光电子组件和用于制造光电子组件的方法技术

在至少一个实施例中，光电子组件（100）包括载体（1）、光电子半导体芯片（2）和封装（3）。所述半导体芯片固定到所述载体的安装表面（10）上并且与所述载体导电连接。所述封装围绕所述半导体芯片并且至少部分地覆盖所述安装表面。所述封装包括第一层（31）和第二层（32），其中所述第一层布置在所述安装表面和所述第二层之间。所述第一层和所述第二层均基于硅树脂。所述第一层和所述第二层在界面的区域中彼此直接相邻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子组件和用于制造光电子组件的方法
说明了一种光电子组件和一种用于制造光电子组件的方法。
技术实现思路
要解决的一个任务是说明一种对老化特别稳定的光电子组件。另一个要解决的任务是说明一种用于制造这种光电子组件的方法。这些任务特别是通过独立专利权利要求的主题和方法来解决。有利的设计和进一步的实施例是从属权利要求的主题。根据至少一个实施例，所述光电子组件包括载体。所述载体包括例如引线框和壳体。所述引线框优选地包括彼此电绝缘的至少两个部分。在所述组件的预期运行期间，向这两个部分优选地分配不同的极性。所述引线框可以嵌入所述壳体中。所述引线框的部分可以通过所述壳体彼此电绝缘。所述引线框包括例如铜。所述壳体包括例如塑料或环氧树脂或由例如塑料或环氧树脂构成。优选地，所述壳体反射可见光谱范围内的光。然而，替代地，所述载体可以是陶瓷载体。根据至少一个实施例，所述光电子组件包括光电子半导体芯片。在预期的运行中，所述半导体芯片优选发射电磁初级辐射，例如在可见光谱范围内或在紫外线范围内或在红外线范围内。所述光电子组件特别是LED。所述光电子组件可以是机动车辆的大灯的一部分。在此和在下文中将半导体芯片理解为可以单独处理和电接触的元件。半导体芯片特别是通过从晶片复合体分离来加以制造。特别地，这种半导体芯片的侧表面于是包括例如来自所述晶片复合体的分离过程的痕迹。半导体芯片优选地包括在所述晶片复合体中生长的半导体层序列的恰好一个最初连续区域。所述半导体芯片的半导体层序列优选以连续的方式形成。平行于所述半导体芯片的主延伸平面测量的所述半导体芯片的延伸例如比平行于所述半导体芯片的主延伸平面测量的所述半导体层序列的延伸大至多5%或至多10%或至多20%。所述半导体芯片的半导体层序列例如基于III-V族化合物半导体材料，特别是基于氮化物化合物半导体材料。所述半导体层序列包括有源层，在所述有源层中在预期的运行中生成电磁初级辐射。所述有源层特别是包括至少一个pn结和/或单量子阱形式（缩写为SQW）或者多量子阱结构形式（缩写为MQW）的至少一个量子阱结构。根据至少一个实施例，所述光电子组件包括封装。在所述组件的预期运行中，所述封装特别是用于保护光电子半导体芯片和/或载体免受外部影响，例如免受气体或湿气或污染物的进入或免受机械影响。所述封装优选地对所述初级辐射至少部分透明。根据至少一个实施例，所述半导体芯片安装在所述载体的安装表面上并且与所述载体导电连接。例如，所述载体的安装表面适于在制造公差内是平坦的和/或水平的。所述安装表面可以被配置为在区域中是金属的。所述安装表面优选地大于所述半导体芯片，例如至少两倍大。所述半导体芯片可以接合到所述安装表面，例如通过基于硅树脂的粘合剂，或焊接到所述安装表面上。在平行于安装表面的横向方向上，所述半导体芯片优选地被屏障包围。所述屏障可以是所述载体的一部分并且例如由所述壳体形成。优选地，所述屏障在远离所述安装表面的方向上突出超过所述半导体芯片。换言之，所述载体包括凹部。所述屏障在横向方向上界定所述凹部。所述安装表面形成所述凹部的底表面。所述半导体芯片布置所述载体在所述安装表面上的凹部中。优选地，所述半导体芯片在横向方向上与所述屏障间隔开。所述半导体芯片可以与所述载体的引线框的部分导电连接。然后可以例如通过所述载体的与所述安装表面相对的背侧从外部接触所述光电子组件。除了所述光电子半导体芯片之外，一个或多个另外的电子组件也可以布置在所述安装表面上，例如在所述凹部的区域中。例如，另一个光电半导体芯片和/或ESD保护二极管附接到所述安装表面。根据至少一个实施例，所述封装围绕所述半导体芯片形成并且至少部分地、优选完全地覆盖所述安装表面。所述封装的一些部分可以直接放置在所述安装表面上。例如，所述安装表面直接放置在安装表面上与所述半导体芯片相邻的区域中。优选地，所述封装填充所述载体的凹部，所述半导体芯片布置在该凹部中。优选地，所述封装与所述屏障横向相邻。所述半导体芯片可以嵌入在所述封装中。例如，所述封装直接施加到所述半导体芯片上。根据至少一个实施例，所述封装包括第一层和第二层。优选地，所述第一层布置在所述安装表面和所述第二层之间。特别地，沿着所述封装的整个横向范围或基本上沿着所述封装的整个横向范围，所述第一层布置在所述安装表面和所述第二层之间。例如，当在所述安装表面的俯视图中观察时，所述第二层覆盖所述第一层的大部分或全部。例如，所述第一层的所有不面向所述载体或所述半导体芯片的区域都被所述第二层覆盖。当从所述安装表面上方观察时，所述第一层优选与所述半导体芯片横向相邻地覆盖所述安装表面的所有区域，特别是所述安装表面的所有金属区域或易腐蚀的区域。特别地，所述第一层完全覆盖这些区域。特别优选地，从所述安装表面上方观察，所述第一层覆盖整个安装表面。所述第一层可以与所述半导体芯片和/或所述安装表面直接相邻。所述第一层和/或所述第二层对于由所述半导体芯片发射的初级辐射可以是至少部分地透明。所述封装可以包括一个或多个附加层或者可以仅由所述第一层和所述第二层组成。优选地，所述第二层不与所述安装表面直接接触。优选地，所述第二层在任何地方都通过所述第一层并且如果存在的话通过所述壳体与所述安装表面间隔开。根据至少一个实施例，所述第一层和所述第二层均基于硅树脂。例如，所述第一层和/或所述第二层基于硅树脂。所述第一层和所述第二层可以基于相同的硅树脂或由相同的硅树脂组成。替代地，也可以想到所述第二层的硅树脂与所述第一层的硅树脂不同。用于所述第一层和/或所述第二层的可能的硅树脂尤其是包括：热固性、加成固化的双组分硅树脂和基于二甲基硅氧烷的弹性体。硅树脂也称为聚硅氧烷。优选地，所述第一层是所述组件中最接近所述安装表面的基于硅树脂的层。根据至少一个实施例，所述第一层和所述第二层在界面区域中彼此直接相邻。所述界面优选地是所述第一层和所述第二层之间的视觉上可感知的边界。例如，在制造公差内，所述界面简单连接，即没有中断，在所述中断中所述第一层与所述第二层不相邻。当从所述安装表面上方观察时，所述界面优选地覆盖所述安装表面的与半导体芯片横向相邻的所有区域。特别地，所述界面表明所述第一层和所述第二层是顺序地且彼此独立地施加的。特别地，所述界面表明所述第一层的硅树脂在施加所述第二层的硅树脂之前已部分或完全固化。所述界面也可以是边界层，例如，具有至多10nm或至多5nm的厚度。换言之，第一层和第二层不是彼此一体地布置或者不是由单个铸件形成。然而，所述第一层和所述第二层可以分别一体地形成或由铸件形成。例如，在所述第一层和所述第二层之间的界面处或界面中硅树脂的材料结构不同于在所述第一层内部和/或所述第二层内部硅树脂的材料结构。例如，与所述第一层和/或所述第二层内部相比，所述界面处的硅树脂交联得更多或包括更多的互连点或包括更高的密度。如果所述载体包括壳体和由屏障包围的凹部，则所述封装优选地填充所述凹部。特别地，所述界面以及优选所述第二层仅在所述凹部内延伸。例如，所述界面在横向方向上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电子组件（100），包括/n-载体（1）；/n-光电子半导体芯片（2）；/n-封装（3）；其中/n-所述半导体芯片（2）固定在所述载体（1）的安装表面（10）上并且与所述载体（1）导电连接，/n-所述封装（3）围绕所述半导体芯片（2）形成并且至少部分地覆盖所述安装表面（10），/n-所述封装（3）包括第一层（31）和第二层（32），/n-所述第一层（31）布置在所述安装表面（10）和所述第二层（32）之间，/n-所述第一层（31）和所述第二层（32）均基于硅树脂，/n-所述第一层（31）和所述第二层（32）在界面（30）的区域中彼此直接相邻。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190111 DE 102019100612.01.一种光电子组件（100），包括
-载体（1）；
-光电子半导体芯片（2）；
-封装（3）；其中
-所述半导体芯片（2）固定在所述载体（1）的安装表面（10）上并且与所述载体（1）导电连接，
-所述封装（3）围绕所述半导体芯片（2）形成并且至少部分地覆盖所述安装表面（10），
-所述封装（3）包括第一层（31）和第二层（32），
-所述第一层（31）布置在所述安装表面（10）和所述第二层（32）之间，
-所述第一层（31）和所述第二层（32）均基于硅树脂，
-所述第一层（31）和所述第二层（32）在界面（30）的区域中彼此直接相邻。


