铜钼蚀刻剂组合物，铜钼膜层的蚀刻方法与显示面板技术

本发明专利技术提供了一种铜钼蚀刻剂组合物，铜钼膜层的蚀刻方法与显示面板，所述铜钼蚀刻剂组合物包括：过氧化氢、水以及蚀刻辅助剂，其中，所述蚀刻辅助剂在所述铜钼蚀刻剂组合物中的质量百分含量为4wt％‑20wt％，所述蚀刻辅助剂包括过氧化氢稳定剂、蚀刻抑制剂、蚀刻添加剂以及pH调节剂。在该铜钼蚀刻剂中，除必须的蚀刻成分过氧化氢以及水以外，其他所添加的蚀刻辅助剂的含量少，大大降低了生产制造的成本，同时该铜钼蚀刻剂仍具备良好的蚀刻性能，可有效避免钼残不良的发生，且具有较长的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
铜钼蚀刻剂组合物，铜钼膜层的蚀刻方法与显示面板
本申请涉及显示
，具体涉及一种铜钼蚀刻剂组合物，铜钼膜层的蚀刻方法与显示面板。
技术介绍
在高世代的液晶显示器的生产工艺中，为了降低阻抗，提高电性，通常会用铜/钼膜层布线代替铝膜层布线。铜金属活泼性(还原性)远低于铝，因此对铜的蚀刻比铝困难得多。相对于铝蚀刻剂为氧化剂与酸(硝酸+乙酸+磷酸)的简单组合相比，铜钼蚀刻剂组成要为复杂，铜钼蚀刻剂的各组分处于合适的比例，材料及蚀刻特性才能满足规格。正因组成复杂，铜钼蚀刻剂在开发过程中始终会遇上各种问题，如钼残留，低切，掏空等形貌缺陷及寿命低等问题。目前，为了增加开态电流和降低关态电流，薄膜晶体管的源漏金属层中的源极和漏电极间的沟道在允许范围内越窄越好，即铜/钼膜层线宽要尽量长。在此条件下，铜蚀刻剂对铜/钼膜层的蚀刻时间就要减小，所以容易造成钼的残留。钼残的存在，容易造成电极间短路或异常放电等问题，因此对铜钼蚀刻剂的蚀刻性能提出了更高的要求，此处，所述的钼残不良现象请参阅图1，相较图2所示的蚀刻后无钼残现象的表面形貌，可观察到在无铜钼膜层的区域，表面存在整面的麻点状异物，即为底层的钼膜层未被蚀刻完全而导致的残留。此外，在湿蚀刻工艺过程中需要消耗大量的蚀刻剂，蚀刻剂达到寿命终点蚀刻特性发生较大变化即要转为废液，所以无论是从成本效益或是环保方面考虑，提高铜钼蚀刻剂的寿命都尤为重要，而目前业界为了提高铜蚀刻剂寿命，通常会添加大量功能性添加剂，这无疑会增加蚀刻剂原料成本。据调研发现，目前市场上能兼顾优良钼残状况，低添加剂含量及高寿命的铜蚀刻剂少之又少，因此开发改善钼残，低添加剂及高寿命的铜蚀刻剂意义重大。
技术实现思路
本专利技术提供一种铜钼蚀刻剂组合物，铜钼膜层的蚀刻方法与显示面板，所述铜钼蚀刻剂组合物中蚀刻辅助剂的含量低，且可解决蚀刻过程中易出现钼残的问题，具有较高的寿命。为解决上述问题，第一方面，本专利技术提供一种铜钼蚀刻剂组合物，所述铜钼蚀刻剂组合物包括：过氧化氢、水以及蚀刻辅助剂，其中，所述蚀刻辅助剂在所述铜钼蚀刻剂组合物中的质量百分含量为4wt％-20wt％，所述蚀刻辅助剂包括过氧化氢稳定剂、蚀刻抑制剂、蚀刻添加剂以及pH调节剂。在本专利技术实施例提供的一铜钼蚀刻剂组合物中，所述过氧化氢的质量百分含量为10wt％-20wt％，所述过氧化氢稳定剂的质量百分含量为0.1wt％-2wt％，所述蚀刻抑制剂的质量百分含量为0.1wt％-1wt％，所述蚀刻添加剂的质量百分含量为2wt％-10wt％，所述pH调节剂的质量百分含量为0.1wt％-5wt％。在本专利技术实施例提供的一铜钼蚀刻剂组合物中，所述过氧化氢稳定剂选自脲类化合物、磷酸盐或醇类化合物中的至少一种。在本专利技术实施例提供的一铜钼蚀刻剂组合物中，所述蚀刻抑制剂选自唑类化合物、噻吩类化合物、吲哚类化合物、嘌呤类化合物、嘧啶类化合物、吡咯类化合物中的至少一种。在本专利技术实施例提供的一铜钼蚀刻剂组合物中，所述蚀刻添加剂选自胺类化合物、有机酸以及无机酸中的至少两种。在本专利技术实施例提供的一铜钼蚀刻剂组合物中，所述pH调节剂选自无机酸或无机碱中的至少一种。在本专利技术实施例提供的一铜钼蚀刻剂组合物中，所述铜钼蚀刻剂组合物的pH值为2-4。第二方面，本专利技术还提供了一种，铜钼膜层的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括如下步骤：提供一基板，在所述基板上形成铜钼膜层；在所述铜钼膜层上形成光阻层；在所述光阻层的遮蔽下，使用前述的铜钼蚀刻剂组合物对所述铜钼膜层进行蚀刻；以及剥离去除所述光阻层。在本专利技术实施例提供的一铜钼膜层的蚀刻方法中，所述铜钼蚀刻剂组合物的温度为30-35℃。第三方面，本专利技术还提供了一种显示面板，所述显示面板包括一金属层，所述金属层为铜钼膜层构成，并由前述的铜钼膜层的蚀刻方法蚀刻形成。有益效果：本专利技术提供了一种铜钼蚀刻剂组合物，铜钼膜层的蚀刻方法与显示面板，所述铜钼蚀刻剂组合物包括：过氧化氢、水以及蚀刻辅助剂，其中，所述蚀刻辅助剂在所述铜钼蚀刻剂组合物中的质量百分含量为4wt％-20wt％，所述蚀刻辅助剂包括过氧化氢稳定剂、蚀刻抑制剂、蚀刻添加剂以及pH调节剂。在该铜钼蚀刻剂中，除必须的蚀刻成分过氧化氢以及水以外，其他所添加的蚀刻辅助剂的含量少，大大降低了生产制造的成本，同时该铜钼蚀刻剂仍具备良好的蚀刻性能，可有效避免钼残不良的发生，且具有较长的使用寿命。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术现有技术提供的一种由扫描电子显微镜表征的铜钼膜层蚀刻后发生钼残留的表面形貌图；图2是本专利技术现有技术提供的一种由扫描电子显微镜表征的铜钼膜层蚀刻后未发生钼残留的表面形貌图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本专利技术，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本专利技术。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本专利技术的描述变得晦涩。因此，本专利技术并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。本专利技术实施例提供一种铜钼蚀刻剂组合物，所述铜钼蚀刻剂组合物包括：过氧化氢、水以及蚀刻辅助剂，其中，所述蚀刻辅助剂在所述铜钼蚀刻剂组合物中的质量百分含量为4wt％-20wt％，所述蚀刻辅助剂包括过氧化氢稳定剂、蚀刻抑制剂、蚀刻添加剂以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铜钼蚀刻剂组合物，其特征在于，所述铜钼蚀刻剂组合物包括：过氧化氢、水以及蚀刻辅助剂，其中，所述蚀刻辅助剂在所述铜钼蚀刻剂组合物中的质量百分含量为4wt％-20wt％，所述蚀刻辅助剂包括过氧化氢稳定剂、蚀刻抑制剂、蚀刻添加剂以及pH调节剂。/n

