搬送托盘制造技术

本发明专利技术提供搬送托盘，在对锭进行搬送时，能够稳定地对锭进行保持，能够防止锭的脱落。搬送托盘包含壳体、收纳半导体锭的锭收纳凹部以及收纳晶片的晶片收纳凹部。壳体具有上壁、下壁、连结上壁和下壁的一对侧壁以及由上壁、下壁以及一对侧壁形成的隧道。在壳体中，以能够绕支点转动的方式安装有多个杠杆，并且该多个杠杆分别具有从锭收纳凹部的底面突出的力点、从锭收纳凹部的侧面突出的作用点以及形成在力点与作用点之间的所述支点。

【技术实现步骤摘要】
搬送托盘
本专利技术涉及在从半导体锭生成晶片的晶片生成装置中使用的搬送托盘。
技术介绍
IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)或Al2O3(蓝宝石)等为原材料的晶片的正面上层叠功能层并在功能层上通过交叉的多条分割预定线划分而形成的。并且，功率器件、LED等是在以单晶SiC(碳化硅)为原材料的晶片的正面上层叠功能层并在功能层上通过交叉的多条分割预定线划分而形成的。形成有器件的晶片被切削装置、激光加工装置沿分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片，分割得到的各器件芯片被用于移动电话或个人计算机等电子设备。形成器件的晶片一般是利用线切割机将圆柱形状的锭较薄地切断而生成的。切断得到的晶片的正面和背面通过进行研磨而被精加工成镜面(例如参照专利文献1)。但是，当利用线切割机将锭切断并对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨时，锭的大部分(70～80％)被舍弃，存在不经济的问题。特别是在单晶SiC锭中，因硬度较高而难以利用线切割机进行切断，需要相当长的时间，因此生产性差，并且因锭的单价较高而存在高效地生成晶片的课题。因此，提出了如下技术：将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在单晶SiC锭的内部而对单晶SiC锭照射激光光线而在切断预定面形成剥离层，沿着形成有剥离层的切断预定面将晶片从单晶SiC锭剥离(例如参照专利文献2)。专利文献1：日本特开2000-94221号公报专利文献2：日本特开2019-106458号公报在上述专利文献2所公开的晶片生成装置中，在锭磨削单元或激光照射单元等各单元之间，将锭和剥离出的晶片载置在搬送托盘上而搬送。但是，在该搬送托盘中，在利用锭支承部对锭进行支承而搬送时，锭相对于搬送托盘是不稳定的，锭有可能从搬送托盘脱落。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于，提供搬送托盘，在对锭进行搬送时，能够稳定地对锭进行保持并且能够防止锭的脱落。根据本专利技术，提供搬送托盘，该搬送托盘被使用在从半导体锭生成晶片的晶片生成装置中，其中，该搬送托盘具有：壳体，其包含上壁、下壁、连结该上壁和该下壁的一对侧壁、以及由该上壁、该下壁及该一对侧壁形成的隧道；锭收纳凹部，其形成于该壳体的该上壁，对该半导体锭进行收纳；晶片收纳凹部，其形成于该壳体的该下壁，对晶片进行收纳；以及多个杠杆，该多个杠杆分别具有从该锭收纳凹部的底面突出的力点、从该锭收纳凹部的侧面突出的作用点、以及形成在该力点与该作用点之间的支点，并且该多个杠杆以能够绕该支点转动的方式安装于该壳体，当该半导体锭被收纳于该锭收纳凹部内时，因该半导体锭的自重使各该杠杆的该力点动作而通过各该杠杆的该作用点对该半导体锭的侧面进行支承。优选该锭收纳凹部包含与多个大小的该半导体锭对应的同心状的多个收纳凹部。根据本专利技术，因锭的自重使力点动作，从而通过作用点对锭的侧面进行支承，因此，在对锭进行搬送时，能够稳定地对锭进行保持，并且能够防止锭的脱落。附图说明图1是本专利技术实施方式的搬送托盘的立体图。图2是图1所示的杠杆的主视图。图3的(a)是大直径的锭被定位于锭收纳凹部的上方的状态下的图1所示的搬送托盘的剖视图，图3的(b)是大直径的锭被支承于锭收纳凹部的状态下的图1所示的搬送托盘的剖视图。图4的(a)是小直径的锭被定位于锭收纳凹部的上方的状态下的图1所示的搬送托盘的剖视图，图4的(b)是小直径的锭被支承于锭收纳凹部的状态下的图1所示的搬送托盘的剖视图。图5是示出杠杆的变形例的主视图。图6是使用图1所示的搬送托盘的晶片生成装置的立体图。图7是图6所示的晶片生成装置的局部立体图。标号说明2：搬送托盘；4：壳体；6：锭收纳凹部；6a：第一锭收纳凹部；6b：第二锭收纳凹部；8：晶片收纳部；8a：第一晶片收纳部；8b：第二晶片收纳部；10：上壁；12：下壁；14：侧壁；16：隧道；22：杠杆；22a：杠杆的第一部分；22b：杠杆的第二部分；22c：杠杆的第三部分；22d：杠杆的第四部分；22e：杠杆的第五部分；22f：杠杆的第六部分；24：力点；24a：第一力点；24b：第二力点；26：作用点；26a：第一作用点；26b：第二作用点；28：支点。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的优选实施方式的搬送托盘进行说明。在图1中用标号2表示整体的搬送托盘具有壳体4、收纳半导体锭(以下，简称为锭)的锭收纳凹部6以及收纳晶片的晶片收纳部8。壳体4具有矩形状的上壁10、配置在上壁10的下方的矩形状的下壁12、连结上壁10和下壁12的矩形状的一对侧壁14、以及由上壁10、下壁12和一对侧壁14形成的隧道16。如图1所示，锭收纳凹部6形成在壳体4的上壁10的上表面。本实施方式的锭收纳凹部6具有：环状的第一锭收纳凹部6a，其从上壁10的上表面向下方凹入；以及圆形的第二锭收纳凹部6b，其直径比第一锭收纳凹部6a小并且比第一锭收纳凹部6a更向下方凹入。第一锭收纳凹部6a和第二锭收纳凹部6b形成为同心状。第一锭收纳凹部6a的直径稍稍大于直径比较大(例如直径6英寸)的圆柱状锭18(大几mm左右)，在第一锭收纳凹部6a中收纳直径比较大的锭18。第二锭收纳凹部6b的直径稍稍大于直径比较小(例如直径4英寸)的圆柱状锭20，在第二锭收纳凹部6b中收纳直径比较小的锭20。这样，本实施方式的锭收纳凹部6具有与两种大小的锭18、20对应的同心状的第一、第二锭收纳凹部6a、6b。另外，锭收纳凹部6可以具有与1种大小的锭对应的单一的圆形收纳凹部，或者也可以具有与3种以上的大小的锭对应的同心状的多个收纳凹部。当参照图1至图3进行说明时，在搬送托盘2上沿锭收纳凹部6的周向隔开间隔地配设有多个(在本实施方式中为4个)杠杆22。各杠杆22具有：从锭收纳凹部6的底面突出的力点24；从锭收纳凹部6的侧面突出的作用点26；以及形成在力点24与作用点26之间的支点28。通过参照图3可知，各杠杆22配置在与杠杆22的形状对应地形成于壳体4的收纳孔30中，并且经由贯穿支点28的销(省略标号)而被壳体4支承为摆动自如。如图2和图3所示，本实施方式的杠杆22具有：第一部分22a，其从支点28向上方延伸；第二部分22b，其从第一部分22a的上端向锭收纳凹部6的径向内侧延伸；第三部分22c，其从支点28向锭收纳凹部6的径向内侧延伸；第四部分22d，其在第三部分22c的径向外侧端部与径向内侧端部之间从第三部分22c向上方延伸；第五部分22e，其在第四部分22d的上端与下端之间从第四部分22d向径向内侧延伸；以及第六部分22f，其从第三部分22c的径向内侧端部向上方延伸。本实施方式的杠杆22的力点24具有：第一力点24a，其由从第一锭收纳凹部6a的底面突出的第四部分22d的上端构成；以及第二力点24b，其由从第二锭收纳凹部6b的底面突出的第六部分22f的上端构成。本实施方式的杠杆22的作用点26具有：第一作用点26a，其由从第一锭收纳凹部6a的侧面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种搬送托盘，该搬送托盘被使用在从半导体锭生成晶片的晶片生成装置中，其中，/n该搬送托盘具有：/n壳体，其包含上壁、下壁、连结该上壁和该下壁的一对侧壁、以及由该上壁、该下壁及该一对侧壁形成的隧道；/n锭收纳凹部，其形成于该壳体的该上壁，对该半导体锭进行收纳；/n晶片收纳凹部，其形成于该壳体的该下壁，对晶片进行收纳；以及/n多个杠杆，该多个杠杆分别具有从该锭收纳凹部的底面突出的力点、从该锭收纳凹部的侧面突出的作用点、以及形成在该力点与该作用点之间的支点，并且该多个杠杆以能够绕该支点转动的方式安装于该壳体，/n当该半导体锭被收纳于该锭收纳凹部内时，因该半导体锭的自重使各该杠杆的该力点动作而通过各该杠杆的该作用点对该半导体锭的侧面进行支承。/n

【技术特征摘要】
20200220 JP 2020-0269791.一种搬送托盘，该搬送托盘被使用在从半导体锭生成晶片的晶片生成装置中，其中，
该搬送托盘具有：
壳体，其包含上壁、下壁、连结该上壁和该下壁的一对侧壁、以及由该上壁、该下壁及该一对侧壁形成的隧道；
锭收纳凹部，其形成于该壳体的该上壁，对该半导体锭进行收纳；
晶片收纳凹部，其形成于该壳体的该下壁，对晶片进行收纳；以及
多个杠杆，...

【专利技术属性】
技术研发人员：饭塚健太吕，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP