一种半导体封装结构制作方法及半导体封装结构技术

本申请公开了一种半导体封装结构制作方法及半导体封装结构，包括：提供包括芯片的晶圆，在晶圆的一侧开设针对芯片的I/O口，且通过切割工艺得到分离的芯片，对芯片除I/O口所在的一侧进行塑封，形成保护芯片的塑封体，在芯片的I/O口所在的一侧制作种子层，并基于该种子层制作得到针对I/O口的重布线层和第一导电凸块，并在第一导电凸块上植球，得到半导体封装结构，相较于相关技术中需要提供支撑载体作为芯片的承载件，上述方案无需提供支撑载体即可实现半导体封装结构的制作。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装结构制作方法及半导体封装结构
本申请涉及半导体封装
，具体而言，涉及一种半导体封装结构制作方法及半导体封装结构。
技术介绍
在半导体封装结构的制作过程中，一般会采用封装基板(Substrate)或印制电路板(PrintedCircuitBoard，简称PCB)作为支撑载体，需要对支撑载体通过蚀刻或者冲压形成开口，以用于容置芯片，进而实现半导体封装结构产品的制作。然而，采用上述方式的工艺流程较为复杂，且开口之间需要较大的间距才能保证不会出现断裂，这又进一步会降低支撑载体的利用率，进而降低生产效率。
技术实现思路
本申请提供一种半导体封装结构制作方法及半导体封装结构，能够实现无需支撑载体参与即可完成半导体封装结构的制作。第一方面，本申请实施例提供一种半导体封装结构制作方法，包括：提供一晶圆，晶圆包括芯片；在晶圆的一侧开设针对芯片的I/O口，并切割晶圆，得到分离的芯片；对芯片除I/O口所在的一侧进行塑封，形成用于保护芯片的第一塑封体；在芯片的I/O口所在的一侧制作种子层，并基于种子层制作针对芯片的电子线路层和第一导电凸块；在第一导电凸块远离芯片的一侧进行植球，得到制作完成的半导体封装结构。在一种可能的实施方式中，在芯片的I/O口所在的一侧制作种子层，并基于种子层制作针对芯片的电子线路层和第一导电凸块，包括：在I/O口所在的一侧制作重布线层的种子层；基于重布线层的种子层电镀形成重布线层；在重布线层远离芯片的一侧制作第一导电凸块；去除制作重布线层中相邻的第一导电凸块之间的种子层，使相邻的导电凸块之间绝缘隔离；对芯片进行塑封，形成用于保护重布线层和第一导电凸块的第二塑封体。在一种可能的实施方式中，在第一导电凸块远离芯片的一侧进行植球，得到制作完成的半导体封装结构，包括：在第二塑封体上进行开口，以使第一导电凸块露出；在第一导电凸块露出部分进行植球，得到制作完成的半导体封装结构。在一种可能的实施方式中，在第二塑封体上进行开口，以使第一导电凸块露出，包括：利用干法蚀刻工艺蚀刻第二塑封体以使第一导电凸块露出。在一种可能的实施方式中，基于重布线层的种子层电镀形成的重布线层包括多层。在一种可能的实施方式中，对芯片除I/O口所在的一侧进行塑封，形成用于保护芯片的第一塑封体，包括：提供一芯片载体；在芯片载体的一侧设置粘接层；将芯片的I/O口所在的一侧通过粘接层与芯片载体粘接；利用有机材料对芯片进行塑封，形成保护芯片的第一塑封体；去除粘接层和芯片载体。在一种可能的实施方式中，芯片载体为玻璃载体。在一种可能的实施方式中，在芯片的I/O口所在的一侧制作种子层，并基于种子层制作针对芯片的电子线路层和第一导电凸块之前，还包括：在芯片的I/O口所在的一侧制作第二导电凸块；对芯片除第二导电凸块所在的一侧进行塑封，形成用于保护第二导电凸块的第三塑封体；研磨第三塑封体，以使第二导电凸块从远离芯片的一端露出。在一种可能的实施方式中，在芯片的I/O口所在的一侧制作种子层，并基于种子层制作针对芯片的电子线路层和第一导电凸块，包括：在第二导电凸块远离芯片的一端制作重布线层的种子层；基于重布线层的种子层制作重布线层；在重布线层远离芯片的一侧制作第一导电凸块；去除制作重布线层中相邻的第一导电凸块之间的种子层，使相邻的导电凸块之间绝缘隔离；对芯片进行塑封，形成用于保护重布线层和第一导电凸块的第二塑封体。第二方面，本申请实施例提供一种半导体封装结构，由第一方面至少一种可能的实施方式中的半导体封装结构制作方法制作得到，半导体封装结构包括：芯片，芯片包括I/O口，I/O口开设于芯片的一侧；电子线路层，电子线路层位于芯片的I/O口所在的一侧；第一导电凸块，第一导电凸块位于电子线路层远离芯片的一侧；塑封体，塑封体位于芯片的四个侧面以及芯片远离第一导电凸块的一侧，塑封体用于保护芯片。