【技术特征摘要】
1.一种铜钼蚀刻剂组合物，其特征在于，所述铜钼蚀刻剂组合物包括：过氧化氢、水以及蚀刻辅助剂，其中，所述蚀刻辅助剂在所述铜钼蚀刻剂组合物中的质量百分含量为4wt％-20wt％，所述蚀刻辅助剂包括过氧化氢稳定剂、蚀刻抑制剂、蚀刻添加剂以及pH调节剂。


2.如权利要求1所述的铜钼蚀刻剂组合物，其特征在于，在所述铜钼蚀刻剂组合物中，所述过氧化氢的质量百分含量为10wt％-20wt％，所述过氧化氢稳定剂的质量百分含量为0.1wt％-2wt％，所述蚀刻抑制剂的质量百分含量为0.1wt％-1wt％，所述蚀刻添加剂的质量百分含量为2wt％-10wt％，所述pH调节剂的质量百分含量为0.1wt％-5wt％。


3.如权利要求1所述的铜钼蚀刻剂组合物，其特征在于，所述过氧化氢稳定剂选自脲类化合物、磷酸盐或醇类化合物中的至少一种。


4.如权利要求1所述的铜钼蚀刻剂组合物，其特征在于，所述蚀刻抑制剂选自唑类化合物、噻吩类化合物、吲哚类化合物、嘌呤类化合物、嘧啶类化合物、吡咯类化合物中的至少一种。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：何毅烽，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44