2.根据权利要求1所述的光电子组件（100），其中
-所述安装表面（10）至少部分地由银和/或银合金和/或铜形成，
-所述第一层（31）覆盖所述安装表面（10）的与所述半导体芯片（2）横向相邻的所有区域，
-从所述组件（100）外部到所述第一层（31）的仅穿过基于硅树脂的材料的每条路径也穿过所述界面（30）。


3.根据权利要求1或2所述的光电子组件（100），其中
-所述半导体芯片（2）嵌入在所述第一层（31）中，
-在所述安装表面的俯视图中观察，所述半导体芯片（2）被所述界面（30）覆盖。


4.根据前述权利要求中任一项所述的光电子组件（100），
其中所述第一层（31）和所述第二层（32）基于相同的硅树脂。


5.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子组件（100），
其中所述第一层（31）和所述第二层（32）基于不同的硅树脂。


6.根据权利要求5所述的光电子组件（100），
其中所述第二层（32）的硅树脂包括比所述第一层（31）的硅树脂更小的折射率。


7.根据权利要求5或6所述的光电子组件（100），
其中所述第二层（32）的硅树脂包括比所述第一层（31）的硅树脂更高的气体渗透性。


8.根据前述权利要求中任一项所述的光电子组件（100），
其中所述界面（30）在所述载体（1）的整个安装表面（10）上延伸。


9.根据前述权利要求中任一项所述的光电子组件（100），
其中所述第一层（31）在所述界面（30）的区域中经过表面处理。


10.根据前述权利要求中任一项所述的光电子组件（100），
进一步包括至少部分地覆盖所述安装...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·里斯温克尔，J·埃伯哈德，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE