用于估计衬底中的应力的方法、衬底和系统技术方案

本发明专利技术提供了一种用于估计生产衬底中由于衬底支撑件引起的应力的测试衬底(W)，所述测试衬底具有被分为预定义部分的支撑表面(SS)，其中所述预定义部分包括：至少一个第一部分(1)，具有在所述至少一个第一部分上基本均匀的第一摩擦系数；以及至少一个第二部分(2)，具有在所述至少一个第二部分上基本均匀的第二摩擦系数，其中所述第二摩擦系数不同于所述第一摩擦系数。本发明专利技术还提供了一种用于估计衬底中由于衬底支撑件引起的应力的方法以及用于进行这种估计的系统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于估计衬底中的应力的方法、衬底和系统相关申请的交叉引用本申请要求于2019年1月18日提交的EP申请19152455.2的优先权，其通过引用全部并入本文。
本专利技术涉及一种用于估计衬底中由于衬底支撑件引起的应力的方法、用于进行这种估计的系统、衬底和形成所述衬底的方法。
技术介绍
光刻设备是将期望图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案形成装置(备选地被称为掩模或掩模版)可以被用于生成要在IC的单个层上形成的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括部分管芯、一个或多个管芯)上。图案的转印通常经由成像到在衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。常规的光刻设备包括所谓的步进器(其中每个目标部分通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射)以及所谓的扫描仪(其中每个目标部分通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案来辐射)，同时同步扫描平行或反平行于该方向的衬底。也可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转印到衬底。一直期望制造具有更小的特征的装置，例如集成电路。集成电路和其他微型装置通常使用光学光刻制造，但其他制造技术(诸如压印光刻、电子束光刻和纳米级自组装)是已知的。在制造期间，装置被辐照。确保辐照过程尽可能准确很重要。使辐照过程尽可能准确的问题之一是确保要被照射的装置处于正确的位置。为了控制装置的位置，衬底支撑件可以被使用。通常，在衬底被辐照时，衬底将被衬底支撑件支撑。当衬底位于衬底支撑件上时，衬底与衬底支撑件之间的摩擦可以防止衬底在衬底支撑件的表面上平坦化。衬底可以被认为是能够“起皱”的“薄饼”，即，具有面内变形，导致投影到衬底上的图像显着失真。更详细地，在衬底的装载和卸载期间，可能存在与在衬底中形成的应力相关的问题。具体地，当衬底被装载到衬底台上时，衬底和衬底台之间的接触点通常会随着衬底被定位在台上而改变。换言之，在衬底和支撑衬底的衬底台之间趋向于滚动接触。衬底和衬底台之间的接触点的变化意味着在装载过程期间，即，当衬底被定位在衬底台上时，衬底上通常存在应力。由于衬底被装载到衬底上的方式，这在衬底内形成面内变形。当在集成电路制造中对准多个光刻层时，这会影响整体性能。为了解决这个问题，衬底支撑件可以被配置为减少衬底和衬底支撑件之间的摩擦，以允许衬底移动到衬底支撑件上的更平坦的位置。然而，当被定位在衬底支撑件上时，尝试确定衬底支撑件对衬底形状的影响也是有益的，使得衬底中的任何面内变形可以被考虑。通常，面内变形量将取决于用于保持衬底的衬底支撑件而改变。具体地，衬底和衬底台之间的摩擦量将是确定衬底变形量的重要因素。例如，当摩擦力小时，衬底可能会滑过与衬底台的接触，并且变形可以被减少。因此，对于面内变形和应力，保持尽可能低的摩擦是有益的。面内变形是一个问题，因为它导致衬底上使用以确定衬底位置的标记位置的变化。这可能会导致误差，诸如重叠误差，这可能会影响形成准确衬底的效率。因此，估计衬底中由于衬底支撑件引起的应力是有利的，使得衬底支撑件对衬底的影响可以被考虑。存在已知的测量方法，其比较将衬底装载到衬底台上的不同模式，以估计作用于衬底的摩擦力/由于特定衬底台/支撑件的装载过程而导致的衬底支撑件引起的衬底中的应力。然而，存在已知的测量实践可能无法提供足够准确的测量和/或花费太长时间的问题，这降低了设备对用户的可用性。已知的测量方法通常需要一定的时段来执行。执行这种测量所花费的时间是光刻设备不被用于曝光衬底以供使用的时间。因此，测量衬底的面内变形的过程可以减少用于曝光衬底的可用时间，并因此可以降低光刻设备的效率。基于此，提供一种更简化的方式来估计由于衬底支撑件引起的衬底中的应力是有利的，这减少了由用户测试衬底台执行所需的时间量。
技术实现思路
期望提供一种途径，其改进测量被执行的方式，以估计衬底支撑件在衬底被放置于这种支撑件上时对衬底的影响。在本专利技术中，提供了一种用于估计衬底中由于衬底支撑件引起的应力的方法，该方法包括：将衬底放置在衬底支撑件上，该衬底具有被放置在衬底支撑件上的支撑表面，其中衬底的支撑表面被分为预定义部分，其中预定义部分包括至少一个第一部分和至少一个第二部分，该至少一个第一部分具有在至少一个第一部分上基本均匀的第一摩擦系数，并且至少一个第二部分具有在至少一个第二部分上基本均匀的第二摩擦系数，其中第二摩擦系数不同于第一摩擦系数，其中衬底包括与支撑表面相反的另一表面，该另一表面包括与至少一个第一部分相对定位的第一特征和与至少一个第二部分相对定位的第二特征；测量第一特征和第二特征的位置；使用第一特征和第二特征的测量位置，估计衬底中由于衬底支撑件引起的应力。根据本专利技术，还提供了一种用于在光刻设备中使用的衬底，该衬底具有用于与衬底支撑件相互作用的支撑表面，其中衬底的支撑表面被分为预定义部分，其中预定义部分包括至少一个第一部分和至少一个第二部分，该至少一个第一部分具有在至少一个第一部分上基本均匀的第一摩擦系数，并且至少一个第二部分具有在至少一个第二部分上基本均匀的第二摩擦系数，其中第二摩擦系数不同于第一摩擦系数。根据本专利技术，还提供了一种形成衬底的方法，其中该方法包括：提供衬底，以用于在光刻设备中使用，该衬底具有支撑表面和与支撑表面相反的另一表面；以及处理支撑表面，以生成至少一个第一部分和/或至少一个第二部分，至少一个第一部分具有在至少一个第一部分上基本均匀的第一摩擦系数，至少一个第二部分具有在至少一个第二部分上基本均匀的第二摩擦系数。本专利技术的其他实施例、特征和优点以及本专利技术的各种实施例的结构和操作在下面参照附图详细描述。附图说明被并入到本文中并且形成说明书的一部分的附图图示了本专利技术的一个或多个实施例，并且连同本描述进一步用于解释本专利技术的原理，并使相关领域的技术人员能够进行和使用本专利技术。图1示意性地描绘了光刻设备。图2示意性地描绘了实施例的衬底。图3示意性地描绘了与现有技术示例相比衬底的变化。图4和5描绘了根据实施例的方法。本专利技术的一个或多个实施例现在将参照附图描述。附图提供了本专利技术的一些实施例中所包括的某些特征的指示。然而，附图不是按比例绘制的。某些特征的尺寸和尺寸范围的示例是在下面的描述中描述的。具体实施方式本说明书公开了并入本专利技术的特征的一个或多个实施例。所公开的(多个)实施例仅例示了本专利技术。本专利技术的范围不被限于所公开的(多个)实施例。本专利技术由所附权利要求限定。所描述的(多个)实施例以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的引用指示所描述的(多个)实施例可以包括特定特征、结构或特点，但是每个实施例可能不一定包括该特定特征、结构或特点。而且，这种短语不一定指的是相同实施例。进一步地，当特定特征、结构或特点结合实施例描述时，要理解的是，无论是否被明确本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于估计衬底中由于衬底支撑件引起的应力的方法，所述方法包括：/n将衬底放置在衬底支撑件上，所述衬底具有被放置在所述衬底支撑件上的支撑表面，其中所述衬底的所述支撑表面被分为预定义部分，其中所述预定义部分包括至少一个第一部分和至少一个第二部分，所述至少一个第一部分具有在所述至少一个第一部分上基本均匀的第一摩擦系数，并且所述至少一个第二部分具有在所述至少一个第二部分上基本均匀的第二摩擦系数，其中所述第二摩擦系数不同于所述第一摩擦系数，其中所述衬底包括与所述支撑表面相反的另一表面，所述另一表面包括：与所述至少一个第一部分相反定位的第一特征以及与所述至少一个第二部分相反定位的第二特征；/n测量所述第一特征和所述第二特征的所述位置；/n使用所述第一特征和所述第二特征的所测量的位置，估计所述衬底中由于所述衬底支撑件引起的所述应力。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190118 EP 19152455.21.一种用于估计衬底中由于衬底支撑件引起的应力的方法，所述方法包括：
将衬底放置在衬底支撑件上，所述衬底具有被放置在所述衬底支撑件上的支撑表面，其中所述衬底的所述支撑表面被分为预定义部分，其中所述预定义部分包括至少一个第一部分和至少一个第二部分，所述至少一个第一部分具有在所述至少一个第一部分上基本均匀的第一摩擦系数，并且所述至少一个第二部分具有在所述至少一个第二部分上基本均匀的第二摩擦系数，其中所述第二摩擦系数不同于所述第一摩擦系数，其中所述衬底包括与所述支撑表面相反的另一表面，所述另一表面包括：与所述至少一个第一部分相反定位的第一特征以及与所述至少一个第二部分相反定位的第二特征；
测量所述第一特征和所述第二特征的所述位置；
使用所述第一特征和所述第二特征的所测量的位置，估计所述衬底中由于所述衬底支撑件引起的所述应力。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法还包括：获得指示所述第一特征的预期位置和所述第二特征的预期位置的数据，并且其中估计所述衬底中的所述应力使用所述第一特征和所述第二特征的所测量的位置以及指示所述第一特征和所述第二特征的所述预期位置的所述数据。


3.根据权利要求2所述的方法，其中估计衬底中的所述应力包括：确定所述第一特征的所测量的位置相对于所述第一特征的所述预期位置之间的差异，并确定所述第二特征的所测量的位置相对于所述第二特征的所述预期位置之间的差异，并且针对所述第一特征和所述第二特征比较所述差异。


4.根据权利要求2或3中任一项所述的方法，其中获得指示所述第一特征和所述第二特征的所述预期位置的所述数据包括：将所述衬底放置在不同的衬底支撑件上，并且测量所述第一特征和所述第二特征的所述位置。


5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
将所述衬底的所述另一表面暴露于辐射，以在所述另一表面上形成与所述第一特征相对应的第一参考特征，并且在所述另一表面上形成与所述第二特征相对应的第二参考特征，其中测量所述第一特征的所述位置包括测量所述第一特征相对于所述第一参考特征的所述位置，并且测量所述第二特征的所述位置包括测量所述第二特征相对于所述第二参考特征的所述位置；
确定所述第一特征和所述第一参考特征的所述位置之间以及所述第二特征和所述第二参考特征之间的所述差异；以及
基于所确定的差异，估计所述衬底中的所述应力。


6.根据权利要求5所述的方法，还包括：使用不同的衬底支撑件，将所述衬底的所述另一表面暴露于辐射，以形成所述第一特征和所述第二特征。


7.一种系统，被配置为执行权利要求1至6中任一项的所述方法，其中所述系统包括处理器，所述处理器被...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·波耶兹，M·B·I·哈贝茨，A·A·索图特，H·马夸特，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL