显示面板和显示装置制造方法及图纸

技术编号:29680916 阅读:9 留言:0更新日期:2021-08-13 22:04
提供一种显示面板和显示装置。该显示面板,包括:衬底基板;子像素,位于衬底基板上,包括像素电路和发光元件,发光元件包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的发光功能层,第一电极为像素电极,第一电极比第二电极更靠近衬底基板;像素限定层,包括第一开口,像素限定层的第一开口限定发光元件的发光区域;垫块,位于发光元件和像素电路之间;以及第一电源线,被配置为向像素电路提供恒定的第一电压信号,其中,垫块与第一电源线电连接,发光元件的第一电极在衬底基板上的正投影与垫块在衬底基板上的正投影至少部分交叠,像素限定层的第一开口在衬底基板上的正投影与垫块在衬底基板上的正投影至少部分交叠。

【技术实现步骤摘要】
显示面板和显示装置
本公开至少一实施例涉及一种显示面板和显示装置。
技术介绍
随着显示技术的不断发展,有源矩阵型有机发光二极管(Active-MatrixOrganicLight-EmittingDiode,AMOLED)显示技术因其自发光、广视角、高对比度、低功耗、高反应速度等优点已经在手机、平板电脑、数码相机等显示装置上得到越来越多地应用。
技术实现思路
本公开的至少一实施例涉及一种显示面板和显示装置。本公开的至少一实施例提供一种显示面板,包括:衬底基板;子像素,位于所述衬底基板上,包括像素电路和发光元件,所述像素电路被配置为驱动所述发光元件,所述发光元件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层,所述第一电极为像素电极,所述第一电极比所述第二电极更靠近所述衬底基板,所述发光元件包括发光区域;像素限定层,包括第一开口,所述像素限定层的所述第一开口限定所述发光元件的所述发光区域;垫块,位于所述发光元件和所述像素电路之间;以及第一电源线,被配置为向所述像素电路提供恒定的第一电压信号,其中,所述垫块与所述第一电源线电连接,所述发光元件的所述第一电极在所述衬底基板上的正投影与所述垫块在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,所述像素限定层的所述第一开口在所述衬底基板上的正投影与所述垫块在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。例如,所述衬底基板包括主表面,所述子像素位于所述衬底基板的所述主表面上,所述发光元件的所述第一电极对应所述发光区域的部分与所述主表面之间的最大距离为d01,所述发光元件的所述第一电极对应所述发光区域的部分与所述主表面之间的最小距离为d02,所述最大距离d01和所述最小距离d02的差值为Δd,所述发光区域的面积为A,,所述子像素包括第一子像素,所述垫块包括第一垫块,所述第一垫块与所述第一子像素的所述发光区域交叠,所述第一子像素的R0的取值范围为0≦R0≦11.9‰。例如,所述子像素还包括第二子像素,所述垫块还包括第二垫块,所述第二垫块与所述第二子像素的所述发光区域交叠,所述第二子像素的R0的取值范围均为0≦R0≦11.9‰。例如,显示面板还包括数据线,所述子像素还包括第三子像素和第四子像素,所述数据线被配置为向所述像素电路提供数据信号,所述数据线包括第一数据线和第二数据线,所述第一数据线和所述第二数据线与所述第三子像素的所述发光区域交叠,所述第一数据线和所述第二数据线与所述第四子像素的所述发光区域交叠,所述第一垫块和所述第二垫块在第一方向上排列,所述第一数据线和所述第二数据线在所述第一方向上排列,所述第三子像素和所述第四子像素构成子像素对,所述子像素对的R0的取值范围为0≦R0≦11.9‰。例如,所述第一垫块、所述第一数据线和所述第二数据线、所述第二垫块在所述第一方向上排列。例如,所述第一子像素的所述发光区域的面积大于所述第三子像素的所述发光区域的面积,并且所述第一子像素的所述发光区域的面积大于所述第四子像素的所述发光区域的面积;所述第二子像素的所述发光区域的面积大于所述第三子像素的所述发光区域的面积,并且所述第二子像素的所述发光区域的面积大于所述第四子像素的所述发光区域的面积。例如,所述第一子像素和所述第二子像素之一包括蓝色子像素,所述第一子像素和所述第二子像素之另一包括红色子像素,所述第三子像素包括绿色子像素,所述第四子像素包括绿色子像素。例如,显示面板还包括第一连接块和第二连接块,其中,所述第一垫块和所述第二垫块在第一方向上排列,所述第一连接块和所述第二连接块在第二方向上排列,所述第一方向与所述第二方向相交,所述第一电源线设置为多个,所述第一电源线、所述第一垫块、所述第二垫块为一体结构,相邻的第一电源线通过所述第一连接块和所述第二连接块彼此电连接以形成网状结构。例如,所述第一垫块、所述第二垫块、所述第一连接块和所述第二连接块彼此电连接。例如,所述发光元件的所述第一电极与所述垫块的形状均包括多边形,所述发光元件的所述第一电极的多边形的至少一条边平行于所述垫块的所述多边形的至少一条边。例如,所述第一开口的形状包括多边形,所述第一子像素的所述第一开口的多边形的顶角与所述发光元件的所述第一电极或所述第一垫块的多边形的侧边的中间位置相对设置,所述第二子像素的所述第一开口的多边形的顶角与所述发光元件的所述第一电极或所述第二垫块的多边形的侧边的中间位置相对设置。例如,所述第一子像素的所述发光元件的第一电极或所述第一垫块的边缘突出所述第一子像素的所述第一开口的顶角的距离≧2.75μm。例如,所述第二子像素的所述发光元件的第一电极或所述第二垫块的边缘突出所述第一子像素的所述第一开口的顶角的距离≧5.05μm。例如,所述像素限定层的所述第一开口在所述衬底基板上的正投影落入所述垫块在所述衬底基板上的正投影内。例如,所述第一垫块、所述第二垫块与所述第一电源线为一体结构。例如,所述像素电路包括驱动晶体管和第一复位晶体管,所述第一复位晶体管被配置为对所述驱动晶体管的栅极进行复位,所述第一复位晶体管包括半导体层,所述第一复位晶体管的所述半导体层在所述衬底基板上的正投影与所述垫块在所述衬底基板上的正投影部分交叠。例如,所述像素电路还包括阈值补偿晶体管,所述阈值补偿晶体管被配置为对所述驱动晶体管的阈值电压进行补偿,所述阈值补偿晶体管包括半导体层,所述阈值补偿晶体管的所述半导体层在所述衬底基板上的正投影与所述垫块在所述衬底基板上的正投影部分交叠。例如,所述阈值补偿晶体管的所述半导体层和所述第一复位晶体管的所述半导体层包括氧化物半导体材料。例如,所述阈值补偿晶体管和所述第一复位晶体管至少之一的栅极包括第一栅极和第二栅极,所述第一栅极比所述半导体层更靠近所述衬底基板,所述半导体层比所述第二栅极更靠近所述衬底基板,所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述半导体层在所述衬底基板上的正投影,所述第二栅极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述半导体层在所述衬底基板上的正投影。例如,所述半导体层与所述第一栅极之间的距离为d11,所述半导体层和所述第二栅极之间的距离为d12,d11-d12=│Δd12│,2000Å≦│Δd12│≦2700Å,并且d11+d12≦5300Å。例如,所述第一栅极的厚度为h1,所述第二栅极的厚度为h2,所述显示面板还包括层间绝缘层,所述层间绝缘层位于所述第二栅极上,所述层间绝缘层的厚度为h3,像素间距为P,子像素设置为多个,重复单元包括所述多个子像素中的至少三个子像素,所述像素间距为相邻重复单元的中心之间的距离,其中,(h1+h2+h3)/P≦14.54‰。例如,所述阈值补偿晶体管和所述第一复位晶体管至少之一的半导体层的起伏区域的坡度角α0与所述第一栅极的坡度角α1,所述第二栅极的坡度角α2,所述坡度角α2大于所述坡度角α1或α0,│α2-α1│=│Δα1│≦6.3°,│α2-α0│=│Δα2│≦5.5°。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板,包括:/n衬底基板;/n子像素,位于所述衬底基板上,包括像素电路和发光元件,所述像素电路被配置为驱动所述发光元件,所述发光元件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层,所述第一电极为像素电极,所述第一电极比所述第二电极更靠近所述衬底基板,所述发光元件包括发光区域;/n像素限定层,包括第一开口,所述像素限定层的所述第一开口限定所述发光元件的所述发光区域;/n垫块,位于所述发光元件和所述像素电路之间;以及/n第一电源线,被配置为向所述像素电路提供恒定的第一电压信号,/n其中,所述垫块与所述第一电源线电连接,所述发光元件的所述第一电极在所述衬底基板上的正投影与所述垫块在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,所述像素限定层的所述第一开口在所述衬底基板上的正投影与所述垫块在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,包括:
衬底基板;
子像素,位于所述衬底基板上,包括像素电路和发光元件,所述像素电路被配置为驱动所述发光元件,所述发光元件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层,所述第一电极为像素电极,所述第一电极比所述第二电极更靠近所述衬底基板,所述发光元件包括发光区域;
像素限定层,包括第一开口,所述像素限定层的所述第一开口限定所述发光元件的所述发光区域;
垫块,位于所述发光元件和所述像素电路之间;以及
第一电源线,被配置为向所述像素电路提供恒定的第一电压信号,
其中,所述垫块与所述第一电源线电连接,所述发光元件的所述第一电极在所述衬底基板上的正投影与所述垫块在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,所述像素限定层的所述第一开口在所述衬底基板上的正投影与所述垫块在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。


2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述衬底基板包括主表面,所述子像素位于
所述衬底基板的所述主表面上,所述发光元件的所述第一电极对应所述发光区域的部分与
所述主表面之间的最大距离为d01,所述发光元件的所述第一电极对应所述发光区域的部
分与所述主表面之间的最小距离为d02,所述最大距离d01和所述最小距离d02的差值为Δ
d,所述发光区域的面积为A,,
所述子像素包括第一子像素,所述垫块包括第一垫块,所述第一垫块与所述第一子像素的所述发光区域交叠,
所述第一子像素的R0的取值范围为0≦R0≦11.9‰。


3.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述子像素还包括第二子像素,所述垫块还包括第二垫块,所述第二垫块与所述第二子像素的所述发光区域交叠,
所述第二子像素的R0的取值范围均为0≦R0≦11.9‰。


4.根据权利要求3所述的显示面板,还包括数据线,其中,所述子像素还包括第三子像素和第四子像素,所述数据线被配置为向所述像素电路提供数据信号,所述数据线包括第一数据线和第二数据线,
所述第一数据线和所述第二数据线与所述第三子像素的所述发光区域交叠,所述第一数据线和所述第二数据线与所述第四子像素的所述发光区域交叠,所述第一垫块和所述第二垫块在第一方向上排列,所述第一数据线和所述第二数据线在所述第一方向上排列,
所述第三子像素和所述第四子像素构成子像素对,所述子像素对的R0的取值范围为0≦R0≦11.9‰。


5.根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述第一垫块、所述第一数据线和所述第二数据线、所述第二垫块在所述第一方向上排列。


6.根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述第一子像素的所述发光区域的面积大于所述第三子像素的所述发光区域的面积,并且所述第一子像素的所述发光区域的面积大于所述第四子像素的所述发光区域的面积;所述第二子像素的所述发光区域的面积大于所述第三子像素的所述发光区域的面积,并且所述第二子像素的所述发光区域的面积大于所述第四子像素的所述发光区域的面积。


7.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述第一子像素和所述第二子像素之一包括蓝色子像素,所述第一子像素和所述第二子像素之另一包括红色子像素,所述第三子像素包括绿色子像素,所述第四子像素包括绿色子像素。


8.根据权利要求3所述的显示面板,还包括第一连接块和第二连接块,其中,所述第一垫块和所述第二垫块在第一方向上排列,所述第一连接块和所述第二连接块在第二方向上排列,所述第一方向与所述第二方向相交,所述第一电源线设置为多个,所述第一电源线、所述第一垫块、所述第二垫块为一体结构,相邻的第一电源线通过所述第一连接块和所述第二连接块彼此电连接以形成网状结构。


9.根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述发光元件的所述第一电极与所述垫块的形状均包括多边形,所述发光元件的所述第一电极的多边形的至少一条边平行于所述垫块的所述多边形的至少一条边。


10.根据权利要求9所述的显示面板,其中,所述第一开口的形状包括多边形,所述第一子像素的所述第一开口的多边形的顶角与所述发光元件的所述第一电极或所述第一垫块的多边形的侧边的中间位置相对设置,所述第二子像素的所述第一开口的多边形的顶角与所述发光元件的所述第一电极或所述第二垫块的多边形的侧边的中间位置相对设置。


11.根据权利要求9所述的显示面板,其中,所述第一子像素的所述发光元件的第一电极或所述第一垫块的边缘突出所述第一子像素的所述第一开口的顶角的距离≧2.75μm。


12.根据权利要求9所述的显示面板,其中,所述第二子像素的所述发光元件的第一电极或所述第二垫块的边缘突出所述第一子像素的所述第一开口的顶角的距离≧5.05μm。


13.根据权利要求1-8任一项所述的显示面板,其中,所述像素限定层的所述第一开口在所述衬底基板上的正投影落入所述垫块在所述衬底基板上的正投影内。


14.根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述第一垫块、所述第二垫块与所述第一电源线为一体结构。


15.根据权利要求1-8任一项所述的显示面板,其中,所述像素电路包括驱动晶体管和第一复位晶体管,所述第一复位晶体管被配置为对所述驱动晶体管的栅极进行复位,所述第一复位晶体管包括半导体层,所述第一复位晶体管的所述半导体层在所述衬底基板上的正投影与所述垫块在所述衬底基板上的正投影部分交叠。


16.根据权利要求15所述的显示面板,其中,所述像素电路还包括阈值补偿晶体管,所述阈值补偿晶体管被配置为对所述驱动晶体管的阈值电压进行补偿,所述阈值补偿晶体管包括半导体层,所述阈值补偿晶体管的所述半导体层在所述衬底基板上的正投影与所述垫块在所述衬底基板上的正投影部分交叠。


17.根据权利要求16所述的显示面板,其中,所述阈值补偿晶体管的所述半导体层和所述第一复位晶体管的所述半导体层包括氧化物半导体材料。


18.根据权利要求17所述的显示面板,其中,所述阈值补偿晶体管和所述第一复位晶体管至少之一的栅极包括第一栅极和第二栅极,所述第一栅极比所述半导体层更靠近所述衬底基板,所述半导体层比所述第二栅极更靠近所述衬底基板,所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述半导体层在所述衬底基板上的正投影,所述第二栅极在...

【专利技术属性】
技术研发人员:李新国郝学光吴新银乔勇李盼
申请(专利权)人:北京京东方技术开发有限公司京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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