窗口和制造其的方法技术

本发明专利技术涉及窗口及其制造方法，窗口包括用于保护电子面板免受外部冲击的玻璃。根据本发明专利技术的窗口包括：包括前表面和后表面的基底基板；以及设置在基底基板的后表面上的边框层，其中基底基板的前表面具有0.2nm至3nm的范围内的粗糙度，并且基底基板的至少一部分可弯曲。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】窗口和制造其的方法
本专利技术涉及窗口和制造其的方法，更具体地，涉及包括玻璃的窗口和制造其的方法。
技术介绍
电子装置包括窗口、外壳单元和电子元件。电子元件可包括各种元件，比如响应电信号而被激活的显示元件、触摸元件或检测元件。窗口保护电子元件并为用户提供活动区域。因此，用户通过窗口向电子元件提供输入或者接收在电子元件中产生的信息。此外，电子元件可被窗口稳定地保护免受外部冲击。近来，为了响应电子装置变得更薄的趋势，窗口也被要求更轻和更薄，并且为了补偿导致的结构脆弱性，已经研究了多种用于强化窗口的方法。
技术实现思路
技术问题本专利技术的目的是提供化学强化的窗口和制造其的方法。技术方案根据本专利技术的实施方式的窗口包括：包括前表面和后表面的基底基板；和设置在基底基板的后表面上的边框层，其中前表面具有0.2nm至3nm的范围内的粗糙度。基底基板可包括玻璃。基底基板可包括氧化锂(Li2O)。基底基板可进一步包括氧化磷(P2O4)。可在从前表面到基底基板的厚度方向上的预定深度的范围内施加压应力。可限定预定的弯曲轴，弯曲轴在与基底基板的厚度方向交叉的方向上延伸，并且基底基板的至少一部分可关于弯曲轴弯曲。根据本专利技术的实施方式的制造窗口的方法包括：提供初始窗口的步骤，初始窗口包括玻璃且包括氧化锂；以及冲洗初始窗口的冲洗步骤，其中冲洗步骤包括：将初始窗口提供到酸性环境中的酸冲洗步骤；和将已经经过酸冲洗步骤的初始窗口提供到碱性环境中的碱冲洗步骤。酸性环境可具有2或更低的pH。酸性环境可包括酸性溶液，其包括硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)或盐酸(HCl)中的至少一种。酸冲洗步骤可在60℃至65℃的温度下进行约20分钟。碱性环境可具有13或更高的pH。碱性环境可包括碱性溶液，其包括氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)中的至少一种。已经经过酸冲洗步骤的窗口可包括：第一层，其包括碱金属和硅，硅相对于碱金属具有预定的含量比；以及第二层，其形成在第一层的表面上并且具有比第一层更高的硅含量比。第二层可形成在初始窗口的一部分处，碱金属在酸冲洗步骤期间从初始窗口的一部分洗脱出来。第二层的厚度可为200nm至500nm。碱冲洗步骤可通过从第一层移除第二层而形成窗口。窗口的表面粗糙度可小于或等于初始窗口的表面粗糙度。已经经过酸冲洗步骤的窗口的表面粗糙度可大于或等于初始窗口的表面粗糙度。提供初始窗口的步骤可包括以下步骤：提供玻璃基板；以及强化玻璃基板，其中强化的步骤包括离子交换处理，并且提供初始窗口的步骤是提供强化的玻璃基板。提供初始窗口的步骤可进一步包括以下步骤：提供母基板；通过切割母基板形成多个单元基板；以及对单元基板的侧表面进行倒角，其中玻璃基板是已经经过倒角的步骤的单元基板中的一个。根据本专利技术的实施方式的制造窗口的方法包括以下步骤：化学强化玻璃基板，从而形成第一初始基板；通过将第一初始基板提供到酸性溶液中，用酸性溶液冲洗第一初始基板，从而形成第二初始基板；以及通过将第二初始基板提供到碱性溶液中，用碱性溶液冲洗第二初始基板，从而形成窗口，其中窗口的粗糙度在0.2nm至3nm的范围内。玻璃基板可包括氧化锂。化学强化的步骤可不包括碳酸钾(K2CO3)、碳酸钠(Na2CO3)、碳酸氢钾(KHCO3)、碳酸氢钠(NaHCO3)、磷酸钾(K3PO4)、磷酸钠(Na3PO4)、硫酸钾(K2SO4)、硫酸钠(Na2SO4)和氢氧化钾(KOH)。第二初始基板可通过将碱金属从第一初始基板洗脱出来而形成。第二初始基板可包括第一层和第二层，第一层具有与第一初始基板相同的硅与碱金属的含量比，第二层形成在第一层的表面上并且具有比第一层更高的硅与碱金属的含量比。第二层可具有比第一层相对高的孔。窗口可通过从第二初始基板移除第二层而形成。有益效果根据本专利技术，可提供具有改善强度的窗口。此外，根据本专利技术，可提供制造窗口的方法，其通过简化的工艺提供强化的窗口。附图说明图1是根据本专利技术的实施方式的电子装置的透视图。图2a为图1中示出的电子装置的分解透视图。图2b为电子装置的一些组件的等效电路图。图3a为根据本专利技术的实施方式的窗口的截面视图。图3b为图3a中示出的窗口的一部分的显微图像。图4为示意性示出根据本专利技术的实施方式的制造窗口的方法的流程图。图5a至图5g为示意性示出根据本专利技术的实施方式的制造窗口的方法的截面视图。图6为示出在制造窗口的方法中的一些步骤期间中间层的厚度随时间变化的图。图7a为中间窗口的表面的显微图像。图7b为根据本专利技术的实施方式的窗口的表面的显微图像。图8是显示根据本专利技术的实施方式的窗口的强度的图。图9为示出根据本专利技术的实施方式的制造窗口的方法的流程图。图10a至图10c为示出根据本专利技术的实施方式的制造窗口的方法的透视图。图11a至图11c为示出根据本专利技术的实施方式的制造窗口的方法的透视图。图12为示出根据本专利技术的实施方式的窗口的透视图。图13a和图13b为示出根据本专利技术的实施方式的窗口的透视图。具体实施方式在说明书中，应当理解，当元件(或者区、层或部分等)被称为“在”另一个元件“上”，“连接到”或“耦合到”另一个元件时，它可直接设置在上述另一个元件上/连接/耦合到上述另一个元件，或者中间元件可设置在其间。相同的数字始终指相同的元件。此外，在附图中，为了有效描述
技术实现思路
，元件的厚度、比例和尺寸被夸大。术语“和/或”包括一个或多个可由相关元件限定的组合。虽然术语第一、第二等可在本文用于描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件。例如，第一元件可被称为第二元件，并且类似地，第二元件可被称为第一元件，而不脱离本专利技术的范围。单数形式包括复数形式，除非上下文另有明确说明。此外，比如“下方”、“下”、“上方”和“上”的术语可用于描述附图中示出的组件的关系。这些术语具有相对的概念，并且基于附图中指示的方向进行描述。除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。此外，比如那些在常用词典中定义的术语应该被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非本文明确定义，否则不会以理想化或过度正式的意义来解释。应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”或“包含”指定陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或添加。下文，将参照所附附图描述本专利技术的实施方式。图1是根据本专利技术的实施方式的电子装置的透视图。图2a为图1中示出的电子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种窗口，包括：/n包括前表面和后表面的基底基板；和/n设置在所述基底基板的所述后表面上的边框层，/n其中所述前表面具有0.2nm至3nm的范围内的粗糙度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190110 KR 10-2019-00034221.一种窗口，包括：
包括前表面和后表面的基底基板；和
设置在所述基底基板的所述后表面上的边框层，
其中所述前表面具有0.2nm至3nm的范围内的粗糙度。


2.如权利要求1所述的窗口，其中所述基底基板包括玻璃。


3.如权利要求1所述的窗口，其中所述基底基板包括氧化锂(Li2O)。


4.如权利要求3所述的窗口，其中所述基底基板进一步包括氧化磷(P2O4)。


5.如权利要求2所述的窗口，其中在从所述前表面到所述基底基板的厚度方向上的预定深度的范围内施加压应力。


6.如权利要求1所述的窗口，其中限定了预定的弯曲轴，所述弯曲轴在与所述基底基板的厚度方向交叉的方向上延伸，并且
所述基底基板的至少一部分关于所述弯曲轴弯曲。


7.一种制造窗口的方法，包括：
提供初始窗口的步骤，所述初始窗口包括玻璃且包括氧化锂；和
冲洗所述初始窗口的冲洗步骤，
其中所述冲洗步骤包括：
将所述初始窗口提供到酸性环境中的酸冲洗步骤；和
将已经经过所述酸冲洗步骤的所述初始窗口提供到碱性环境中的碱冲洗步骤。


8.如权利要求7所述的方法，其中所述酸性环境具有2或更低的pH。


9.如权利要求8所述的方法，其中所述酸性环境包括酸性溶液，所述酸性溶液包括硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)或盐酸(HCl)中的至少一种。


10.如权利要求9所述的方法，其中所述酸冲洗步骤在60℃至65℃的温度下进行约5分钟至10分钟。


11.如权利要求7所述的方法，其中所述碱性环境具有13或更高的pH。


12.如权利要求11所述的方法，其中所述碱性环境包括碱性溶液，所述碱性溶液包括氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)中的至少一种。


13.如权利要求7所述的方法，其中已经经过所述酸冲洗步骤的所述窗口包括：
第一层，包括碱金属和硅，所述硅相对于所述碱金属具有预定的含量比；和
第二层，形成在所述第一层的表面上并且具有比所述第一层更高的硅含量比。


14.如权利要求13所述的方法，其中所述第二层形成在所述初始窗口的一部分处，所述碱金属在所述酸冲洗步骤期间从所述初始窗口的一部分洗脱出来。


15.如权利要求14所述的方法，其中所述第二层的厚度为2...

【专利技术属性】
技术研发人员：李会官，金敏基，金柄范，金胜镐，金柔利，廉宗勋，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR