荧光体基板、发光基板以及照明装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及荧光体基板、发光基板以及照明装置。本发明专利技术的荧光体基板(30)在一面搭载有至少一个发光元件(20)，该荧光体基板(30)具备：绝缘基板(32)；电极层(34)，配置于绝缘基板(32)的一面，与发光元件(20)接合；以及荧光体层(36)，配置于绝缘基板(32)的一面，包含将发光元件(20)的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的荧光体，电极层(34)的朝向绝缘基板(32)的厚度方向外侧的面中的，与发光元件(20)接合的接合面(34A1)位于比被作为接合面(34A1)以外的面的非接合面(34B1)靠上述厚度方向外侧，荧光体层(36)的至少一部分配置于接合面(34A1)的周围。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】荧光体基板、发光基板以及照明装置
本专利技术涉及荧光体基板、发光基板以及照明装置。
技术介绍
在专利文献1中，公开了具备搭载有发光元件(LED元件)的基板的LED照明器具。该LED照明器具在基板的表面设置反射材料，使发光效率提高。专利文献1：中国专利公开106163113号公报然而，在专利文献1所公开的结构的情况下，无法利用反射材料将LED照明器具所发出的光调整为与发光元件所发出的光不同的发光色的光。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够在搭载有发光元件的情况下将从荧光体基板发出的光调整为与发光元件所发出的光不同的发光色的光的荧光体基板。本专利技术的第一方式的荧光体基板在一面搭载有至少一个发光元件，该荧光体基板具备：绝缘基板；电极层，配置于上述绝缘基板的一面，与上述发光元件接合；以及荧光体层，配置于上述绝缘基板的一面，包含将上述发光元件的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的荧光体，上述电极层的朝向上述绝缘基板的厚度方向外侧的面中的，与上述发光元件接合的接合面位于比被作为上述接合面以外的面的非接合面靠上述厚度方向外侧，上述荧光体层的至少一部分配置于上述接合面的周围。本专利技术的第二方式的荧光体基板在一面搭载有多个发光元件，该荧光体基板具备：绝缘基板；电极层，配置于上述绝缘基板的一面，与上述多个发光元件分别接合；以及荧光体层，设置于上述绝缘基板的一面，包含将上述多个发光元件的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的荧光体，上述电极层的朝向上述绝缘基板的厚度方向外侧的面中的，与上述发光元件接合的接合面位于比被作为上述接合面以外的面的非接合面靠上述厚度方向外侧，上述荧光体层的至少一部分配置于上述接合面的周围。本专利技术的第三方式的荧光体基板是在第二方式的荧光体基板的基础上，上述荧光体层的至少一部分配置于上述绝缘基板的一面中的配置有上述电极层的区域以外的区域。本专利技术的第四方式的荧光体基板是在第二或第三方式的荧光体基板的基础上，上述荧光体层的至少一部分配置于上述非接合面。本专利技术的第五方式的荧光体基板是在第一～第四方式中任一方式的荧光体基板的基础上，上述荧光体层的上述厚度方向外侧的面位于比上述接合面靠上述厚度方向外侧。本专利技术的第六方式的荧光体基板是在第一～第五方式中任一方式的荧光体基板的基础上，上述发光元件被形成为组装有LED并被封装为芯片尺寸的CSP。本专利技术的第七方式的荧光体基板是在第六方式的荧光体基板的基础上，上述荧光体的相关色温为与上述CSP中包含的荧光体的相关色温不同的相关色温。这里，“荧光体的相关色温”是指该荧光体的发光色的相关色温(以下，相同)。本专利技术的第八方式的荧光体基板是在第六方式的荧光体基板的基础上，上述荧光体的相关色温为与上述CSP中包含的荧光体的相关色温相同的相关色温。本专利技术的第一方式的发光基板具备第一～第八方式中任一方式的荧光体基板、和与上述接合面接合的至少一个发光元件。本专利技术的第二方式的发光基板是在第一方式的发光基板的基础上，上述发光元件被形成为组装有LED并被封装为芯片尺寸的CSP。本专利技术的第三方式的发光基板是在第二方式的发光基板的基础上，上述荧光体的相关色温为与上述CSP中包含的荧光体的相关色温不同的相关色温。本专利技术的第四方式的发光基板是在第二方式的发光基板的基础上，上述荧光体的相关色温为与上述CSP中包含的荧光体的相关色温相同的相关色温。本专利技术的照明装置具备第一～第四方式中任一方式的发光基板、和供给用于使上述发光元件发光的电力的电源。本专利技术的第一～第八方式的荧光体基板能够在搭载有发光元件的情况下，将从荧光体基板发出的光调整为与发光元件所发出的光不同的发光色的光。另外，本专利技术的第二～第八方式的荧光体基板能够在搭载有发光元件的情况下，将从荧光体基板发出的光调整为与发光元件所发出的光不同的发光色的光，并且能够减小眩光。另外，本专利技术的第八方式的荧光体基板也能够显现出通过荧光体层缓和所搭载的发光元件的色度偏差的效果。另外，本专利技术的发光基板能够将从荧光体基板发出的光调整为与发光元件所发出的光不同的发光色的光。上述目的以及其他目的、特征及优点通过以下所述的优选的实施方式及其附带的以下的附图而得以进一步明确。附图说明图1A是本实施方式的发光基板的俯视图。图1B是本实施方式的发光基板的仰视图。图1C是由图1A的1C-1C切断线切断的发光基板的局部剖视图。图2A是本实施方式的荧光体基板(省略荧光体层)的俯视图。图2B是本实施方式的荧光体基板的俯视图。图3A是本实施方式的发光基板的制造方法中的第一工序的说明图。图3B是本实施方式的发光基板的制造方法中的第二工序的说明图。图3C是本实施方式的发光基板的制造方法中的第三工序的说明图。图3D是本实施方式的发光基板的制造方法中的第四工序的说明图。图3E是本实施方式的发光基板的制造方法中的第五工序的说明图。图4是用于对本实施方式的发光基板的发光动作进行说明的图。图5是用于对比较方式的发光基板的发光动作进行说明的图。图6是表示本实施方式的发光基板的相关色温的第一试验的结果的图表。图7是表示本实施方式的发光基板的相关色温的第二试验的结果的图表。具体实施方式《概要》以下，参照图1A～图1C、图2A、图2B对本实施方式的发光基板10的结构及功能进行说明。接着，参照图3A～图3E对本实施方式的发光基板10的制造方法进行说明。接着，参照图4对本实施方式的发光基板10的发光动作进行说明。接着，参照图4～图7等对本实施方式的效果进行说明。此外，在以下的说明中参照的所有附图中，对相同的结构要素标注相同的附图标记，省略适当说明。《本实施方式的发光基板的结构及功能》图1A是本实施方式的发光基板10的俯视图(从表面31观察的图)，图1B是本实施方式的发光基板10的仰视图(从背面33观察的图)。图1C是由图1A的1C-1C切断线切断的发光基板10的局部剖视图。本实施方式的发光基板10从表面31及背面33观察，作为一个例子为矩形。另外，本实施方式的发光基板10具备多个发光元件20、荧光体基板30、以及连接器、驱动器IC等电子部件(省略图示)。即，本实施方式的发光基板10在荧光体基板30上搭载有多个发光元件20及上述电子部件。本实施方式的发光基板10具有通过导线的直接附着或者经由连接器从外部电源(省略图示)被供电时发光的功能。因此，本实施方式的发光基板10例如被用作照明装置(省略图示)等中的主要的光学部件。＜多个发光元件＞作为一个例子，多个发光元件20分别为组装有倒装芯片LED22(以下，称为LED22)的CSP(ChipScalePackage：芯片级封装)(参照图1C)。作为CSP，如图1C所示，优选除LED22的底面之外的整个周围(5面)被荧光体密封本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种荧光体基板，是在一面搭载有至少一个发光元件的荧光体基板，其中，具备：/n绝缘基板；/n电极层，配置于所述绝缘基板的一面，与所述发光元件接合；以及/n荧光体层，配置于所述绝缘基板的一面，包含将所述发光元件的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的荧光体，/n所述电极层的朝向所述绝缘基板的厚度方向外侧的面中的与所述发光元件接合的接合面位于比被作为所述接合面以外的面的非接合面靠所述厚度方向外侧，/n所述荧光体层的至少一部分配置于所述接合面的周围。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181227 JP 2018-2445431.一种荧光体基板，是在一面搭载有至少一个发光元件的荧光体基板，其中，具备：
绝缘基板；
电极层，配置于所述绝缘基板的一面，与所述发光元件接合；以及
荧光体层，配置于所述绝缘基板的一面，包含将所述发光元件的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的荧光体，
所述电极层的朝向所述绝缘基板的厚度方向外侧的面中的与所述发光元件接合的接合面位于比被作为所述接合面以外的面的非接合面靠所述厚度方向外侧，
所述荧光体层的至少一部分配置于所述接合面的周围。


2.一种荧光体基板，是在一面搭载有多个发光元件的荧光体基板，其中，具备：
绝缘基板；
电极层，配置于所述绝缘基板的一面，与所述多个发光元件分别接合；以及
荧光体层，设置于所述绝缘基板的一面，包含将所述多个发光元件的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的荧光体，
所述电极层的朝向所述绝缘基板的厚度方向外侧的面中的与所述发光元件接合的接合面位于比被作为所述接合面以外的面的非接合面靠所述厚度方向外侧，
所述荧光体层的至少一部分配置于所述接合面的周围。


3.根据权利要求2所述的荧光体基板，其中，
所述荧光体层的至少一部分配置于所述绝缘基板的一面中的配置有所述电极层的区域以外的区域。


4.根据权利要求2或3所述的荧光体基板，其中，
所述荧光体层的至少一部分配置于...

【专利技术属性】
技术研发人员：小西正宏，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP