显示面板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:29756141 阅读:17 留言:0更新日期:2021-08-20 21:09
本发明专利技术提供一种显示面板及显示装置。本发明专利技术通过在显示区和栅极驱动单元之间对应扫描线位置增加静电释放器件,其中所述静电释放器件的第一极板由所述扫描线的一部分构成,第二极板由所述有源层于所述第一极板下方图形化形成,第三极板由位于所述第二极板下方图形化的遮光层形成,利用静电释放器件存储静电电荷,诱导在栅极驱动单元附近处静电释放,防止在开关晶体管的栅极层和有源层之间出现静电释放产生金属颗粒,导致栅极层和有源层短路,保护显示区内的晶体管器件,提升制作良率。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
,特别是涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
在显示面板制造行业中,像素亮点一直是影响良率的常见不良。此不良成因多种多样,最常见的是由于在制程中或机台的静电释放(ESD)造成线路短路搭接异常所致像素被点亮。尽管在显示面板内部有设计不同防静电释放器件,但静电释放器件只能是在该器件的结构形成后才会起作用,具体是在源漏极层制程完成后才能形成完整的静电释放器件,因此如何防止在源漏极层制程之前的静电击伤是目前显示面板的难题。由于栅极层和有源层之间出现静电释放产生金属颗粒,导致栅极层和有源层之间产生细微的短路路径。电信号通过栅极层传输至有源层,再到源极,源极连接至像素电极导致对应的像素开启而发光,出现亮点异常,特别是在低显示帧频率使用环境下,因为充电时间较长,亮点越明显。尤其是绿色子像素的亮点最为明显,导致产品判定为次品,只能降等级贱卖,很大程度上影响良率,进而影响企业利润。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于,提供一种显示面板及显示装置,用以解决现有静电释放器件无法防止栅极层和有源层之间静电击伤的技术问题。为实现上述目的,本专利技术提供一种显示面板,所述显示面板包括阵列基板,所述阵列基板包括衬底基板、有源层、栅极绝缘层以及栅极层;所述有源层设于所述衬底基板上;所述栅极绝缘层覆盖所述有源层;所述栅极层设于所述栅极绝缘层上,其中,所述显示面板定义有显示区和环绕所述显示区设置的非显示区,所述阵列基板还包括多个像素、多个栅极驱动单元、多条扫描线以及多个静电释放器件;所述多个像素设置于所述显示区;所述多个栅极驱动单元设置所述非显示区;所述多条扫描线电连接于所述栅极驱动单元并延伸至所述显示区的所述多个像素;所述多个静电释放器件设于所述显示区和所述栅极驱动单元之间对应所述扫描线位置,所述静电释放器件包括相对设置的第一极板和第二极板,其中,所述扫描线的一部分构成所述第一极板,所述有源层于所述第一极板下方图形化形成所述第二极板。于本申请一实施例中所述的显示面板,其中,每个所述像素包括开关晶体管,每个所述开关晶体管包括依次层迭的有源层图案、所述栅极绝缘层以及栅极图案,所述有源层图案为所述有源层于所述栅极图案下方图形化形成且与所述第二极板彼此电绝缘。于本申请一实施例中所述的显示面板,其中,所述静电释放器件还包括第三极板,所述第三极板相对所述第二极板设置,所述阵列基板还包括遮光层以及缓冲层;所述遮光层设于所述衬底基板上;所述缓冲层设于所述衬底基板上且完全覆盖所述遮光层,其中,所述有源层设于所述缓冲层上,所述遮光层于所述第二极板下方图形化形成所述第三极板。于本申请一实施例中所述的显示面板,其中,每个所述开关晶体管还包括遮光层图案设置于所述缓冲层与所述衬底基板之间,所述遮光层图案为所述遮光层于所述有源层图案下方图形化形成且与所述第三极板彼此电绝缘。于本申请一实施例中所述的显示面板,其中,所述栅极绝缘层或所述缓冲层的材质包括SiNx或SiOx中的一种或其组合。于本申请一实施例中所述的显示面板,其中,所述栅极层图形化形成所述扫描线,所述扫描线的一部分构成所述栅极图案。于本申请一实施例中所述的显示面板,其中,形成所述第二极板的所述有源层经导体化处理。于本申请一实施例中所述的显示面板,其中,每一条所述扫描线贯穿所述显示区,每一条所述扫描线的两端分别电连接一个所述栅极驱动单元,且每一条所述扫描线的所述两端的所述栅极驱动单元和所述显示区之间分别对应设置一个所述静电释放器件。于本申请一实施例中所述的显示面板,其中,所述显示面板还包括彩膜基板与液晶层,所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置,所述液晶层设置于所述彩膜基板与所述阵列基板之间。为实现上述目的,本专利技术还提供一种显示装置,包括前文所述的显示面板。本专利技术的技术效果在于,提供一种显示面板及显示装置,通过在显示区和栅极驱动区之间对应扫描线位置增加静电释放器件,其中所述静电释放器件的第一极板由所述扫描线的一部分构成,第二极板由所述有源层于所述第一极板下方图形化形成,第三极板由位于所述第二极板下方图形化的遮光层形成,利用静电释放器件存储静电电荷,诱导在栅极驱动区附近处静电释放,防止在开关晶体管的栅极层和有源层之间出现静电释放产生金属颗粒,导致栅极层和有源层短路,保护显示区内的晶体管器件,提升制作良率。附图说明下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,以使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本专利技术实施例中的一种显示装置的平面结构示意图;图2为本专利技术实施例中的一种显示面板的截面结构示意图;图3为本专利技术实施例中的阵列基板的部分截面结构示意图;图4为本专利技术实施例中的阵列基板的部分平面结构示意图;图5为本专利技术实施例中的阵列基板的部分平面结构示意图;图6为本专利技术实施例中的一种显示面板的截面结构示意图。附图中部分标识如下:衬底基板1,遮光层2,缓冲层3,有源层4,栅极绝缘层5,栅极层6,层间绝缘层7,源漏极层8,平坦层9,钝化层11,像素电极层12,发光功能层13,公共电极层14,开关晶体管21、21’,栅极图案211、211’,源极图案212,漏极图案213,有源层图案214、214’,遮光层图案215,像素22,像素电极221,栅极驱动单元23,扫描线24,静电释放器件25,数据线26,数据驱动单元27,第一极板31,第二极板32,第三极板33,显示装置100,显示面板110、110’,显示区101,非显示区102,阵列基板120、120’,彩膜基板130,液晶层140,像素定义层150,控制电路160。具体实施方式以下参考说明书附图介绍本专利技术的优选实施例,用以举例证明本专利技术可以实施,这些实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本专利技术的
技术实现思路
,使得本专利技术的
技术实现思路
更加清楚和便于理解。然而本专利技术可以通过许多不同形式的实施例来得以体现,本专利技术的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。在本专利技术中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电性连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本专利技术的描述中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。在附图中,为了清楚,层和区域的厚度被夸大。例如,为了便于描述,附图中本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括阵列基板,所述阵列基板包括:/n衬底基板;/n有源层,设于所述衬底基板上;/n栅极绝缘层,覆盖所述有源层;以及/n栅极层,设于所述栅极绝缘层上,其中,所述显示面板定义有显示区和环绕所述显示区设置的非显示区,所述阵列基板还包括:/n多个像素,设置于所述显示区;/n多个栅极驱动单元,设置所述非显示区;/n多条扫描线,电连接于所述栅极驱动单元并延伸至所述显示区的所述多个像素;以及/n多个静电释放器件,设于所述显示区和所述栅极驱动单元之间对应所述扫描线位置,所述静电释放器件包括相对设置的第一极板和第二极板,其中,所述扫描线的一部分构成所述第一极板,所述有源层于所述第一极板下方图形化形成所述第二极板。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括阵列基板,所述阵列基板包括:
衬底基板;
有源层,设于所述衬底基板上;
栅极绝缘层,覆盖所述有源层;以及
栅极层,设于所述栅极绝缘层上,其中,所述显示面板定义有显示区和环绕所述显示区设置的非显示区,所述阵列基板还包括:
多个像素,设置于所述显示区;
多个栅极驱动单元,设置所述非显示区;
多条扫描线,电连接于所述栅极驱动单元并延伸至所述显示区的所述多个像素;以及
多个静电释放器件,设于所述显示区和所述栅极驱动单元之间对应所述扫描线位置,所述静电释放器件包括相对设置的第一极板和第二极板,其中,所述扫描线的一部分构成所述第一极板,所述有源层于所述第一极板下方图形化形成所述第二极板。


2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,每个所述像素包括开关晶体管,每个所述开关晶体管包括依次层迭的有源层图案、所述栅极绝缘层以及栅极图案,所述有源层图案为所述有源层于所述栅极图案下方图形化形成且与所述第二极板彼此电绝缘。


3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述静电释放器件还包括第三极板,所述第三极板相对所述第二极板设置,所述阵列基板还包括:
遮光层,设于所述衬底基板上;以及
缓冲层,设于所述衬底基板上且完全覆盖所述遮光层,其中,所述有源层设于所述缓...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄建龙
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北;42

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