相比现有技术，本申请实施例提供的一种半导体封装结构制作方法及半导体封装结构，通过提供包括芯片的晶圆，在晶圆的一侧开设针对芯片的I/O口，且通过切割工艺得到分离的芯片，对芯片除I/O口所在的一侧进行塑封，形成保护芯片的塑封体，在芯片的I/O口所在的一侧制作种子层，并基于该种子层制作得到针对I/O口的重布线层和第一导电凸块，并在第一导电凸块上植球，得到半导体封装结构，相较于相关技术中需要提供支撑载体作为芯片的承载件，上述方案无需提供支撑载体即可实现半导体封装结构的制作。如此，可以降低工艺流程的复杂度，提升生产效率。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定。对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本申请实施例提供的半导体封装结构制作方法的步骤流程示意图；图2-图8为本申请实施例提供的半导体封装结构制作方法的各个工艺对应的半导体封装结构变化示意图。具体实施方式为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，“设置”、“连接”等术语应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装结构制作方法，其特征在于，包括：/n提供一晶圆，所述晶圆包括芯片；/n在所述晶圆的一侧开设针对所述芯片的I/O口，并切割所述晶圆，得到分离的所述芯片；/n对所述芯片除所述I/O口所在的一侧进行塑封，形成用于保护所述芯片的第一塑封体；/n在所述芯片的所述I/O口所在的一侧制作种子层，并基于所述种子层制作针对所述芯片的电子线路层和第一导电凸块；/n在所述第一导电凸块远离所述芯片的一侧进行植球，得到制作完成的半导体封装结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构制作方法，其特征在于，包括：
提供一晶圆，所述晶圆包括芯片；
在所述晶圆的一侧开设针对所述芯片的I/O口，并切割所述晶圆，得到分离的所述芯片；
对所述芯片除所述I/O口所在的一侧进行塑封，形成用于保护所述芯片的第一塑封体；
在所述芯片的所述I/O口所在的一侧制作种子层，并基于所述种子层制作针对所述芯片的电子线路层和第一导电凸块；
在所述第一导电凸块远离所述芯片的一侧进行植球，得到制作完成的半导体封装结构。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述芯片的所述I/O口所在的一侧制作种子层，并基于所述种子层制作针对所述芯片的电子线路层和第一导电凸块，包括：
在所述I/O口所在的一侧制作重布线层的种子层；
基于所述重布线层的种子层电镀形成重布线层；
在所述重布线层远离所述芯片的一侧制作所述第一导电凸块；
去除所述制作重布线层中相邻的第一导电凸块之间的种子层，使相邻的导电凸块之间绝缘隔离；
对所述芯片进行塑封，形成用于保护所述重布线层和所述第一导电凸块的第二塑封体。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一导电凸块远离所述芯片的一侧进行植球，得到制作完成的半导体封装结构，包括：
在所述第二塑封体上进行开口，以使所述第一导电凸块露出；
在所述第一导电凸块露出部分进行植球，得到制作完成的半导体封装结构。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第二塑封体上进行开口，以使所述第一导电凸块露出，包括：
利用干法蚀刻工艺蚀刻所述第二塑封体以使所述第一导电凸块露出。


5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述重布线层的种子层电镀形成的重布线层包括多层。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述芯片除所述I/O口所在的一侧进行塑封，形成用于保护所述芯片的第一塑封体，包括：
提...

【专利技术属性】
技术研发人员：李高林，
申请(专利权)人：成都奕斯伟系统技术有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51