【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容膜片仪表中的高温传感器和电子元件之间的热障相关申请的交叉引用本申请要求于2019年2月26日提交的序列号为62/810,798的美国临时申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术属于基于膜片偏转来测量压力的电容膜片仪表领域。
技术介绍
绝对的电容膜片仪表(capacitancediaphragmgauges,CDGs)通过感测与膜片偏转相关的电容变化来测量压力,其中膜片的一侧(压力侧)暴露于待测压力,而膜片的另一侧暴露于密封的参考真空腔,其中,在密封该参考真空腔之前,就已经在该参考真空腔中产生超高真空(例如,小于10-9托)。电容膜片仪表测量膜片与容纳在该参考真空腔中的一个或多个固定电极之间的电容。当在膜片的压力侧上的压力高于在参考真空腔内的压力时,膜片沿所述一个(或多个)固定电极的方向偏转,从而增大被测电容。随着在膜片的压力侧上的压力降低,跨膜片两侧的压差减小,膜片从在参考真空腔中的所述一个(或多个)固定电极移动远离,从而降低了被测电容。电容膜片仪表通常用于测量在真空腔室中的压力,在该真空腔室中材料的薄膜或厚膜沉积在基板上。用途的一个常见示例是:在半导体装置制造期间、将材料沉积到硅晶圆表面期间,测量压力。在使用多种气体的真空沉积工艺中,电容膜片仪表非常有用,这是因为:电容膜片仪表非常准确,并且能够测量独立于气体成分的绝对压力。不幸的是,电容膜片仪表的相同特性,使电容膜片仪表能够在通常进行真空沉积的压力规范(regime)下运行,这也使电容膜片仪表对到达膜片表面的任何形 ...
【技术保护点】
1.一种热障罩壳,其用于将在第一温度下操作的电容膜片仪表(CDG)与在第二温度下操作的电子元件罩壳互连,第一温度高于第二温度,该热障罩壳包括:/n侧壁,其围绕所述电容膜片仪表;/n第一壁,其配置为与所述电容膜片仪表机械地接合;/n第二壁,其配置为接合该电子元件罩壳,该第二壁与该第一壁间隔开;以及/n中间热限制和通风部分,其将该第一壁和该第二壁互连,所述中间热限制和通风部分包括多个支柱。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190226 US 62/810,7981.一种热障罩壳,其用于将在第一温度下操作的电容膜片仪表(CDG)与在第二温度下操作的电子元件罩壳互连,第一温度高于第二温度,该热障罩壳包括:
侧壁,其围绕所述电容膜片仪表;
第一壁,其配置为与所述电容膜片仪表机械地接合;
第二壁,其配置为接合该电子元件罩壳,该第二壁与该第一壁间隔开;以及
中间热限制和通风部分,其将该第一壁和该第二壁互连,所述中间热限制和通风部分包括多个支柱。
2.根据权利要求1所述的热障罩壳,其中,第一壁具有中心通孔,并且,每个支柱沿着从中心通孔延伸的相应支柱径向线定位。
3.根据权利要求1所述的热障罩壳,其中,第一壁具有中心通孔,并且,每个支柱沿着以中心通孔为中心的第一圆定位。
4.根据权利要求1所述的热障罩壳,其中,支柱连接到第一壁和第二壁。
5.根据权利要求1所述的热障罩壳,其还包括:连接到第一壁和第二壁的中心互连支柱,其中,在中心互连支柱内部形成有中心通孔。
6.根据权利要求1所述的热障罩壳,其中,中间热限制和通风部分具有在第一壁和第二壁之间的总体积,所述多个支柱具有总支柱体积,并且,总支柱体积在该总体积的大约15%至大约25%的范围内。
7.一种压力感测系统,其包括:
电容膜片仪表(CDG),其在第一温度下操作,其中所述电容膜片仪表能够联接到待测量的压力源;
电子元件罩壳,其在第二温度下操作,第一温度高于第二温度,电子元件罩壳包围电联接到所述电容膜片仪表的电子元件;以及
热障罩壳,其容纳所述电容膜片仪表,并将所述电容膜片仪表互连到电子元件罩壳,该热障罩壳包括:
侧壁,其围绕所述电容膜片仪表;
第一壁,其配置为与所述电容膜片仪表机械地接合;
第二壁,其配置为接合该电子元件罩壳,该第二壁与该第一壁间隔开;以及
中间热限制和通风部分,其将该第一壁和该第二壁互连,所述中间热限制和通风部分包括多个支柱。
8.根据权利要求7所述的压力感测系统,其中,第一壁具有中心通孔,并且,每个支柱沿着从中心通孔延伸的相应支柱径向线定位。
9.根据权利要求7所述的压力感测系统,其中,第一壁具有中心通孔,并且,每个支柱沿着以中心通孔为中心的第一圆定位。
10.根据权利要求7所述的压力感测系统,其中,支柱连接到第一壁和第二壁。
11.根据权利要求7所述的压力感测系统,其还包括:连接到第一壁和第二壁的中心互连支柱,其中...
【专利技术属性】
技术研发人员:马特·达特伦,库尔特·拉斯廷,
申请(专利权)人:住友SHI美国低温研究有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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