存储器装置和调整用于存储器装置的参数的方法制造方法及图纸

本公开提供一种存储器装置，包含：连接接口；存储器阵列，与参数相关联；以及存储器控制电路，配置成至少：通过连接接口接收操作以对存储器阵列进行操作，操作中的每一个是读取操作或写入操作；基于对存储器阵列进行操作来检测读取错误，读取错误是二进制0读取错误或二进制1读取错误；通过响应于读取错误是二进制1读取错误而递增错误计数器的计数器值且响应于读取错误是二进制0读取错误而递减计数器值来更新错误计数器；以及响应于计数器值已达到正预定阈值或负预定阈值而调整参数。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置和调整用于存储器装置的参数的方法
本公开涉及一种具有参数调整机构的存储器装置和通过存储器装置来调整参数的方法。
技术介绍
在常规上，例如快闪存储器、电阻式随机存取存储器(resistiverandom-accessmemory；RRAM)或其它类型的新兴存储器的非易失性存储器装置制成为放置在芯片上的集成电路，所述芯片将归因于磨损和撕裂、正常操作、数据保持、加热、循环以及类似物而劣化。可能需要实时调整存储器装置的各种参数以便保持或提高其总体质量和性能。参数可包含读取参考电压、读取参考电流、读取验证参考、写入电压以及类似物。因此，只要可改进用于调整这些参数的方案，就也可实现良率提高和更大的产品可靠性。
技术实现思路
因此，本公开涉及一种具有参数调整机构的存储器装置和通过存储器装置来调整参数的方法。本公开涉及存储器装置，所述存储器装置包含(不限于)：连接接口；存储器阵列，包含与参数相关联的多个存储单元；以及存储器控制电路，耦合到错误计数器、连接接口以及存储器阵列，且存储器控制电路配置成至少：通过连接接口接收操作以对存储器阵列进行操作，操作中的每一个是读取操作或写入操作；基于对存储器阵列进行操作来检测读取错误，读取错误是二进制0读取错误或二进制1读取错误；通过响应于读取错误是二进制1读取错误而递增错误计数器的计数器值且响应于读取错误是二进制0读取错误而递减计数器值来更新错误计数器；以及响应于计数器值已达到正预定阈值或负预定阈值而调整参数。本公开涉及一种调整用于存储器装置的参数的方法。所述方法包含(不限于)：通过连接接口接收操作以对存储器阵列进行操作，操作中的每一个是读取操作或写入操作；基于对存储器阵列进行操作来检测读取错误，读取错误是二进制0读取错误或二进制1读取错误；通过响应于读取错误是二进制1读取错误而递增错误计数器的计数器值且响应于读取错误是二进制0读取错误而递减计数器值来更新存储器阵列的错误计数器；以及响应于计数器值已达到正预定阈值或负预定阈值而调整参数。为了使得本公开的前述特征和优点便于理解，下文详述带有附图的示范性实施例。应理解，前文总体描述和以下详细描述都是示范性的，且希望提供对如所要求的本公开的进一步阐释。然而，应理解，这一概述可能不含有本公开的所有方面和实施例，且因此并不意欲以任何方式为限制性或限定性的。此外，本公开将包含对本领域的技术人员显而易见的改进和修改。附图说明图1示出根据本公开的示范性实施例的感测放大器电压参考和电流参考；图2示出根据本公开的示范性实施例的存储器装置的硬件方块图；图3示出根据本公开的示范性实施例的通过存储器阵列和存储器控制电路来进行的功能的方块图；图4示出根据本公开的示范性实施例的错误计数器的电路图；图5示出根据本公开的示范性实施例的调整感测参考的概念；图6示出根据本公开的示范性实施例的调整存储器装置的参数的方法；图7示出根据本公开的示范性实施例的调整感测参考的方法；图8示出根据本公开的示范性实施例的调整感测参考的方法；图9示出根据本公开的示范性实施例的调整写入电压的方法。附图标记说明100、311：感测放大器101：单元200：存储器装置210：连接接口220：存储器控制电路230：存储器阵列231：错误计数器240：熔丝烧断控制器312：感测放大器输出313：错误校正码电路314：经解码感测放大器输出315：错误位置位316：并串转换器317：第一错误318：第二错误400：向上/向下错误计数器401：输入端501：第一波形502：第二波形503：第一感测参考电平504：第二感测参考电平Iref：参考电流Q0～Q3：输出S601～S604、S701～S710、S801～S808、S901～S911：步骤Vref：参考电压具体实施方式现将详细参考本公开的当前示范性实施例，附图中示出所述示范性实施例的实例。只要可能，相同附图标号在附图和描述中用以指代相同或相似部件。在本公开中，在存储器地址中进行读取操作以确定二进制0读取错误的总数量与二进制1读取错误的总数量之间的差。可在一或多个操作期间使用硬件错误计数器或软件/固件错误计数器来记录这种差以便实时读取一或多个所选存储块。如果计数值高于正预定阈值，那么可在出厂设定中调整或在用户设定中自动调整存储器装置的一或多个参数以提高二进制1读取的准确性。相反，如果计数值小于负预定阈值，那么也可调整一或多个参数以提高二进制0读取的准确性。二进制0读取错误是指某1位输出应读取为二进制1，但结果该1位输出的值在读取时却为二进制0。相反，二进制1读取错误是指某1位输出应读取为二进制0，但结果该1位输出的值在读取时却为二进制1。参考图1的感测放大器电路作为实例。感测放大器100可连接到多个存储单元，其中每一存储单元能够存储二进制值。对于图1的放大器电路的感测，单元101可输出将要与参考电压Vref或参考电流Iref比较的电压或电流。放大器电路100可接着放大单元101的电压输出或电流输出与参考电压Vref或参考电流Iref之间的差以确定单元的数据是二进制0还是二进制1。接下来，检测二进制0读取错误或二进制1读取错误，且对二进制1读取错误量和二进制0读取错误量进行计数。一旦二进制1读取错误量与二进制0读取错误量之间的差已达到预定阈值，就可手动或自动地调整参考电压Vref或参考电流Iref。可基于应用自动错误检测技术以及熔丝技术来完成自动调整以调整参考电压Vref或参考电流Iref。存储器装置可以是例如电阻式随机存取存储器(RRAM)，对于所述电阻式随机存取存储器，大多数读取错误很可能是二进制1读取错误。因此，如果计数器值已达到正预定数，那么可调整写入电压或写入时序以便提高所述电阻式随机存取存储器的循环耐久性。另一实例中，可在一或多个所选存储块的写入操作期间使用一或多个错误计数器来实时记录二进制1读取错误量和/或二进制0读取错误量。如果已确定计数器值高于正预定数，则可手动或自动地调整写入电压和/或时序以提高写入操作的准确性。图2示出存储器装置200的硬件方块图。存储器装置200可包含电连接到连接接口210、存储器阵列230、错误计数器231以及熔丝烧断控制器240的存储器控制电路220。连接接口210配置接收命令和/或数据或将所述命令和/或数据发射到外部装置。存储器阵列230含有多个存储体(memorybank)，因为存储体中的每一个可含有用于存储二进制信息的多个存储单元。可在写入操作期间使用错误计数器231来记录二进制1读取错误量与二进制0读取错误量之间的差。在一实施例中，错误计数器231仅可在写入操作或读取操作期间记录二进制0读取错误量或二进制1读取本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置，包括：/n连接接口；/n存储器阵列，包括错误计数器和多个存储单元，所述存储器阵列与参数相关联；以及/n存储器控制电路，耦合到所述错误计数器、所述连接接口以及所述存储器阵列，且所述存储器控制电路配置成至少：/n通过所述连接接口接收操作以对所述存储器阵列进行所述操作，所述操作中的每一个是读取操作或写入操作；/n基于对所述存储器阵列进行所述操作来检测读取错误，所述读取错误是二进制0读取错误或二进制1读取错误；/n通过响应于所述读取错误是所述二进制1读取错误而递增所述错误计数器的计数器值且响应于所述读取错误是所述二进制0读取错误而递减所述计数器值来更新所述错误计数器；以及/n响应于所述计数器值已达到正预定阈值或负预定阈值而调整所述参数。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：
连接接口；
存储器阵列，包括错误计数器和多个存储单元，所述存储器阵列与参数相关联；以及
存储器控制电路，耦合到所述错误计数器、所述连接接口以及所述存储器阵列，且所述存储器控制电路配置成至少：
通过所述连接接口接收操作以对所述存储器阵列进行所述操作，所述操作中的每一个是读取操作或写入操作；
基于对所述存储器阵列进行所述操作来检测读取错误，所述读取错误是二进制0读取错误或二进制1读取错误；
通过响应于所述读取错误是所述二进制1读取错误而递增所述错误计数器的计数器值且响应于所述读取错误是所述二进制0读取错误而递减所述计数器值来更新所述错误计数器；以及
响应于所述计数器值已达到正预定阈值或负预定阈值而调整所述参数。


