述第二薄膜晶体管的源极与对应的所述数据线电连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述副区液晶电容的第一极板和所述副区存储电容的第一极板电连接。在本申请的阵列基板中，所述副区存储电容的第二极板与所述副区像素电极电连接，所述副区液晶电容的第二极板与所述公共电极电连接。在本申请的阵列基板中，所述无黑矩阵的数据线包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述数据线平行，所述第二部分设置在对应的所述子像素的开口区域；其中，所述第一部分的投影与对应的所述数据线重叠，所述第二部分的投影与对应的所述扫描线部分重叠。本申请提供了一种显示面板，包括上述任一所述的阵列基板。本申请的有益效果：本申请通过将现有3T像素单元设计中的预设电极省略，将用于拉低所述子像素的副像素区域电压的第三薄膜晶体管的漏极与无黑矩阵的数据线连接，增大像素开口率、透过率；同时实现了降低副像素区域的电压，改善大视角色偏的功能；并且由于省略了预设电极，避免了预设电极与公共电极金属之间的异物可能会导致淡线不良，造成生产良率下降的现象，从而提高了3T像素单元结构设计的电性稳定性。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有阵列基板的子像素的等效电路示意图；图2为本申请实施例所提供的阵列基板的子像素的俯视图；图3为图2在位置A处的剖视图；图4为本申请实施例所提供的阵列基板的子像素的等效电路示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。请参阅图1，现有阵列基板的子像素的等效电路示意图。现有技术中，子像素分为主像素区域100和副像素区域200，主像素区域100由第一薄膜晶体管T1驱动，副像素区域由第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3共同驱动；其中，所述主像素区域100中的所述第一薄膜晶体管T1的栅极与相应的扫描线Gate连接，所述第一薄膜晶体管T1的源极与相应的数据线Data连接，所述第一薄膜晶体管T1的漏极与主区液晶电容Clc-main的第一极板和主区存储电容Cst-main的第一极板连接；所述副像素区域200中的所述第二薄膜晶体管T2的栅极与对应的扫描线Gate连接，所述第二薄膜晶体管T2的源极与数据线Data连接，所述第二薄膜晶体管T2的漏极与副区液晶电容Clc-sub的第一极板和副区存储电容Cst本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多条沿水平方向延伸的扫描线、多条沿竖直方向延伸的数据线、位于所述多条数据线上方的多条无黑矩阵的数据线以及由所述扫描线、所述数据线交叉限定出的多个子像素；/n每一所述子像素分为主像素区域和副像素区域，对应每一行所述子像素分别设置一条扫描线，所述扫描线介于所述主像素区域和所述副像素区域之间/n所述子像素的主像素区域包括第一薄膜晶体管、主区存储电容以及主区液晶电容，所述子像素的副像素区域包括第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、副区存储电容以及副区液晶电容；/n其中，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述无黑矩阵的数据线连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多条沿水平方向延伸的扫描线、多条沿竖直方向延伸的数据线、位于所述多条数据线上方的多条无黑矩阵的数据线以及由所述扫描线、所述数据线交叉限定出的多个子像素；
每一所述子像素分为主像素区域和副像素区域，对应每一行所述子像素分别设置一条扫描线，所述扫描线介于所述主像素区域和所述副像素区域之间
所述子像素的主像素区域包括第一薄膜晶体管、主区存储电容以及主区液晶电容，所述子像素的副像素区域包括第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、副区存储电容以及副区液晶电容；
其中，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述无黑矩阵的数据线连接。


2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底基板；
第一金属层，位于所述衬底基板上，所述第一金属层包括所述扫描线、所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极以及所述第三薄膜晶体管的栅极；
第二金属层，位于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧，所述第二金属层包括所述数据线、所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极以及所述第三薄膜晶体管的源极和漏极；
透明电极层，位于所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧，所述透明电极层包括间隔设置的像素电极和所述无黑矩阵的数据线，所述像素电极包括对应所述子像素的主像素区域设置的主区像素电极和对应所述子像素的副像素区域设置的副区像素电极。


3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的绝缘层和有源层、位于所述第二金属层和所述透明电极层之间的钝化层；其中，所述钝化层上开设有通孔，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光，陈亚妮，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44