一种用于检测被测板供电电路的工装电路制造技术

技术编号:29683382 阅读:27 留言:0更新日期:2021-08-13 22:07
本实用新型专利技术公开了一种用于检测被测板供电电路的工装电路,包括电源接口、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一p‑mos管、第二p‑mos管、INA219芯片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第十六电阻、第一电容。本实用新型专利技术电路配合单片机的控制,能够轻松检测备电二极管的状态,并且能够检测主控板的电压和功耗,稳定性较高,维修方便,本实用新型专利技术工装电路可以进行自检,在发生故障的时候也能快速找到问题,并进行修复。

【技术实现步骤摘要】
一种用于检测被测板供电电路的工装电路
本技术属于仪表智能控制
,具体涉及一种检测被测板供电电路的工装电路。
技术介绍
随着微处理器,物联网技术发展,很多设备从原先的机械结构转变为机械结构+智能部分,仪表产品也不例外。随着产品智能化的发展,产品的检测也需要跟上发展的脚步。在生产制造主控板的过程中,我们发现,若备电上的防反二极管在贴片的时候贴错了方向,现有工装检测方案无法检测。因此,我们采用了一种用于检测被测板供电电路的工装电路来检测备电上的防反二极管存在的问题。
技术实现思路
针对现有技术中存在的不足,本技术的目的在于提供一种用于检测被测板供电电路的工装电路。一种用于检测被测板供电电路的工装电路,包括电源接口J1、第一三极管Q3、第二三极管Q4、第三三极管Q5、第四三极管Q8、第一p-mos管Q1、第二p-mos管Q2、INA219芯片U1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R8、第七电阻R9、第八电阻R10、第九电阻R11、第十电阻R13、第十一电阻R14、第十二电阻R17、第十三电阻R18、第十四电阻R19、第十五电阻R22、第十六电阻R25、第一电容C1。电源接口J1的正极与第三电阻R3的一端、电阻R4的一端和第一P-mos管Q1的D端、电阻R17的一端以及第三三极管Q5的集电极相连,第四电阻R4的另一端与第五电阻R5的一端以及第二p-mos管Q2的D端相连,第五电阻R5的另一端与第一电容C1的一端以及INA219芯片U1的Vin-端相连,第三电阻R3的另一端与第一电容C1的另一端、INA219芯片U1的Vin+端相连,INA219芯片U1的Vs引脚接3.3V,INA219芯片U1的GND引脚与GND相连,INA219芯片U1的SCL引脚与第二电阻R2的一端相连,INA219芯片U1的SDA引脚与第一电阻R1的一端相连,INA219芯片U1的A0、A1引脚与GND相连,第二电阻R2的另一端与第一电阻R1的另一端连接3.3V电源,第一P-MOS管Q1的s端与第六电阻R8的一端连接3.6V电源,第一P-mos管Q1的G端连接第六电阻R8的另一端和第八电阻R10的一端,第八电阻R10的另一端与第一三极管Q3的集电极相连,第一三极管Q3的基极与第十电阻R13的一端相连,第一三极管Q3的发射极接地,第二P-MOS管Q2的S端与第七电阻R9的一端连接3.6V电源,第二P-MOS管Q2的G端连接第七电阻R9的另一端和第九电阻R11的一端,第九电阻R11的另一端与第二三极管Q4的集电极相连,第二三极管Q4的基极与第十一电阻R14的一端相连,第二三极管Q4的发射级接地,第十二电阻R17的另一端连接第十四电阻R19的一端和第四三极管Q8的集电极,第十四电阻R19的另一端与第三二极管Q5的基极相连,第四三极管Q8的基极与第十五电阻R22的一端相连,第四三极管Q8的发射级接地,第三三极管Q5的发射级与第十三电阻R18的一端相连,第十三电阻R18的另一端与第十六电阻R25的一端相连,第十六电阻R25的另一端接地。INA219芯片U1的SCL端与单片机的普通IO口相连,芯片U1的SDA端与单片机的普通IO口相连,第十电阻R13的另一端与单片机的普通IO口相连,第十一电阻R14的另一端与单片机的普通IO口相连,第十五电阻R22的另一端与单片机的普通IO口相连,第十三电阻R18的另一端与单片机的电压检测口相连。进一步的,所述的单片机采用型号为PIC24FJ128GA308。本技术有益效果如下:本技术电路配合单片机的控制,能够轻松检测备电二极管的状态,并且能够检测主控板的电压和功耗。1、本技术电路稳定性较高,遇到异常被侧板情况下不会导致工装板损坏,即可以使用较长的时间。2、具有出色的泛用性。该电路可以通过修改备电供给和主电供给的电压,用于测量其它规格的供电电路。3、维修方便,本技术工装电路可以进行自检,在发生故障的时候也能快速找到问题,并进行修复。附图说明图1为本技术电路图;图2为本技术被测电路图;图3为本技术实施例电路部署图。具体实施方式以下结合附图与实施例对本技术进行进一步描述。如图1所示,一种用于检测被测板供电电路的工装电路,包括电源接口J1、第一三极管Q3、第二三极管Q4、第三三极管Q5、第四三极管Q8、第一p-mos管Q1、第二p-mos管Q2、INA219芯片U1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R8、第七电阻R9、第八电阻R10、第九电阻R11、第十电阻R13、第十一电阻R14、第十二电阻R17、第十三电阻R18、第十四电阻R19、第十五电阻R22、第十六电阻R25、第一电容C1。电源接口J1的正极与第三电阻R3的一端、电阻R4的一端和第一P-mos管Q1的D端、电阻R17的一端以及第三三极管Q5的集电极相连,第四电阻R4的另一端与第五电阻R5的一端以及第二p-mos管Q2的D端相连,第五电阻R5的另一端与第一电容C1的一端以及INA219芯片U1的Vin-端相连,第三电阻R3的另一端与第一电容C1的另一端、INA219芯片U1的Vin+端相连,INA219芯片U1的Vs引脚接3.3V,INA219芯片U1的GND引脚与GND相连,INA219芯片U1的SCL引脚与第二电阻R2的一端相连,INA219芯片U1的SDA引脚与第一电阻R1的一端相连,INA219芯片U1的A0、A1引脚与GND相连,第二电阻R2的另一端与第一电阻R1的另一端连接3.3V电源,第一P-MOS管Q1的s端与第六电阻R8的一端连接3.6V电源,第一P-mos管Q1的G端连接第六电阻R8的另一端和第八电阻R10的一端,第八电阻R10的另一端与第一三极管Q3的集电极相连,第一三极管Q3的基极与第十电阻R13的一端相连,第一三极管Q3的发射极接地,第二P-MOS管Q2的S端与第七电阻R9的一端连接3.6V电源,第二P-MOS管Q2的G端连接第七电阻R9的另一端和第九电阻R11的一端,第九电阻R11的另一端与第二三极管Q4的集电极相连,第二三极管Q4的基极与第十一电阻R14的一端相连,第二三极管Q4的发射级接地,第十二电阻R17的另一端连接第十四电阻R19的一端和第四三极管Q8的集电极,第十四电阻R19的另一端与第三二极管Q5的基极相连,第四三极管Q8的基极与第十五电阻R22的一端相连,第四三极管Q8的发射级接地,第三三极管Q5的发射级与第十三电阻R18的一端相连,第十三电阻R18的另一端与第十六电阻R25的一端相连,第十六电阻R25的另一端接地。INA219芯片U1的SCL端与单片机的普通IO口SCL相连,芯片U1的SDA端与单片机的普通IO口SDA相连,第十电阻R13的另一端与单片机的普通IO口VI_CHK相连,第十一电阻R14的另一端与单片机的普通IO口VI-_CHK相连,第十五电阻R22的另一端与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于检测被测板供电电路的工装电路,其特征在于,包括电源接口J1、第一三极管Q3、第二三极管Q4、第三三极管Q5、第四三极管Q8、第一p-mos管Q1、第二p-mos管Q2、INA219芯片U1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R8、第七电阻R9、第八电阻R10、第九电阻R11、第十电阻R13、第十一电阻R14、第十二电阻R17、第十三电阻R18、第十四电阻R19、第十五电阻R22、第十六电阻R25、第一电容C1;/n电源接口J1的正极与第三电阻R3的一端、电阻R4的一端和第一P-mos管Q1的D端、电阻R17的一端以及第三三极管Q5的集电极相连,第四电阻R4的另一端与第五电阻R5的一端以及第二p-mos管Q2的D端相连,第五电阻R5的另一端与第一电容C1的一端以及INA219芯片U1的Vin-端相连,第三电阻R3的另一端与第一电容C1的另一端、INA219芯片U1的Vin+端相连,INA219芯片U1的Vs引脚接3.3V,INA219芯片U1的GND引脚与GND相连,INA219芯片U1的SCL引脚与第二电阻R2的一端相连,INA219芯片U1的SDA引脚与第一电阻R1的一端相连,INA219芯片U1的A0、A1引脚与GND相连,第二电阻R2的另一端与第一电阻R1的另一端连接3.3V电源,第一P-MOS管Q1的s端与第六电阻R8的一端连接3.6V电源,第一P-mos管Q1的G端连接第六电阻R8的另一端和第八电阻R10的一端,第八电阻R10的另一端与第一三极管Q3的集电极相连,第一三极管Q3的基极与第十电阻R13的一端相连,第一三极管Q3的发射极接地,第二P-MOS管Q2的S端与第七电阻R9的一端连接3.6V电源,第二P-MOS管Q2的G端连接第七电阻R9的另一端和第九电阻R11的一端,第九电阻R11的另一端与第二三极管Q4的集电极相连,第二三极管Q4的基极与第十一电阻R14的一端相连,第二三极管Q4的发射级接地,第十二电阻R17的另一端连接第十四电阻R19的一端和第四三极管Q8的集电极,第十四电阻R19的另一端与第三二极管Q5的基极相连,第四三极管Q8的基极与第十五电阻R22的一端相连,第四三极管Q8的发射级接地,第三三极管Q5的发射级与第十三电阻R18的一端相连,第十三电阻R18的另一端与第十六电阻R25的一端相连,第十六电阻R25的另一端接地;INA219芯片U1的SCL端与单片机的普通IO口相连,芯片U1的SDA端与单片机的普通IO口相连,第十电阻R13的另一端与单片机的普通IO口相连,第十一电阻R14的另一端与单片机的普通IO口相连,第十五电阻R22的另一端与单片机的普通IO口相连,第十三电阻R18的另一端与单片机的电压检测口相连。/n...

【技术特征摘要】
1.一种用于检测被测板供电电路的工装电路,其特征在于,包括电源接口J1、第一三极管Q3、第二三极管Q4、第三三极管Q5、第四三极管Q8、第一p-mos管Q1、第二p-mos管Q2、INA219芯片U1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R8、第七电阻R9、第八电阻R10、第九电阻R11、第十电阻R13、第十一电阻R14、第十二电阻R17、第十三电阻R18、第十四电阻R19、第十五电阻R22、第十六电阻R25、第一电容C1;
电源接口J1的正极与第三电阻R3的一端、电阻R4的一端和第一P-mos管Q1的D端、电阻R17的一端以及第三三极管Q5的集电极相连,第四电阻R4的另一端与第五电阻R5的一端以及第二p-mos管Q2的D端相连,第五电阻R5的另一端与第一电容C1的一端以及INA219芯片U1的Vin-端相连,第三电阻R3的另一端与第一电容C1的另一端、INA219芯片U1的Vin+端相连,INA219芯片U1的Vs引脚接3.3V,INA219芯片U1的GND引脚与GND相连,INA219芯片U1的SCL引脚与第二电阻R2的一端相连,INA219芯片U1的SDA引脚与第一电阻R1的一端相连,INA219芯片U1的A0、A1引脚与GND相连,第二电阻R2的另一端与第一电阻R1的另一端连接3.3V电源,第一P-MOS管Q1的s端与第六电阻R8的一端连接3.6V电源,第一P-mos管...

【专利技术属性】
技术研发人员:王晓枫
申请(专利权)人:浙江威星智能仪表股份有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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