2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述计数器值记录来自对所述存储器阵列进行所述操作的二进制1读取错误量与二进制0读取错误量之间的差。


3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述存储器控制电路配置成对所述存储器阵列进行所述操作包括：
通过应用裕度来对所述存储器阵列进行包含所述读取操作的所述操作。


4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述存储器控制电路配置成调整所述参数包括：
调整与所述多个存储单元相关联的感测参考，所述感测参考是感测放大器的参考电压或参考电流。


5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述存储器控制电路配置成响应于所述计数器值已达到所述正预定阈值或所述负预定阈值而调整所述参数包括：
响应于所述计数器值已达到预定阈值的绝对值而调整所述感测参考。


6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述存储器控制电路配置成调整与所述多个存储单元相关联的所述感测参考包括：
将所述计数器值重置到零；
对所述多个存储单元进行读取操作；
累积所述二进制1读取错误量和所述二进制0读取错误量；以及
基于所述二进制1读取错误量和所述二进制0读取错误量中较高的读取错误量来调整所述感测参考以便递减所述二进制1读取错误量或所述二进制0读取错误量。


7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述存储器控制电路进一步配置成反复调整所述感测参考直到所述计数器值低于所述正预定阈值或高于所述负预定阈值为止。


8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述存储器控制电路配置成更新所述错误计数器包括：
通过在所述存储器控制电路配置成调整所述参考电压或所述参考电流之前应用预定数据模式和与所述预定数据模式相反的二进制来更新所述错误计数器。


9.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述存储器控制电路进一步配置成在所述感测参考根据不同温度来变化时在不同温度下调整所述感...

【专利技术属性】
技术研发人员：连存德，林纪舜，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71